ZnO-SnO-,2-薄膜對(duì)C-,2-H-,5-OH的傳感響應(yīng)及固相合成NiFe-,2-O-,4-的反應(yīng)動(dòng)力學(xué).pdf

1、人類社會(huì)生產(chǎn)和生活向大氣排放大量危害氣體,使氣溫變化、災(zāi)害頻頻發(fā)生。降低和檢測(cè)大氣中有害氣體排放量與濃度,是建設(shè)新型國(guó)家的戰(zhàn)略任務(wù)。
　　 SnO2是一種重要的電阻型氧化物半導(dǎo)體氣敏材料,廣泛應(yīng)用于氣體檢測(cè)應(yīng)用與研究中。電解工業(yè)特別是鋁電解工業(yè)石墨陽(yáng)極產(chǎn)生大量的CO2氣體,是主要的溫室氣體來(lái)源之一。探索惰性陽(yáng)極,降低電解工業(yè)溫室氣體排放具有十分重要的意義。
　　 本論文工作分為兩個(gè)部分。首先,采用電沉積熱氧化的方法,分別

2、從SnCl2、Zn(NO3)2和C6HsNa3O7混合溶液中沉積ZnO/Sn薄膜,經(jīng)過(guò)高溫氧化制ZnO/SnO2薄膜；研究了電沉積時(shí)間、電壓、濃度及氧化時(shí)間對(duì)ZnO/SnO2薄膜性質(zhì)的影響規(guī)律；用SEM和XRD表征了ZnO/SnO2薄膜。制備的ZnO/SnO2薄膜為晶態(tài)結(jié)構(gòu),表面均勻且多孔。獲得的最佳制備條件為:SnCl2溶液濃度7.0gL-1,沉積Sn電壓-0.9V,時(shí)間3600s；Zn(NO3)2溶液濃度1.0g·L-1,沉積ZnO

3、電壓-0.9V,時(shí)間600s；氧化溫度600℃,氧化時(shí)間10h。并研究了ZnO/SnO2薄膜對(duì)空氣中C2HsOH的響應(yīng),討論了響應(yīng)機(jī)理。結(jié)果表明,最佳檢測(cè)溫度350℃,對(duì)C2HsOH的響應(yīng)速度比文獻(xiàn)報(bào)道結(jié)果快。
　　 其次,采用高溫固相合成法以NiO和Fe2O3粉為原料制備NiFe2O4尖晶石,優(yōu)化了制備條件；用XRD、SEM、TG-DTA對(duì)合成的NiFe2O4進(jìn)行了表征,并通過(guò)XRD對(duì)其合成機(jī)理進(jìn)行了探討。分別加入質(zhì)量分?jǐn)?shù)1％