簡介：隨著社會的不斷發(fā)展和進(jìn)步，開關(guān)電源以其高性能、高效率、高功率密度等優(yōu)點(diǎn)，已經(jīng)取代了傳統(tǒng)的線性調(diào)整器電源，成為電子設(shè)備中電源系統(tǒng)的首選。同時，新材料、新技術(shù)等的發(fā)展，推動著開關(guān)電源朝著高頻化、數(shù)字化、分布式電源系統(tǒng)、系統(tǒng)集成等方向發(fā)展。本文以設(shè)計(jì)指定性能指標(biāo)的全數(shù)字高功率因數(shù)軟開關(guān)ACDC通信開關(guān)電源為背景，研究開關(guān)電源的功率因數(shù)校正、軟開關(guān)實(shí)現(xiàn)、磁性元件設(shè)計(jì)、單周期控制與模糊控制的數(shù)字化實(shí)現(xiàn)等相關(guān)技術(shù)。該電源為兩級結(jié)構(gòu)，前級完成功率因數(shù)的校正和輸入單相交流電壓的逆變，以BOOST有源功率因數(shù)校正電路為主電路拓?fù)?；后級則為主功率變換級，以移相全橋ZVSPWMDCDC變換器為主電路拓?fù)?。控制器統(tǒng)一由TI公司的DSP芯片TMS320F2812來完成，考慮到DSP控制芯片的信號處理速度和算法實(shí)現(xiàn)的優(yōu)勢以及開關(guān)變換器非線性、時變的特點(diǎn)，前級采用單周期控制，后級采用模糊自適應(yīng)PID控制。論文通過理論分析詳細(xì)論述了該系統(tǒng)前級和后級的主電路和控制電路的整個設(shè)計(jì)過程，其中包括總體方案選擇，各級主電路拓?fù)涞倪x擇、原理分析、器件參數(shù)計(jì)算和選擇，單周期控制BOOSTAPFC電路和模糊自適應(yīng)PID控制的移相全橋ZVSPWMDCDC變換器的數(shù)字化實(shí)現(xiàn)、電路參數(shù)設(shè)計(jì)和模糊自適應(yīng)PID控制優(yōu)于傳統(tǒng)PID控制器的MATLAB仿真驗(yàn)證以及TMS320F2812DSP數(shù)字PWM信號和移相脈沖的產(chǎn)生策略等。

簡介：點(diǎn)擊查看更多城市水岸空間設(shè)計(jì)的一種方法──以杭州西湖水岸近十年綜保工程改造為例.pdf精彩內(nèi)容。

簡介：點(diǎn)擊查看更多高線性無線通信接收機(jī)射頻前端研究與設(shè)計(jì).pdf精彩內(nèi)容。

簡介：互聯(lián)網(wǎng)規(guī)模的指數(shù)增長和傳播內(nèi)容的巨大變化，對WEB系統(tǒng)的性能提出了更高的要求，其中一條就是支持高并發(fā)的訪問。2008年奧運(yùn)售票系統(tǒng)的癱瘓引起人們的對高并發(fā)WEB系統(tǒng)性能的廣泛關(guān)注。其實(shí)，關(guān)于高并發(fā)WEB系統(tǒng)的研究也是許多大型的網(wǎng)站在高速增長中必須面對的問題，在不斷的改進(jìn)過程中人們積累了很多的技術(shù)經(jīng)驗(yàn)。由于這些技術(shù)涉及到系統(tǒng)方方面面，所以缺乏全面規(guī)范的分析和總結(jié)。本文首先對WEB系統(tǒng)的發(fā)展歷程進(jìn)行了回顧，分析了高并發(fā)WEB系統(tǒng)的主要發(fā)展特點(diǎn)；然后從以下三個方面對高并發(fā)WEB系統(tǒng)的設(shè)計(jì)和優(yōu)化方案進(jìn)行了分析和總結(jié)數(shù)據(jù)庫、WEB應(yīng)用程序、WEB服務(wù)器。在數(shù)據(jù)庫方面本文找出與數(shù)據(jù)庫并發(fā)量相關(guān)的所有初始化參數(shù)的調(diào)整方法，以及數(shù)據(jù)庫內(nèi)存和數(shù)據(jù)庫對象的優(yōu)化方法，另外，分析了目前正在研究的內(nèi)存數(shù)據(jù)庫，提出了兩種內(nèi)存數(shù)據(jù)庫在高并發(fā)WEB系統(tǒng)中的應(yīng)用模型；在WEB應(yīng)用程序方面本文以奧運(yùn)售票系統(tǒng)為例分析了流程優(yōu)化的特點(diǎn)，總結(jié)了程序中代碼和SQL語句的優(yōu)化方法，并介紹了應(yīng)用程序中緩存技術(shù)的原理和使用方法；在WEB服務(wù)器方面主要介紹了TOMCAT服務(wù)器的性能調(diào)整以及WEB服務(wù)器的集群和負(fù)載均衡。在本文的最后介紹了一個實(shí)際的高并發(fā)WEB應(yīng)用系統(tǒng)，即北京交通大學(xué)學(xué)生思想測評系統(tǒng)，詳細(xì)介紹了該系統(tǒng)從設(shè)計(jì)到優(yōu)化的完整過程和技術(shù)細(xì)節(jié)，并用負(fù)載測試軟件對系統(tǒng)的并發(fā)量進(jìn)行測試，檢驗(yàn)系統(tǒng)并發(fā)量是否達(dá)到最初的設(shè)計(jì)要求。

