2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁(yè)
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1、本文采用磁過(guò)濾陰極脈沖真空弧沉積法(PFCVAD)制備出了具有c軸擇優(yōu)取向、高平整度的ZnO薄膜，研究了PFCVAD的工藝參數(shù)靶負(fù)壓、襯底溫度、氧氣壓力、退火溫度對(duì)ZnO薄膜的結(jié)構(gòu)、表面形貌和c軸方向應(yīng)變的影響。主要研究工作和結(jié)論如下： 1、采用PFCVAD法，在襯底溫度300℃、氧氣壓力4.0×10-2Pa，不同靶負(fù)壓(200V～800V)條件下制備出了ZnO薄膜，所有薄膜具有高的c軸取向性和平整的表面結(jié)構(gòu)，隨著靶負(fù)壓的增加，

2、粗糙度略有上升，c軸方向張應(yīng)力減小。發(fā)現(xiàn)靶負(fù)壓在400V左右，ZnO薄膜c軸取向性最強(qiáng)。 2、當(dāng)襯底溫度在170℃～500℃范圍內(nèi)，靶負(fù)壓為400V，氧氣壓力為4.0×10-2Pa時(shí)，ZnO薄膜均具有高的c軸取向性和平整的表面結(jié)構(gòu)，隨著襯底溫度的增加，粗糙度下降，c軸方向張應(yīng)力減小。發(fā)現(xiàn)襯底溫度在400℃左右時(shí)，ZnO薄膜c軸取向性最強(qiáng)。 3、當(dāng)氧氣壓力在1.0×10-2 Pa～8.0×10-2 Pa時(shí)，ZnO薄膜均具有

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