簡(jiǎn)介：近些年來(lái)，隨著光纖激光器技術(shù)和光纖放大器的發(fā)展，越來(lái)越多的領(lǐng)域采用高功率的光纖激光器和光纖放大器來(lái)替代傳統(tǒng)的激光器和放大器。在光纖放大器不斷占領(lǐng)新的市場(chǎng)的同時(shí)，人們也在不斷的改善其性能。主級(jí)振蕩功率放大器MOPA可以將功率較小的種子激光經(jīng)過(guò)一級(jí)或者多級(jí)放大后獲得高功率輸出。由于種子激光器的功率較小，容易獲得性能較好的激光輸出。通過(guò)使用MOPA結(jié)構(gòu)的光纖放大器，可以在獲得高功率激光輸出的同時(shí)，不改變種子激光的優(yōu)良特性。這種光纖放大器的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)方式具有廣闊的應(yīng)用前景是光纖放大器領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。本文針對(duì)MOPA結(jié)構(gòu)的光纖放大器的設(shè)計(jì)和優(yōu)化展開(kāi)研究和仿真分析，主要完成工作如下1分析稀土摻雜光纖放大器的工作原理，從速率方程出發(fā)，推導(dǎo)和建立了各類稀土摻雜光纖放大器的的數(shù)值分析模型。2通過(guò)對(duì)放大器的速率方程的求解和分析，研究影響光纖放大器性能的各種因素，如泵浦功率，光纖長(zhǎng)度，摻雜稀土以及摻雜濃度等。3通過(guò)遺傳優(yōu)化算法來(lái)尋找MOPA光纖放大器的最優(yōu)化，為了改善輸出性能，采用遺傳優(yōu)化算法來(lái)同時(shí)優(yōu)化多級(jí)放大器的泵浦功率，光纖長(zhǎng)度等多參量，尋找這些合適的參量值。本論文的仿真優(yōu)化結(jié)果通過(guò)優(yōu)化MOPA光纖放大器的兩級(jí)放大中的泵浦功率，光纖長(zhǎng)度，摻雜濃度等參量得到了在一定條件下的最佳輸出功率，具備一定的實(shí)用價(jià)值，同時(shí)研究結(jié)果對(duì)優(yōu)化多級(jí)MOPA光纖放大器有較大的參考價(jià)值，為光纖放大器的設(shè)計(jì)提供了一定的理論指導(dǎo)。

簡(jiǎn)介：隨著電子器件不斷向小型化、輕量化和高性能方向發(fā)展，單位體積的發(fā)熱量也越來(lái)越大，隨之而來(lái)的溫度升高以及封裝材料與芯片之間熱應(yīng)力的增大將嚴(yán)重影響器件的性能、可靠性和使用壽命。電子器件的散熱問(wèn)題已成為制約高功率器件發(fā)展與應(yīng)用的瓶頸。為了有效地散熱，這就要求熱管理材料應(yīng)具有盡可能高的熱導(dǎo)率，同時(shí)應(yīng)具有與半導(dǎo)體材料相匹配的熱膨脹系數(shù)CTE，以避免因CTE差異引起的熱應(yīng)力導(dǎo)致器件失效。傳統(tǒng)的熱管理材料由于熱導(dǎo)率不足以及不能同時(shí)滿足上述性能要求，已經(jīng)不能滿足高功率器件的散熱要求。鋁基復(fù)合材料以其較高的熱導(dǎo)率和可設(shè)計(jì)的CTE，以及較低的密度、優(yōu)良的可加工性，為設(shè)計(jì)高性能熱管理材料提供了可能。然而以下問(wèn)題制約了其發(fā)展難以同時(shí)實(shí)現(xiàn)高導(dǎo)熱與低膨脹，而且還需兼顧可加工性、力學(xué)性能、低密度和低成本的要求。本論文以提高鋁基復(fù)合材料的導(dǎo)熱性能和調(diào)控CTE為重點(diǎn)，通過(guò)優(yōu)化材料的復(fù)合構(gòu)型以及調(diào)控界面結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)復(fù)合材料的高導(dǎo)熱與低膨脹性能，同時(shí)兼顧可加工性與力學(xué)性能等方面的要求，最終獲得高導(dǎo)熱、低膨脹石墨鋁復(fù)合材料。