簡介：個人消費(fèi)電子產(chǎn)品的繁榮市場推動著整個電子半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)穩(wěn)步發(fā)展，給電源管理芯片帶來了旺盛需求。結(jié)構(gòu)簡單，集成度高，精度高，輸出噪聲小，使用外圍器件少，成本較低的LDO線性穩(wěn)壓芯片在電源管理芯片中占有重要地位。本文介紹了傳統(tǒng)帶片外負(fù)載電容LDO穩(wěn)壓器的基本原理，并且重點(diǎn)分析了其環(huán)路穩(wěn)定性及補(bǔ)償技術(shù)與影響系統(tǒng)瞬態(tài)響應(yīng)的因素。然后，在此基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)了一款具有大負(fù)載輸出電流，快速瞬態(tài)響應(yīng)，高穩(wěn)定性的LDO線性穩(wěn)壓芯片。在帶隙基準(zhǔn)的設(shè)計(jì)中，采用了一種高溫段二階溫度補(bǔ)償?shù)脑O(shè)計(jì)，大大提高了帶隙基準(zhǔn)的溫度系數(shù)及精度。在誤差運(yùn)放的設(shè)計(jì)中，設(shè)計(jì)了兩條快速通路分別加快PASS管柵寄生電容的充電速度和輸出電容的放電速度，提升了瞬態(tài)響應(yīng)性能；環(huán)路的設(shè)計(jì)則在運(yùn)放的輸出端增加了緩沖級，降低了運(yùn)放輸出阻抗從而將PASS管柵結(jié)點(diǎn)處的極點(diǎn)頻率推到了更高頻率，并且分別采用了自適應(yīng)零點(diǎn)補(bǔ)償技術(shù)和米勒電容補(bǔ)償技術(shù)穩(wěn)定環(huán)路。在調(diào)整管的設(shè)計(jì)中，采用了PMOS調(diào)整管，并設(shè)計(jì)了合適的尺寸來滿足負(fù)載驅(qū)動能力要求。此外，還在芯片中設(shè)計(jì)了過溫、過流保護(hù)電路以及RESET復(fù)位功能，實(shí)現(xiàn)在輸出電壓下降到正常值92％98％時關(guān)斷芯片。電路采用了華虹（NEC）035BCD工藝進(jìn)行設(shè)計(jì)，然后在SPECTRE下進(jìn)行了仿真，結(jié)果顯示設(shè)計(jì)的LDO芯片工作電壓為35V到10V，輸出穩(wěn)定電壓為25V，輸出電流為10UA到1A，在27℃工作溫度下，線性調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率分別為0038％和0005％，在負(fù)載電流從最小和最大工作電流相互階躍跳變時，輸出電壓能在15US內(nèi)達(dá)到基本穩(wěn)定狀態(tài)。

