硅基LiNbO3壓電薄膜多層結(jié)構(gòu)的制備與表征.pdf

1、聲表面波器件(SAW)因具有小型化、平面結(jié)構(gòu)、設計簡單等特點,在社會的各個領域得到了廣泛的應用。隨著SAW產(chǎn)品的大規(guī)模普及,聲表面波器件的頻帶在較低段已經(jīng)達到飽和,這嚴重制約了SAW產(chǎn)品的發(fā)展。因此,除了微型化和低插入損耗外,向高頻發(fā)展成了SAW器件一個不可逃避的實現(xiàn)。LiNbO3作為一種較早被發(fā)現(xiàn)的具有良好壓電性能的壓電材料,一直倍受研究者的青睞,加之金剛石的高聲速特性,給SAW器件帶來更好的發(fā)展前景。
　　本文探討了SAW用金

2、剛石多晶薄膜的制備,高度C軸取向LiNbO3壓電層的制備,在總結(jié)了LiNbO3薄膜制備研究現(xiàn)狀并結(jié)合理論分析的基礎上提出了LiNbO3\SiO2\diamond\Si多層結(jié)構(gòu),旨在提高SAW器件的中心頻率。
　　我們用激光脈沖沉積(PLD)技術,通過對一些主要參數(shù)的探討,主要得到了以下結(jié)果:
　　1.在未施加誘導電場的情況下采用PLD技術在熱氧化的(100)硅片襯底上生長出了具有良好晶體質(zhì)量的完全C軸取向LiNbO3薄膜。系

3、統(tǒng)研究了工藝參數(shù)對LiNbO3薄膜質(zhì)量的影響,獲得了生長LiNbO3薄膜的最佳工藝參數(shù):襯底溫度約為650℃,氧壓約為50Pa,激光頻率約為3Hz,靶材與襯底距離約為4cm。
　　2.在未施加誘導電場的情況下采用PLD技術在沉積有非晶二氧化硅的(100)硅片襯底上生長出了具有良好晶體質(zhì)量的完全C軸取向LiNbO3薄膜。系統(tǒng)研究了工藝參數(shù)對LiNbO3薄膜質(zhì)量的影響,獲得了生長LiNbO3薄膜的最佳工藝參數(shù):襯底溫度約為700℃,氧