論文首先在理論上分析實(shí)現(xiàn)復(fù)合材料高導(dǎo)熱性能的必要條件，基于有效介質(zhì)理論推導(dǎo)預(yù)測(cè)復(fù)合材料導(dǎo)熱性能的理論模型，建立復(fù)合材料導(dǎo)熱性能與顯微結(jié)構(gòu)要素包括復(fù)合構(gòu)型和界面結(jié)構(gòu)之間的定量關(guān)系，從而為石墨鋁復(fù)合材料的設(shè)計(jì)提供理論指導(dǎo)。然后，對(duì)石墨鋁復(fù)合材料的顯微結(jié)構(gòu)進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)，制備了具有面內(nèi)隨機(jī)分布的短切纖維、定向石墨片陣列以及互穿結(jié)構(gòu)等不同復(fù)合構(gòu)型的復(fù)合材料，并與常規(guī)的彌散分布的石墨顆粒鋁復(fù)合材料進(jìn)行對(duì)比。通過(guò)比較不同復(fù)合構(gòu)型的熱增強(qiáng)能力，確定最優(yōu)的復(fù)合構(gòu)型；與此同時(shí)，通過(guò)抑制有害界面反應(yīng)實(shí)現(xiàn)了低熱阻的界面結(jié)構(gòu)，從而實(shí)現(xiàn)復(fù)合材料的高導(dǎo)熱性能。在此基礎(chǔ)上，對(duì)石墨填料、基體材料和界面結(jié)構(gòu)進(jìn)行優(yōu)化，進(jìn)一步提高石墨鋁復(fù)合材料的導(dǎo)熱性能。最后，對(duì)復(fù)合材料的熱膨脹性能和力學(xué)性能展開(kāi)研究。最終獲得了高導(dǎo)熱、低膨脹的石墨鋁復(fù)合材料。不同復(fù)合構(gòu)型的熱增強(qiáng)能力研究表明，定向石墨片陣列結(jié)構(gòu)具有最高的熱增強(qiáng)能力。本文基于有效介質(zhì)理論推導(dǎo)了相應(yīng)的預(yù)測(cè)復(fù)合材料熱導(dǎo)率的理論模型，實(shí)驗(yàn)值與預(yù)測(cè)值一致，證明了預(yù)測(cè)模型的有效性。本文研究了石墨片尺寸對(duì)定向石墨片陣列結(jié)構(gòu)復(fù)合材料導(dǎo)熱性能的影響規(guī)律，結(jié)果表明復(fù)合材料的熱導(dǎo)率隨石墨片直徑的增加而增加，但當(dāng)直徑增加到一定程度時(shí)復(fù)合材料熱導(dǎo)率的增加趨于平緩；復(fù)合材料的熱導(dǎo)率隨石墨片縱橫比倒數(shù)的增加而增加。定向石墨片陣列在不同基體中的熱增強(qiáng)行為存在明顯的差異，本文推導(dǎo)的理論模型很好地解釋了該現(xiàn)象。這主要?dú)w因于有效相襯定義為填料的有效熱導(dǎo)率與基體的熱導(dǎo)率之比的影響。隨著有效相襯的增加，定向石墨片陣列的熱增強(qiáng)行為從線性逐漸過(guò)渡到非線性。界面的表征結(jié)果顯示在石墨片與鋁基體之間存在非晶界面層。在石墨片的側(cè)面，界面層為反應(yīng)性ALSIOC非晶層，厚度約4050NM。在石墨片端面的界面層內(nèi)未發(fā)現(xiàn)反應(yīng)產(chǎn)物，快速傅里葉變換的結(jié)果表明該界面層為非晶碳層，其厚度約58NM。復(fù)合材料熱導(dǎo)率的實(shí)驗(yàn)值與零厚度界面對(duì)應(yīng)的理論熱導(dǎo)率即只考慮KAPITZA熱阻非常接近，這表明納米尺度的非晶碳層并不會(huì)對(duì)界面熱傳導(dǎo)產(chǎn)生明顯的不良影響。通過(guò)逆運(yùn)算求解得到含非晶界面層的界面熱導(dǎo)率為13107WM2K，這與零厚度界面對(duì)應(yīng)的界面熱導(dǎo)率45107WM2K在一個(gè)數(shù)量級(jí)。