簡介：隨著半導(dǎo)體工藝的發(fā)展，電源電壓和晶體管尺寸不斷降低，低壓差線性穩(wěn)壓器LOWOUTLINEARREGULAT，LDO得到迅猛發(fā)展。LDO由于具有電路結(jié)構(gòu)簡單、瞬態(tài)響應(yīng)速度快、成本低等優(yōu)點(diǎn)得到廣泛應(yīng)用。同時，用戶對芯片效率、瞬態(tài)性能、精度等指標(biāo)，特別是對電源紋波的抑制能力的要求越來越高。因此，研究高性能的LDO尤其重要。本文設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了一款高電源抑制比POWERSUPPLYREJECTIONRATIO，PSRR的線性穩(wěn)壓器。首先，全面分析了LDO的性能指標(biāo)以及設(shè)計(jì)指標(biāo)之間的折中關(guān)系。其次，本文重點(diǎn)分析了LDO的PSRR傳遞函數(shù)，并對兩種高PSRRLDO結(jié)構(gòu)進(jìn)行對比同時，給出了改進(jìn)型的增加前向通路的LDO結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)的主要思想是增加一條輔助環(huán)路，讓電源紋波的變化轉(zhuǎn)化為電流的變化，并在誤差放大器的輸出端轉(zhuǎn)化為同相的電壓變化，抑制了電源紋波對功率管柵源電壓的影響，確保輸出電壓的穩(wěn)定。最后，給出了具體電路設(shè)計(jì)，并加以優(yōu)化。為了增強(qiáng)系統(tǒng)穩(wěn)定性，采用了極點(diǎn)分裂和動態(tài)補(bǔ)償相結(jié)合的方法。本設(shè)計(jì)采用華虹NEC035ΜM工藝，利用CADENCE的EDA工具完成電路晶體管級設(shè)計(jì)、前仿、物理版圖設(shè)計(jì)和測試，芯片面積為600ΜM560ΜM。測試結(jié)果表明，本文設(shè)計(jì)的LDO工作電壓為25V～55V，輸出電壓為180V，在提供300MA負(fù)載電流情況下壓差為200MV，線性調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率分別為0075％V和064％A，負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)時輸出電壓的上沖和下沖分別為4800MV5100MV，負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)時間為48ΜS。電源抑制比，低頻時為70DB，1KHZ時為68DB，10KHZ時62DB，整個電路的靜態(tài)電流為100ΜA，上述結(jié)果表明該LDO基本達(dá)到設(shè)計(jì)指標(biāo)。

簡介：短波通信多年來被廣泛地用于政府、外交、軍事、航空、氣象、商業(yè)等部門，用以傳送語言文字、圖像數(shù)據(jù)等信息。尤其在軍事及國家安全部門，它始終是國家最可信賴的指揮手段之一。近年來，世界各國加緊了對短波通信的研究，出現(xiàn)了許多新型的短波通信系統(tǒng)。但不論是何種設(shè)備，頻率合成器都占據(jù)著短波通信設(shè)備中較為核心的一個地位。鑒于此原因，本論文對短波發(fā)射機(jī)高穩(wěn)頻率合成器的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)進(jìn)行了較為深入的研究。隨著現(xiàn)代通信技術(shù)的發(fā)展，系統(tǒng)對頻率合成器提出的要求越來越高，低相噪、高純度、高捷變速率及高分辨率的頻率合成器已經(jīng)成為當(dāng)今頻率合成技術(shù)發(fā)展的主要趨勢。本文經(jīng)過對多種頻率合成技術(shù)的研究比較，最后，通過采用DDS專用芯片的實(shí)現(xiàn)方案來獲得高頻率穩(wěn)定度、低相噪、低雜散的頻率源，為了達(dá)到更好的輸出效果，方案中采用高穩(wěn)定晶體振蕩器電路為DDS模塊提供參考時鐘源，另外還給出了跟蹤濾波器的設(shè)計(jì)。該方案不論是在技術(shù)上還是在一些具體模塊電路的實(shí)現(xiàn)上都有一定的創(chuàng)新與獨(dú)到之處。本文首先介紹了課題的研究背景和研究意義。接著介紹了頻率合成的概念、發(fā)展，并分別討論了PLL頻率合成和直接數(shù)字頻率合成技術(shù)各自的特點(diǎn)和差異，對頻譜特性、雜散等特性進(jìn)行了理論分析。然后根據(jù)系統(tǒng)指標(biāo)合理地采用了直接數(shù)字頻率合成技術(shù)。整個系統(tǒng)以基于DDS專用芯片AD9953的信號發(fā)生器為核心，單片機(jī)為控制器、加上采用高穩(wěn)定晶體振蕩器和實(shí)用的跟蹤濾波器，保證了整個頻率合成系統(tǒng)的高精度、高頻帶范圍和高頻譜純度。論文中詳細(xì)分析了頻率合成器的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)、軟硬件設(shè)計(jì)和具體電路實(shí)現(xiàn)。最后完成實(shí)驗(yàn)電路板的制作，電路的調(diào)試工作，對輸出信號頻譜進(jìn)行了分析并給出硬件實(shí)物照片和測試結(jié)果及相關(guān)分析。

