摻雜MgB-,2-體系超導(dǎo)電性與平均價(jià)電子數(shù)的關(guān)系及MgB-,2-薄膜金屬-絕緣轉(zhuǎn)變的研究.pdf

1、本論文主要分兩部分內(nèi)容。 第一部分首先主要介紹超導(dǎo)的發(fā)展、超導(dǎo)電性的基本性質(zhì)以及超導(dǎo)的分類．2001年超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度高達(dá)39K的金屬間化合物MgB2的發(fā)現(xiàn)激起了物理學(xué)界、材料界和工業(yè)界的廣泛關(guān)注，我們概要地分析了幾年來(lái)超導(dǎo)MgB2的研究現(xiàn)狀．超導(dǎo)體中原子的價(jià)層電子與原子核的相互作用的強(qiáng)弱與其作為整體的化合物MgB<,2>及其摻雜超導(dǎo)體系的超導(dǎo)電性關(guān)系緊密相關(guān)．因此我們采用平均價(jià)電子數(shù)作為摻雜MgB2超導(dǎo)電性的一個(gè)判斷標(biāo)準(zhǔn)，對(duì)MgB

2、<,2>超導(dǎo)體及摻雜MgB2超導(dǎo)體系平均價(jià)電子數(shù)進(jìn)行了研究，結(jié)果表明MgB<,2>體系超導(dǎo)材料的平均價(jià)電子數(shù)值在Tc-Zv圖中集中分布在2.61附近． 第二部分從能帶理論、Anderson模型、Mott金屬-絕緣轉(zhuǎn)變模型、近藤效應(yīng)等方面探討了金屬-絕緣轉(zhuǎn)變的理論機(jī)理.介紹了我們小組采用射頻磁控濺射方法在Si/MgO襯底上制備了MgB<,2>薄膜實(shí)驗(yàn)，通過(guò)X射線衍射圖分析了不同退火溫度對(duì)薄膜結(jié)構(gòu)性質(zhì)的影響；用直流四探針?lè)▽?duì)其阻溫特