研究還發(fā)現(xiàn)熱處理能顯著降低復(fù)合材料的熱導(dǎo)率，這主要?dú)w因于氧原子在界面處富集增加了對(duì)聲子的散射作用，以及形成有害界面反應(yīng)產(chǎn)物降低了界面熱導(dǎo)率。在石墨片與鋁基體之間構(gòu)造適合的中間層并將中間層的厚度控制在臨界厚度以下可以實(shí)現(xiàn)更高的界面熱導(dǎo)率。理論計(jì)算表明高導(dǎo)熱的金剛石、銀和銅不適合作為石墨鋁界面的中間層，硅是最適合的材料。石墨片硅鋁復(fù)合材料的熱膨脹行為研究表明，隨著石墨片的體積分?jǐn)?shù)從137％增加到711，復(fù)合材料XY方向上的熱膨脹系數(shù)從114PPMK降低到77PPMK，這與KERNER模型的預(yù)測(cè)結(jié)果一致。但在Z方向上復(fù)合材料存在反常熱膨脹行為Z方向上的熱膨脹系數(shù)反而比XY方向上的熱膨脹系數(shù)更低，且隨著石墨片體積分?jǐn)?shù)的增加而降低。通過(guò)優(yōu)化復(fù)合構(gòu)型和調(diào)控界面結(jié)構(gòu)，最終獲得了高導(dǎo)熱、低膨脹的石墨片硅鋁復(fù)合材料，其性能指標(biāo)達(dá)到XY方向上的熱導(dǎo)率達(dá)到526WMK，比基體提高了400；熱膨脹系數(shù)為77PPMK，與半導(dǎo)體材料的熱膨脹系數(shù)相匹配；密度為232GCM3；力學(xué)性能滿足半導(dǎo)體行業(yè)散熱組件的使用要求。采用金剛石取代硅顆粒，復(fù)合材料的熱導(dǎo)率達(dá)到630WMK。

簡(jiǎn)介：LED被廣泛應(yīng)用在照明領(lǐng)域，而性能優(yōu)異的LED驅(qū)動(dòng)器是制造出優(yōu)秀LED燈具的前提。隨著生活水平及科技水平的提升，LED僅僅發(fā)光、發(fā)亮將不能滿足人們的需求，智能控制技術(shù)集節(jié)能、調(diào)光、營(yíng)造特殊照明效果等優(yōu)點(diǎn)于一身，將逐步替代傳統(tǒng)照明控制技術(shù)，為了順應(yīng)時(shí)代發(fā)展，本文設(shè)計(jì)了一款高功率因數(shù)智能控制LED驅(qū)動(dòng)器，提出兩種控制方案基于ROID平臺(tái)的WIFI控制方案和基于RF的無(wú)線遙控控制方案。該智能控制LED驅(qū)動(dòng)器由三個(gè)模塊組成ACDC變換器模塊、DCDC變換器模塊及智能控制模塊。ACDC變換器結(jié)合臨界導(dǎo)電模式BCM升壓BOOST雙級(jí)有源功率因數(shù)校正APFC技術(shù)及準(zhǔn)諧振QR電流模式反激變換技術(shù)，實(shí)現(xiàn)高PF及高效的目的，并為DCDC變換器提供穩(wěn)定的直流電壓，文中闡述了兩種技術(shù)的工作原理，并對(duì)其外圍電路元器件進(jìn)行詳細(xì)的設(shè)計(jì)。DCDC變換器采用穩(wěn)壓芯片輸出穩(wěn)定5V電壓，為智能控制模塊部分電路供電，且用調(diào)光芯片與微處理器輸出的PWM調(diào)光信號(hào)相結(jié)合實(shí)現(xiàn)調(diào)光功能。智能控制模塊采用微處理器STM32F103作為系統(tǒng)核心，輸出PWM調(diào)光信號(hào)，根據(jù)程序及PID控制算法實(shí)現(xiàn)溫控及LCD顯示功能，此外，智能控制模塊采用兩種控制方案，一種是遙控器通過(guò)RF無(wú)線通信技術(shù)實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)定時(shí)及調(diào)光功能，文中說(shuō)明了該控制系統(tǒng)的設(shè)計(jì)思路，并詳細(xì)介紹了實(shí)現(xiàn)各功能的流程圖另一種是ROID手機(jī)利用WIFI無(wú)線通信技術(shù)對(duì)LED驅(qū)動(dòng)器進(jìn)行智能控制，文中詳細(xì)介紹了WIFI模塊的選取過(guò)程，對(duì)ROID客戶端人機(jī)交互界面進(jìn)行設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)，并深入研究了ROID平臺(tái)下客戶端和服務(wù)器端SOCKET通信機(jī)制。