簡介：隨著我國改革開放和社會主義現(xiàn)代化建設(shè)的進(jìn)一步推進(jìn)，我國的電子政務(wù)建設(shè)已經(jīng)開始起步。20世紀(jì)90年代初以來，國務(wù)院有關(guān)部門相繼建設(shè)了一批電子政務(wù)業(yè)務(wù)系統(tǒng)，“金關(guān)”工程和“金稅”工程都取得了顯著成效，辦公自動化、政務(wù)信息化建設(shè)也取得較大成績。2002年8月，中共中央、國務(wù)院批準(zhǔn)將“金?！惫こ塘袨槲覈娮诱?wù)工程建設(shè)的“十二金”之一?！敖鸨！惫こ探ㄔO(shè)成為我國勞動和社會保障信息系統(tǒng)建設(shè)的指導(dǎo)方向。2003年印發(fā)的關(guān)于全面實(shí)施“金?！惫こ探y(tǒng)一建設(shè)勞動保險(xiǎn)信息系統(tǒng)的意見正式建立了“金?！惫こ陶{(diào)度制度。進(jìn)一步推進(jìn)了“金保”工程建設(shè)的全面啟動。我市經(jīng)過長時間的準(zhǔn)備和醞釀于2006年終于正式成立了勞動保障信息中心，開始我市“金?！惫こ痰慕ㄔO(shè)工作。本文探討了我市“金?！惫こ桃黄诮ㄔO(shè)的設(shè)計(jì)與實(shí)施。通過長時間的系統(tǒng)調(diào)研與需求分析。我們確定了以ACLE數(shù)據(jù)庫建設(shè)五險(xiǎn)合一的數(shù)據(jù)中心，五險(xiǎn)部分應(yīng)用CS結(jié)構(gòu)的系統(tǒng)平臺，勞動力市場部分使用BSS結(jié)構(gòu)，包括公共業(yè)務(wù)、各險(xiǎn)種待遇支付、醫(yī)保定點(diǎn)客戶端等業(yè)務(wù)功能。通過我市勞動保障信息中心與東軟公司的通力合作。整個工程與2009年5月正式運(yùn)行。到目前為止系統(tǒng)正常，得到了全市的一致好評。

