2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
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文檔簡介

1、原子層沉積(ALD)的技術(shù)對薄膜的成份和厚度具有出色的控制能力,與傳統(tǒng)光學薄膜制備技術(shù)相比所制備的薄膜保形性好、純度高且均勻。原子尺度上的ALD過程仿真對深入了解原子層沉積機理,改進和優(yōu)化薄膜生長工藝,提高薄膜質(zhì)量,改善光學薄膜性質(zhì)具有重要意義。在深入了解ALD的工藝特點及工藝過程后,針對ALD沉積Al2O3薄膜,構(gòu)建仿真二維單元模型。通過分析不同沉積階段的反應(yīng)過程和機理,采用動力學蒙特卡羅方法(KMC)對Al2O3薄膜的ALD沉積過程

2、進行模擬,建立了前驅(qū)體到達、表面化學反應(yīng)、解吸三種不同的事件模型。改變工藝條件進行多組仿真實驗,結(jié)果表明ALD制備薄膜受基片溫度、反應(yīng)室真空度和基片處理工藝等多種因素的影響。其中基片溫度對初始沉積時間和生長速率的影響最為顯著。在溫度窗口內(nèi),基片溫度越低,薄膜生長越緩慢,初始沉積時間越長,表面粗糙度增加;隨著基片溫度的升高,初始沉積過程時間越短,溫度越高,生長速率越高,表面粗糙度也越小。同時對基片采用預(yù)處理工藝也可以提高薄膜沉積速率,改善

3、膜層質(zhì)量。
   根據(jù)仿真結(jié)果,研究了原子層沉積制備氧化鋁、氧化鉭、氧化鈦和氧化鋯薄膜的光學性能,比較各種工藝條件下成膜質(zhì)量。采用分光光度計,X射線光電子能譜(XPS),X射線衍射(XRD),原子力顯微鏡(AFM),掃描電子顯微鏡(SEM)等分析手段對薄膜的微結(jié)構(gòu)、表面形貌和光學特性進行了研究。結(jié)果表明,在適當工藝條件下原子層沉積法制備的Al2O3、Ta2O5和zrO2薄膜在退火前后均呈現(xiàn)無定形結(jié)構(gòu),元素成分接近化學計量比,其表

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