最后進(jìn)行測(cè)試，先對(duì)各模塊進(jìn)行調(diào)試并分析測(cè)量結(jié)果，再組裝成樣機(jī)調(diào)試，最終測(cè)得額定輸出電壓為30V、額定輸出電流為1A、效率大于086、PF大于097，待機(jī)損耗小于03W，輸出電壓紋波系數(shù)小于1％，總諧波失真THD等于51％，實(shí)現(xiàn)了溫控、定時(shí)開(kāi)關(guān)機(jī)、可調(diào)光及LCD顯示功能，樣機(jī)測(cè)試結(jié)果表明，各項(xiàng)性能均達(dá)設(shè)計(jì)指標(biāo)，輸出穩(wěn)定，調(diào)光不閃爍，性能良好。

簡(jiǎn)介：網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)擁有桿系及殼體結(jié)構(gòu)的特性，受力均勻、剛度較大，有自重輕、鋼材用量少、施工簡(jiǎn)單快速等優(yōu)點(diǎn)。網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)造型新穎，具有藝術(shù)表現(xiàn)力。大矢高叉筒網(wǎng)殼與常規(guī)網(wǎng)殼相比更具活力和造型特點(diǎn)，其優(yōu)美的造型可表現(xiàn)出意大利文藝復(fù)興建筑風(fēng)格。根據(jù)桿件連接方式的差別，單層脊線式叉筒網(wǎng)殼可分為三向網(wǎng)格型、弗布爾型、聯(lián)方型、單斜桿型、雙斜桿型。本文主要工作有1、據(jù)脊線式叉筒網(wǎng)殼空間幾何特點(diǎn)及其脊線的幾何方程，參照折板網(wǎng)殼建模方法及五種典型柱面網(wǎng)殼的網(wǎng)格劃分方式，采用APDL（ANSYSPARAMETRICDESIGNLANGUAGE）參數(shù)化設(shè)計(jì)語(yǔ)言研制了三向網(wǎng)格、聯(lián)方、弗布爾、單斜桿、雙斜桿五種單層脊線式叉筒網(wǎng)殼參數(shù)化設(shè)計(jì)方法和宏程序選取特定圓弧作為脊線式叉筒網(wǎng)殼對(duì)稱扇面的中軸線，克服了傳統(tǒng)脊線式叉筒網(wǎng)殼矢高較小的問(wèn)題對(duì)該類結(jié)構(gòu)施加靜力載荷，通過(guò)分析比較不同矢高、跨度、環(huán)向區(qū)域份數(shù)、徑向節(jié)點(diǎn)圈數(shù)及邊界約束方式的位移云圖和應(yīng)力云圖，歸納出上述因素對(duì)五種脊線式叉筒網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)靜力性能的影響規(guī)律及敏感度，為單層脊線式叉筒網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)提供依據(jù)。2、據(jù)脊線式叉筒網(wǎng)殼空間幾何特點(diǎn)和空間柱面解析幾何方程，推導(dǎo)五種類型單層脊線式叉筒網(wǎng)殼的桿件微觀幾何參數(shù)（桿件長(zhǎng)度、桿件之間夾角等）與結(jié)構(gòu)宏觀幾何參數(shù)跨度S、矢高F，環(huán)向?qū)ΨQ區(qū)域份數(shù)KN、徑向節(jié)點(diǎn)圈數(shù)NX之間的關(guān)系式并通過(guò)聯(lián)立方程式得到結(jié)構(gòu)矢高F與跨度S及環(huán)向?qū)ΨQ區(qū)域份數(shù)KN、徑向節(jié)點(diǎn)圈數(shù)NX的函數(shù)關(guān)系式，由該式可得出結(jié)構(gòu)的最佳矢高，從而減少材料浪費(fèi)，降低工程造價(jià)。