簡介：電力工業(yè)是國民經(jīng)濟(jì)的基礎(chǔ)和命脈，我國對電力工業(yè)的發(fā)展一直非常重視。目前，兩網(wǎng)改造已經(jīng)結(jié)束，取得了顯著的效果；已經(jīng)啟動的為西部大開發(fā)和東部經(jīng)濟(jì)建設(shè)服務(wù)的“西電東送”，西部能源點(diǎn)的建設(shè)也已經(jīng)具備相當(dāng)規(guī)模；以220KV500KV為主網(wǎng)架的大區(qū)電網(wǎng)已經(jīng)形成，隨著國網(wǎng)公司“堅(jiān)強(qiáng)智能電網(wǎng)建設(shè)”理念的普及，以更高電壓等級的交直流輸電網(wǎng)絡(luò)建設(shè)也已經(jīng)全面鋪開，全國聯(lián)網(wǎng)已經(jīng)開始全面實(shí)施。其中，高電壓220KV500KV1000KV等級變電站自動化系統(tǒng)占有重要的地位。超高電壓等級變電站自動化系統(tǒng)應(yīng)用也日益廣泛。隨著新技術(shù)的發(fā)展、開展新的面向高電壓等級變電站高壓監(jiān)控的主站系統(tǒng)結(jié)構(gòu)模式的探索與實(shí)踐研究都有著十分重要的意義。本文在分析和對比國內(nèi)外自動化監(jiān)控系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)模式的基礎(chǔ)上，研究了高壓監(jiān)控SCADA應(yīng)用系統(tǒng)平臺的理論、方法和技術(shù)，結(jié)合作者在公司開發(fā)的平臺產(chǎn)品及應(yīng)用實(shí)例，詳細(xì)介紹了高壓監(jiān)控SCADA應(yīng)用系統(tǒng)平臺的原理、方法和實(shí)現(xiàn)本論文第一章主要描述了國內(nèi)目前高電壓等級監(jiān)控系統(tǒng)發(fā)展的歷史和現(xiàn)狀，根據(jù)現(xiàn)場的要求和技術(shù)的發(fā)展，提出超高壓監(jiān)控系統(tǒng)應(yīng)具備的系統(tǒng)功能。在此基礎(chǔ)上，本文的第二章到第三章從高壓監(jiān)控系統(tǒng)的系統(tǒng)需求分析，系統(tǒng)的設(shè)計(jì)原則和規(guī)范，系統(tǒng)功能實(shí)現(xiàn)的技術(shù)關(guān)鍵和監(jiān)控系統(tǒng)的軟件、硬件設(shè)計(jì)，以及系統(tǒng)的數(shù)據(jù)通信、人機(jī)界面等子模塊的設(shè)計(jì)和功能進(jìn)行了詳細(xì)的闡述。特別是針對系統(tǒng)中的設(shè)計(jì)重點(diǎn)，包括面向電網(wǎng)對象的模型描述；跨平臺的軟硬件系統(tǒng)設(shè)計(jì)；圖模庫一體化設(shè)計(jì)；系統(tǒng)的人性化界面操作和安全防護(hù)等方面進(jìn)行了詳細(xì)的描述。第四章結(jié)合系統(tǒng)的工程實(shí)例，介紹了高壓監(jiān)控系統(tǒng)的現(xiàn)場使用案例和用途。近十套該模式的超高壓變電站自動化系統(tǒng)已經(jīng)在現(xiàn)場推廣運(yùn)行，其構(gòu)成系統(tǒng)的靈活性、健壯性、易于維護(hù)性得到用戶的好評。

簡介：點(diǎn)擊查看更多高強(qiáng)度高導(dǎo)電銅--鉻--鋯合金的設(shè)計(jì)、制備及性能研究.pdf精彩內(nèi)容。

簡介：天津大學(xué)碩士學(xué)位論文三相可逆型高功率因數(shù)整流器的研究與設(shè)計(jì)姓名王樹偉申請學(xué)位級別碩士專業(yè)電力電子及電力傳動指導(dǎo)教師吳愛國黃瑞祥200011竺里墜垡一ABSTRACTACCORDINGTOPRESENTDEVELOPMENTTRENDINBOTHAPPLICATIONANDCONTROLTECHNOLOGYOFPOWERDEVICES，ESPECIALLYINTHEAPPLICATIONOFTHETHREEPHASEHIGHPOWERCONVERTER，THINKINGOFTHATTHREEPHASEBUCKCONVEAERCAN’TBEREVERSIBLE，THISPAPERDISCUSSESAREVERSIBLERECTIFIERTHETOPOLOGYOFCIRCUITADOPTSASINGLESTEPSTRUCTUREANDHASTHEFUNCTIONOFADJUSTABLEPOWERFACTORANDADJUSTABLEOUTPUTDCVOLTAGEINTHEORY，THISPAPERANALYZESALLPOSSIBLESTATESOFCIRCUITONRECTIFYANDREVERSEUSINGSIXSTEPSPWMMODULMIONMETHODTHROUGHSIMULATIONUSINGSPICESOFTWARE，THEFEASIBILITYANDVALIDITYOFTHECIRCUITDESIGNANDCONTROLLOGICAREPROVEDANDTHEORYANALYSISISATSOVERIFIEDBYTHEEXPERIMENT’SRESULTSSECONDLY，ANAVERAGEMODELOFTHEPROPOSEDCONVERTERISESTABLISHEDINTHEROTATINGDQCOORDINATE，WHICHACHIEVESADECOUPLINGCONTROLALGORITHMBETWEENTHEINPUTPOWERFACTORANDTHEDCOUTPUTVOLTAGEINSYSTEMCONTROLSCHEME，THISPAPERAPPLIESTHECLASSICALPIREGULATORTOCONTROLTHEOUTPUTVOLTAGEINORDERTOIMPROVETHEDYNAMICPERFORMANCE，ADIFFERENTIALCOEFFICIENTOFOUTPUTVOLTAGEISADDEDTOTHEREGULATORBYSIMULATIONUSINGMATLABSOFTWARE，AGOODSTEADYANDDYNAMICPERFORMANCEISACHIEVEDFINALLY，AEXPERIMENTISCARRIEDOUTBASEDONABOVEANALYSISANDSIMULATIONADSPTMS320C25DEVELOPMENTBOARDISUSEDTOBETHECONTROLUNITANDNECESSARYPERIPHERALCIRCUITISDESIGNEDTOCOMPLETETHEEXPERIMENTTHERESULTISCONSISTENTWITHTHETHEORYANDILLUMINATESTHEVALIDITYOFTHECONTROLMETHODANDEXPERIMENTCIRCUITKEYWORDSREVERSIBLESIXSTEPSPWMCONVERTERINVERTERPOWERFACTORCORRECTION3PHASEACDCCONVERTER

