中性分子的激光聚焦與靜電導(dǎo)引.pdf

1、華東師范大學(xué)博士學(xué)位論文中性分子的激光聚焦與靜電導(dǎo)引姓名：夏勇申請學(xué)位級別：博士專業(yè)：光學(xué)指導(dǎo)教師：印建平20061001究了一種四極靜電場用來導(dǎo)引弱場搜尋態(tài)的分子的新方案。對于產(chǎn)生的重水超聲分子束，橫向的溫度為253mK。載荷導(dǎo)體棒加上不同的導(dǎo)引電壓時，經(jīng)過六級桿會聚的分子束，裝載進(jìn)入靜電導(dǎo)管之后，由于不同的電壓對應(yīng)不同的橫向勢阱的阱深，不同的橫向勢阱的深度又限制著不同橫向速度的分子束可以通過靜電導(dǎo)管傳輸。導(dǎo)引電壓為25kV比OkV時

2、，導(dǎo)引分子數(shù)目增加了2倍。本文在實(shí)驗(yàn)上實(shí)現(xiàn)了弱場搜尋念極性分子的表面靜電導(dǎo)引。我們利用超聲分子束具有比較低的橫向溫度的特征，通過在芯片表面靜電導(dǎo)管的橫向勢阱深度對超聲分子束橫向速度進(jìn)行操控，實(shí)現(xiàn)超聲分子束在芯片表面的靜電導(dǎo)引。當(dāng)加上導(dǎo)引電壓25kv時的導(dǎo)引信號強(qiáng)度是不加導(dǎo)引電壓時的導(dǎo)引信號強(qiáng)度的25倍。同時進(jìn)行了Montecarlo模擬分子導(dǎo)引的動力學(xué)過程的研究。導(dǎo)引電壓增加，橫向勢阱深度增加，分子束的縱向粒子數(shù)目也有一定的增加。我們研