3、以結(jié)構(gòu)總重量為目標(biāo)函數(shù)，采用分層（級(jí)）形狀優(yōu)化設(shè)計(jì)方法利用FTRAN語(yǔ)言和ANSYS軟件對(duì)三向網(wǎng)格型、單斜桿型、弗布爾型和雙斜桿型網(wǎng)殼進(jìn)行形狀優(yōu)化設(shè)計(jì)。通過(guò)分析環(huán)向區(qū)域分?jǐn)?shù)KN、徑向節(jié)點(diǎn)圈數(shù)NX和網(wǎng)格的劃分形式的變化對(duì)結(jié)構(gòu)最優(yōu)耗鋼量的影響規(guī)律，得出該種網(wǎng)殼主要設(shè)計(jì)參數(shù)的最佳組合規(guī)律，為實(shí)際工程中該類網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)提供參考依據(jù)。4、在所研究的五種脊線式叉筒網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)中，選取靜力性能及經(jīng)濟(jì)效益較優(yōu)的三向網(wǎng)格型和弗布爾型叉筒網(wǎng)殼進(jìn)行自振分析和地震響應(yīng)分析。給出三向網(wǎng)格型和弗布爾型兩種結(jié)構(gòu)的振型和頻率對(duì)結(jié)構(gòu)施加ELCENTRO三維地震波，采用時(shí)程分析法分析結(jié)構(gòu)在地震作用下的振動(dòng)特性，導(dǎo)出節(jié)點(diǎn)位移時(shí)程曲線及震后位移云圖通過(guò)計(jì)算并分析跨度、矢高、環(huán)向份數(shù)、徑向圈數(shù)等參數(shù)變化對(duì)結(jié)構(gòu)震后位移的影響，得出兩種類型脊線式叉筒網(wǎng)殼的地震響應(yīng)規(guī)律，分析何種參數(shù)對(duì)該網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)的抗震性能影響較為敏感，為實(shí)際工程中該類網(wǎng)殼抗震設(shè)計(jì)提供了理論參考。

簡(jiǎn)介：本文以云駕嶺煤礦12305工作面運(yùn)輸平巷為背景，運(yùn)用數(shù)值模擬、工程監(jiān)測(cè)等方法，研究了高水巷旁充填沿空留巷技術(shù)的應(yīng)用。論文采用理論分析、數(shù)值模擬和工程實(shí)測(cè)的方式，對(duì)比分析不同沿空巷道圍巖及充填體應(yīng)力應(yīng)變發(fā)展規(guī)律，對(duì)沿空留巷以及巷旁充填體在不同采掘階段的受力變化及變形特點(diǎn)進(jìn)行分析，得出沿空留巷高水巷旁充填體位置較為合理的方式及充填體受力特點(diǎn)等規(guī)律性的認(rèn)識(shí)。通過(guò)實(shí)驗(yàn)室實(shí)驗(yàn)，研究了水灰比為18情況下高水材料的初凝時(shí)間、強(qiáng)度隨養(yǎng)護(hù)時(shí)間變化的特點(diǎn)及其破壞特征等特性，實(shí)驗(yàn)結(jié)論可以為高水材料巷旁充填體尺寸參數(shù)的選取、下區(qū)段巷道支護(hù)設(shè)計(jì)等提供參考。最后通過(guò)現(xiàn)場(chǎng)實(shí)測(cè)，對(duì)高水巷旁充填體在工作面回采期間的受力進(jìn)行實(shí)測(cè)分析，驗(yàn)證了充填體尺寸參數(shù)、巷旁充填體材料配比選擇的合理性，結(jié)論為下區(qū)段工作面回采、巷道支護(hù)及沿空留巷提供理論依據(jù)。本文研究表明，可將巷道受工作面回采影響分為一次采動(dòng)前影響區(qū)（測(cè)站距工作面60米～10米）、一次采動(dòng)影響劇烈區(qū)（測(cè)站距工作面10米～10米），一次采動(dòng)后影響區(qū)（測(cè)站在工作面10米～55米處）、留巷穩(wěn)定區(qū)（55米以遠(yuǎn)）。

