MgB-,2-高場區(qū)臨界電流密度提高的途徑及機理研究.pdf

1、2001年金屬間化合物二硼化鎂(MgB<,2>)超導(dǎo)電性的發(fā)現(xiàn)，令全世界凝聚態(tài)物理學(xué)界為之興奮，并掀起了新一輪高臨界溫度超導(dǎo)研究的熱潮。二硼化鎂作為一種具有超導(dǎo)電性的新材料，為研究新一代具有簡單結(jié)構(gòu)的高溫超導(dǎo)體開辟了新途徑，并將成為電子材料領(lǐng)域冉冉升起的一顆新星。這種新型材料在許多方面都優(yōu)于高溫超導(dǎo)體：各向異性小，相干長度大，無弱連接現(xiàn)象等等。這些優(yōu)越性使二硼化鎂有很好的應(yīng)用前景。作為一種新型超導(dǎo)體，它的許多基本性質(zhì)都還有待研究。

2、 本文首先通過傳統(tǒng)的固相反應(yīng)的方法制備了純的和摻雜SiC納米顆粒的MgB<,2>塊材樣品。通過對樣品的磁化曲線的測量我們得到了樣品的臨界電流密度，發(fā)現(xiàn)摻雜SiC極大的提高了其臨界電流密度。通過樣品密度、XRD、SEM對摻雜SiC后樣品性能改善的原因或機理進行了分析，發(fā)現(xiàn)C取代MgB<,2>中的部分的B可能是其性能提高的主要或者說根本原因。 在慢速升溫的基礎(chǔ)上，我們探索使用了快速升溫的方法來制備摻雜的MgB<,2>樣品，發(fā)現(xiàn)無論