MgB-,2-超導(dǎo)多層膜間臨界厚度研究.pdf

1、本文首次利用MgB2作為超導(dǎo)多層膜中的超導(dǎo)體。對(duì)于這種多層膜的探討首先是對(duì)于雙層膜的研究。我們主要研究SSeS結(jié)，而其他的超導(dǎo)結(jié)比如SIS、SNS、SISIS等結(jié)可以采取與此相近的方法。對(duì)于MgB2超導(dǎo)SSeS結(jié)，本論文對(duì)它的臨界厚度進(jìn)行了詳盡理論分析和公式推導(dǎo)。利用MAR(倍增AndreevReflection)解釋超導(dǎo)電子對(duì)或者空穴對(duì)穿越中間結(jié)的原理，從Ginzburg-Landau方程以及薛定諤方程出發(fā)研究了MgB2的SSeS超導(dǎo)

2、結(jié)的各種性質(zhì)。對(duì)于結(jié)區(qū)勢(shì)壘，利用多階梯狀勢(shì)壘近似代替，加上Ginzburg-Landau方程以及薛定諤方程與各種邊界條件，得出一維條件下的位相解以及電流位相關(guān)系。在已經(jīng)得到的結(jié)果上，接著對(duì)于利用MgB2作為SSeS結(jié)的超導(dǎo)層(Se為P型半導(dǎo)體)的臨界厚度公式進(jìn)行了理論推導(dǎo)和實(shí)際探討：在得到的臨界厚度公式中有臨界厚度的大小和相干長(zhǎng)度成正比，正是由于MgB2具有遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于一般金屬以及二元化合物的臨界轉(zhuǎn)變溫度，還具有更大的相干長(zhǎng)度，這對(duì)于得到大