簡(jiǎn)介：隨著便攜式電子設(shè)備的盛行和普及，集成電路片上系統(tǒng)（SYSTEMONCHIP，簡(jiǎn)寫為SOC）也日益發(fā)展，因此就要求更多的功能芯片能夠完全在片上集成，電源管理芯片當(dāng)然也不例外。作為電源管理芯片的必要組成模塊，傳統(tǒng)的低壓差線性穩(wěn)壓器（LOWOUTREGULAT，簡(jiǎn)寫為L(zhǎng)DO）需要在輸出端掛接片外大電容，目的是保證系統(tǒng)穩(wěn)定性，因此無(wú)片外電容LDO就面臨穩(wěn)定性的挑戰(zhàn)，主要包括頻率響應(yīng)和瞬態(tài)響應(yīng)。秉承節(jié)約能源的基本發(fā)展原則，同時(shí)為了提高電池的使用壽命和電子設(shè)備的待機(jī)時(shí)間，LDO的功耗需要降低，因此低功耗高穩(wěn)定性無(wú)片外電容LDO成為發(fā)展趨勢(shì)。傳統(tǒng)的無(wú)片外電容LDO采用電阻網(wǎng)絡(luò)的方式進(jìn)行反饋，這種結(jié)構(gòu)對(duì)誤差放大器的要求較高，且需要較大面積的電阻。本文采納了一種新型反饋形式即翻轉(zhuǎn)電壓跟隨器結(jié)構(gòu)（FLIPPEDVOLTAGEFOLLWER，簡(jiǎn)寫為FVF），其本質(zhì)是由單個(gè)晶體管進(jìn)行反饋。這樣的LDO不僅結(jié)構(gòu)更簡(jiǎn)單，還可以降低放大器的設(shè)計(jì)難度。本文對(duì)基本的基于FVF的LDO結(jié)構(gòu)進(jìn)行改進(jìn)，包括以下方面首先通過(guò)采用增加一級(jí)放大器的方式提高環(huán)路增益，從而提高其調(diào)整性能，其次采用密勒補(bǔ)償方法進(jìn)行頻率補(bǔ)償，最后采用動(dòng)態(tài)偏置電路提高瞬態(tài)特性。最終設(shè)計(jì)出了一款低功耗高穩(wěn)定性無(wú)片外電容型CMOSLDO，可用于SOC系統(tǒng)中數(shù)字模塊的供電電源。該設(shè)計(jì)基于40NMCMOS工藝，完成了電路仿真和版圖設(shè)計(jì)，結(jié)果如下輸入電壓范圍為15V到33V，正常輸入電壓為18V，輸出電壓為12V，負(fù)載電流范圍為1MA到50MA，最小壓差為293MV；負(fù)載調(diào)整率僅為0173PPM，線性調(diào)整率為0134％，低頻下PSRR為604DB，瞬態(tài)響應(yīng)的過(guò)沖電壓為9124MV，響應(yīng)時(shí)間最長(zhǎng)為437ΜS；LDO核心電路功耗僅為16ΜA，反饋環(huán)路的相位裕度在所有負(fù)載電流范圍下最低為80°，所用電容約為40PF，可在片上完全集成；所用的版圖面積為384ΜM314ΜM。綜上所述，該設(shè)計(jì)具有低功耗高穩(wěn)定性無(wú)片外電容的特點(diǎn)，同時(shí)也滿足應(yīng)用要求。

簡(jiǎn)介：點(diǎn)擊查看更多高烈度區(qū)多層重載鋼結(jié)構(gòu)廠房?jī)?yōu)化設(shè)計(jì)研究.pdf精彩內(nèi)容。

