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1、MgB<,2>超導(dǎo)體(T<,c>=39K)的發(fā)現(xiàn)引起了國(guó)際超導(dǎo)界的廣泛關(guān)注。由于MgB<,2>中不存在晶界弱連接的問(wèn)題,因此有著廣闊的應(yīng)用前景。為了進(jìn)一步提高M(jìn)gB<,2>的超導(dǎo)性能,我們嘗試了一種制作MgB<,2>的新工藝,即借鑒磁場(chǎng)對(duì)組織結(jié)構(gòu)、相的轉(zhuǎn)變等作用,以及磁場(chǎng)處理成功使高溫超導(dǎo)(HTS)形成織構(gòu)而提高J<,c>的方法,采用脈沖磁場(chǎng)對(duì)MgB<,2>系超導(dǎo)材料進(jìn)行處理,從而使材料性能得到提高。 磁場(chǎng)處理為各種對(duì)磁場(chǎng)作用有
2、響應(yīng)的摻雜劑的取向提供了動(dòng)力,基于納米SiC和CNT摻雜MgB<,2>超導(dǎo)體在前人的研究中獲得的超導(dǎo)性能較為理想,以及CNT表現(xiàn)出的獨(dú)特的物理化學(xué)性能,本文分別選用納米SiC和CNT摻雜MgB<,2>超導(dǎo)體研究磁場(chǎng)對(duì)MgB<,2>超導(dǎo)體及其不同摻雜劑的影響,分析磁場(chǎng)燒結(jié)對(duì)不同摻雜劑的作用機(jī)理,以期獲得性能優(yōu)越的超導(dǎo)材料。 研究結(jié)果表明脈沖磁場(chǎng)可以加快燒結(jié)過(guò)程中原料反應(yīng)的速率,細(xì)化晶粒,得到的超導(dǎo)材料臨界轉(zhuǎn)變溫度(T<,c>)一般
3、會(huì)有0.5K的提高;在SiC摻雜MgB<,2>超導(dǎo)體中發(fā)現(xiàn)超導(dǎo)電流沿著不同的磁場(chǎng)處理方向產(chǎn)生了明顯的各向異性:在垂直于處理磁場(chǎng)的方向有明顯提高,而在平行于處理磁場(chǎng)方向有所降低;通過(guò)對(duì)碳納米管(CNT)摻雜MgB<,2>超導(dǎo)體磁場(chǎng)處理后的行為進(jìn)行研究發(fā)現(xiàn),經(jīng)5T脈沖磁場(chǎng)處理后CNT沿著處理磁場(chǎng)方向規(guī)則排列并且成為MgB<,2>基體的形核中心和高效的磁通釘扎中心,臨界電流密度J<,c>(H)在低磁場(chǎng)下提高了2-3倍,高場(chǎng)下提高一個(gè)數(shù)量級(jí)以上
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