簡介：點(diǎn)擊查看更多高容積率保障性住房規(guī)劃設(shè)計(jì)研究——以上海市保障性住房三林示范基地為例.pdf精彩內(nèi)容。

簡介：點(diǎn)擊查看更多高功率密度有源鉗位正激DC-DC變換器設(shè)計(jì)研究.pdf精彩內(nèi)容。

簡介：凸輪軸作為發(fā)動機(jī)配氣機(jī)構(gòu)的核心部件，是控制著整個進(jìn)氣和排氣系統(tǒng)的核心組件。凸輪軸的工作環(huán)境比較復(fù)雜，受到的載荷也經(jīng)常變化，因此需要有很高的加工的精度和表面質(zhì)量。高速高精凸輪軸磨床是凸輪軸的工作母機(jī)，它的結(jié)構(gòu)形式和特性將直接決定所生產(chǎn)凸輪軸的質(zhì)量。砂輪架是凸輪軸磨床關(guān)鍵的功能部件，起著凸輪軸磨削和徑向進(jìn)給的功能，它的動力學(xué)特性和結(jié)構(gòu)形式將直接影響凸輪軸磨削的加工精度和表面質(zhì)量。因此，研制開發(fā)數(shù)控凸輪軸磨床砂輪架，對其關(guān)鍵部件進(jìn)行動靜態(tài)分析及結(jié)構(gòu)優(yōu)化設(shè)計(jì)，提高凸輪軸磨床砂輪架的整體性能，可以為我國自主研發(fā)凸輪軸磨床提供一定借鑒。本文首先根據(jù)凸輪磨削工藝特點(diǎn)，建立了凸輪磨削加工的數(shù)學(xué)模型，計(jì)算了從動件為滾子挺桿下凸輪輪廓軌跡方程和砂輪中心點(diǎn)的運(yùn)動軌跡，得到了砂輪中心位移模型的通用公式，繼而對凸輪機(jī)構(gòu)進(jìn)行分析與動態(tài)仿真，直觀的看到凸輪運(yùn)動過程中從動件的運(yùn)動規(guī)律。隨后分析了單個磨粒磨削的磨削過程，建立磨削力模型，在此基礎(chǔ)上完成了單個磨粒外圓磨削仿真，分析了單個磨粒外圓磨削的磨削過程，以及砂輪線速度和磨削深度對磨削力的影響。然后本文針對凸輪軸磨削的特殊要求，對砂輪架的幾個關(guān)鍵功能部件進(jìn)行了結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，采用了陶瓷結(jié)合劑CBN砂輪、液體動靜壓電主軸、直線電機(jī)和靜壓導(dǎo)軌、在線砂輪修整技術(shù)和在線動平衡技術(shù)等，完成了對凸輪軸磨床砂輪架進(jìn)行了總體結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。最后本文使用ANSYS有限元分析軟件，對凸輪軸磨床砂輪架主軸和箱體進(jìn)行了靜力學(xué)和動力學(xué)分析，完成了砂輪架關(guān)鍵部件強(qiáng)度校核，分析了主軸和箱體的固有頻率和主要振型，理論上驗(yàn)證了設(shè)計(jì)的合理性，有效的避開了共振區(qū)，然后對箱體進(jìn)行了結(jié)構(gòu)優(yōu)化設(shè)計(jì)，提高砂輪架剛性，降低振動對加工質(zhì)量的影響。