簡(jiǎn)介：?jiǎn)坞姼卸噍敵鲩_(kāi)關(guān)電源變換器由于需要較少的片外電感，大大減少了電路體積和成本，近幾年來(lái)一直是電源管理領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。如今，片上系統(tǒng)SYSTEMONCHIPSOC集成了很多功能模塊，每個(gè)模塊都需要單獨(dú)的電源供電，使用單電感多輸出開(kāi)關(guān)電源變換器為SOC各模塊供電已逐漸成為發(fā)展趨勢(shì)。但是單電感多輸出開(kāi)關(guān)電源變換器還存在輸出負(fù)載范圍較窄和輕載時(shí)能量轉(zhuǎn)換效率低等問(wèn)題。因此，研究寬負(fù)載范圍高輕載效率的單電感多輸出開(kāi)關(guān)電源變換器具有重要的理論意義和實(shí)用價(jià)值。本論文設(shè)計(jì)了一種新型的自適應(yīng)PWMPSM切換模式單電感四輸出SINGLEINDUCTQUADRUPLEOUTPUT，SIQO降壓型開(kāi)關(guān)電源變換器，能夠?qū)崿F(xiàn)四路寬負(fù)載范圍的輸出，并且在全負(fù)載范圍內(nèi)變換器都能保持較高的能量轉(zhuǎn)換效率。論文分析研究了變換器的各種損耗來(lái)源，其中主要包括開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗，并深入研究了各種損耗隨負(fù)載電流的變化關(guān)系，得出了PWMPSM模式切換的最佳負(fù)載切換點(diǎn)。根據(jù)四路負(fù)載電流的不同，變換器的負(fù)載被分為三種負(fù)載情況全輕載、全重載以及輕重混合負(fù)載，研究并確定了在不同的負(fù)載情況下變換器的控制模式，從而保證變換器在各種負(fù)載情況下均能保持較高的能量轉(zhuǎn)換效率。為了實(shí)現(xiàn)自適應(yīng)模式切換方式，本文還設(shè)計(jì)了一種用于負(fù)載檢測(cè)的電感電流過(guò)零檢測(cè)電路和次級(jí)占空比檢測(cè)電路，同時(shí)設(shè)計(jì)了用于自動(dòng)調(diào)整變換器工作模式的模式切換控制電路等。本論文設(shè)計(jì)的自適應(yīng)PWMPSM模式切換SIQO變換器在T035ΜMCMOS工藝下完成了電路和版圖設(shè)計(jì)。后仿真結(jié)果表明SIQO變換器能夠?qū)崿F(xiàn)四路0～250MA的寬負(fù)載范圍輸出，重載下的峰值效率達(dá)到91％，在輕載下轉(zhuǎn)換器效率都在85％以上。在PWM模式下，變換器四路輸出電壓的紋波都小于10MV，PWMPSM模式切換下四路紋波小于30MV，基本達(dá)到設(shè)計(jì)指標(biāo)的要求。

簡(jiǎn)介：點(diǎn)擊查看更多高雙折射光子晶體光纖的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與數(shù)值模擬.pdf精彩內(nèi)容。

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簡(jiǎn)介：互聯(lián)網(wǎng)正在以人們始料未及的廣度和跨度，加速驅(qū)動(dòng)著社會(huì)經(jīng)濟(jì)的進(jìn)步與轉(zhuǎn)型，逐步成了中國(guó)經(jīng)濟(jì)轉(zhuǎn)型的新的源源不斷的動(dòng)力。而人們的生產(chǎn)、生活方式，也隨著物聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算、大數(shù)據(jù)的各自發(fā)展與交叉融合，發(fā)生著某些積極的改變。隨著“REMED2015重構(gòu)醫(yī)療生態(tài)”高峰論壇在北京的成功召開(kāi)，預(yù)示著移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)不再被醫(yī)院拒之高墻，相反，其正以勢(shì)不可擋的架勢(shì)滲透進(jìn)著醫(yī)療的各個(gè)領(lǐng)域，創(chuàng)造了新的挑戰(zhàn)和機(jī)會(huì)。