石英毛細(xì)管微納流控界面的表征及濃縮效率研究.pdf

1、隨著微流控技術(shù)的發(fā)展，納米尺度下分子運(yùn)動(dòng)行為的研究成為該領(lǐng)域的一個(gè)新的發(fā)展方向，并逐漸形成一個(gè)新的研究領(lǐng)域—微納流控學(xué)，或者納流控學(xué)。目前新的微納流控體系的建立和應(yīng)用仍是研究的熱點(diǎn)，特別是微納界面上的濃度極化效應(yīng)及其在微量樣品的在線預(yù)濃集中的應(yīng)用潛力更是備受關(guān)注。
　　本論文第一章以芯片毛細(xì)管電泳中樣品的電動(dòng)濃集為主要背景，介紹了相關(guān)的電動(dòng)理論和離子傳輸現(xiàn)象、納流控相關(guān)理論、納米與微米通道界面上的濃度極化產(chǎn)生的條件及可能的應(yīng)用進(jìn)行

2、了綜述。
　　第二章，基于業(yè)已建立的原位刻蝕技術(shù)制備了毛細(xì)管微納界面，對(duì)刻蝕形成的膜進(jìn)行了進(jìn)一步的掃描電子顯微鏡(SEM)表征。結(jié)果顯示離子通道可能呈錐形、估測(cè)其尺度在～100納米級(jí)?？疾炝四ど想x子流傳輸性質(zhì)，得到類似納流控二極管整流曲線的電流曲線。利用熒光顯微成像的方法對(duì)該界面上的濃度極化效應(yīng)進(jìn)行了研究，考察了離子強(qiáng)度對(duì)荷電組分濃度極化的影響。結(jié)果表明隨著離子強(qiáng)度的增大，納米通道的離子選擇性減小。
　　第三章，在不同方向和