簡介：發(fā)光二極管（LED）具有高效率、低能耗、長壽命、無污染、高可靠性等諸多優(yōu)點(diǎn)而備受關(guān)注。作為白光LED基礎(chǔ)的大功率藍(lán)光GANLED，更是成為研究的熱點(diǎn)。GANLED光電器件的研究涉及材料、光學(xué)、電學(xué)、半導(dǎo)體物理等諸多學(xué)科，較為復(fù)雜，使得制作高效率的LED芯片仍然面臨著諸多困難。雖然GANLED的研究取得了重要的進(jìn)步，但是其光效依然很低。GANLED芯片的效率由輻射復(fù)合效率，電流注入效率和取光效率組成，主要涉及LED芯片外延和芯片的結(jié)構(gòu)參數(shù)與制造工藝。本文以制作高效率大功率GANLED為目的，通過建立LED電、熱、光模型，分析優(yōu)化LED外延結(jié)構(gòu)以提高輻射復(fù)合效率和電流注入效率；優(yōu)化LED電流擴(kuò)展，降低正向電壓，以提高電流注入效率；優(yōu)化光學(xué)微結(jié)構(gòu)以提高取光效率，制作了350MA下，藍(lán)光輸出功率達(dá)到4857MW的大功率GANLED。本文首先建立了GANLED芯片的三維電熱耦合模型，其外延結(jié)構(gòu)基于載流子擴(kuò)散漂移理論，通過求解自洽泊松方程和載流子連續(xù)性方程等，計(jì)算載流子在LED芯片中的產(chǎn)生，遷移和復(fù)合。該模型是第二章和第三章的的基礎(chǔ)。通過該模型，從能帶結(jié)構(gòu)、輻射復(fù)合速率、載流子分布和空穴電子電流等方面詳細(xì)地分析了俄歇復(fù)合、極化效應(yīng)、載流子泄露和溫度等對其內(nèi)量子效率以及光電性能等參數(shù)的影響，以及對GANLED芯片中的效率下降（EFFICIENCYDROOP）的影響。為提高GANLED的量子效率并抑制其效率下降，提出了一種漸變壘層和阱層厚度的結(jié)構(gòu)。其次，為實(shí)現(xiàn)LED電流均勻擴(kuò)展，提高電流注入效率，降低LED驅(qū)動電壓，對LED芯片的電學(xué)性能進(jìn)行了分析。基于第二章所建立的三維電熱耦合模型，系統(tǒng)地分析了NGAN和銦錫氧化物（ITO）的方塊電阻、溫度、量子阱和電極結(jié)構(gòu)等對LED電流擴(kuò)展的影響。ITO與NGAN具有相等的方塊電阻時，GANLED有較均勻的電流擴(kuò)展。但是電流仍在焊盤處聚集，并隨著注入電流和溫度的增加而惡化。模擬結(jié)果在電極材料特性與電極圖案方面，為設(shè)計(jì)具有良好地電流擴(kuò)展的LED芯片提供指導(dǎo)。第三，通過建立LED芯片的光學(xué)模型，采用蒙特卡洛光線追跡法系統(tǒng)的分析了LED芯片的結(jié)構(gòu)參數(shù)和材料屬性對其取光效率的影響。為提高取光效率，一方面，需要制作光學(xué)微結(jié)構(gòu)，打破光線在LED芯片內(nèi)傳播的內(nèi)反射，提高光子逸出LED的概率；另一方面，需要減少LED材料與界面對光的吸收，包括半導(dǎo)體材料和金屬電極材料。前者可以通過制作表面粗化結(jié)構(gòu)、圖形化藍(lán)寶石襯底等技術(shù)實(shí)現(xiàn)，而且密集的微結(jié)構(gòu)更有利于提高取光效率。為減少金屬電極對光的吸收，協(xié)同考慮對芯片藍(lán)光和封裝后白光的要求，優(yōu)化布拉格反射層（DBR）以減少對光的吸收。第四，基于對LED的模擬優(yōu)化，制作了高效率大功率GANLED芯片。通過漸變的量子阱層和壘層相結(jié)合的LED外延結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)較高的內(nèi)量子效率，抑制效率下降；通過建立基于蒙特卡洛光線追跡方法的電光耦合模型，分析了反射型電流阻擋層對電流擁擠所導(dǎo)致的取光效率下降的現(xiàn)象；通過圖形化藍(lán)寶石襯底和圖形化ITO結(jié)構(gòu)來提高LED的取光效率，采用DBR減少對光的吸收。并綜合分析了DBR結(jié)構(gòu)對GANLED藍(lán)光，封裝后的白光，以及對結(jié)溫的影響。