本文就上述發(fā)展趨勢(shì)，選擇智慧健康平臺(tái)為研究對(duì)象，著手于該平臺(tái)的技術(shù)選型、系統(tǒng)設(shè)計(jì)、系統(tǒng)優(yōu)化。首先對(duì)該系統(tǒng)平臺(tái)所能使用的技術(shù)進(jìn)行了羅列，并對(duì)他們的優(yōu)劣勢(shì)進(jìn)行了比對(duì)，進(jìn)而選擇出一整套以JAVA編程語(yǔ)言和SSM框架為核心的技術(shù)體系；其次對(duì)本系統(tǒng)中的健康數(shù)據(jù)，健康資訊，網(wǎng)上醫(yī)院等主要功能模塊進(jìn)行了需求分析，概要設(shè)計(jì)，詳細(xì)設(shè)計(jì)與系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)，其中通過(guò)UML建模工具以系統(tǒng)用例圖的方式展示了系統(tǒng)的概要設(shè)計(jì)，通過(guò)系統(tǒng)時(shí)序圖與POWERDESIGNER數(shù)據(jù)庫(kù)設(shè)計(jì)工具進(jìn)行了系統(tǒng)業(yè)務(wù)邏輯設(shè)計(jì)與數(shù)據(jù)庫(kù)設(shè)計(jì)；最后，考慮到本系統(tǒng)為一個(gè)互聯(lián)網(wǎng)項(xiàng)目，會(huì)涉及到一定程度上的高并發(fā)訪問(wèn)，于是在完成了核心功能的基礎(chǔ)上，對(duì)本系統(tǒng)進(jìn)行了優(yōu)化和部分功能的再設(shè)計(jì)，其中包括REDIS集群等技術(shù)進(jìn)行的數(shù)據(jù)庫(kù)優(yōu)化，MEMCACHED緩存等技術(shù)進(jìn)行的業(yè)務(wù)邏輯層優(yōu)化，以頁(yè)面壓縮等技術(shù)進(jìn)行的頁(yè)面優(yōu)化和NGINX等技術(shù)進(jìn)行的服務(wù)器優(yōu)化，以求實(shí)現(xiàn)在高并發(fā)訪問(wèn)環(huán)境下正常運(yùn)行的目的。由于互聯(lián)網(wǎng)的飛速發(fā)展與我國(guó)醫(yī)療現(xiàn)狀的嚴(yán)峻形勢(shì)，用互聯(lián)網(wǎng)思維來(lái)解決我國(guó)現(xiàn)實(shí)中的醫(yī)療問(wèn)題便是本課題產(chǎn)生的初衷所在。

簡(jiǎn)介：發(fā)射信號(hào)泄漏對(duì)接收機(jī)系統(tǒng)的影響是約束單天線連續(xù)波雷達(dá)系統(tǒng)發(fā)展的關(guān)鍵因素因此必須解決收發(fā)之間的隔離問(wèn)題。由于TR組件在雷達(dá)應(yīng)用中的廣泛性具有雙工作用的環(huán)行器組件成為其中不可缺少的單元。就其在連續(xù)波雷達(dá)應(yīng)用中的發(fā)展前景而言器件除了要不斷滿足平面化、小型化外還要求性能上的高隔離、寬頻帶等特性因此開(kāi)展環(huán)行器的高隔離特性研究具有重要意義。在本文中結(jié)合實(shí)際需要首先對(duì)高隔離環(huán)行器的技術(shù)指標(biāo)進(jìn)行了調(diào)研和分析結(jié)合目前的環(huán)行器設(shè)計(jì)情況本文中采用了幅度和相位對(duì)消技術(shù)來(lái)達(dá)到環(huán)行器的高隔離指標(biāo)。在此基礎(chǔ)上根據(jù)是否采用鐵氧體材料來(lái)制作環(huán)行器采用了基片集成波導(dǎo)和微帶傳輸線兩種技術(shù)方案并對(duì)兩種方案的基本結(jié)構(gòu)進(jìn)行了分析具體闡述了高隔離鐵氧體環(huán)行器方案中環(huán)行器和耦合器的相關(guān)理論、所用的重要磁性材料鐵氧體的基本特性以及混合環(huán)行器方案中的功率分配器理論并對(duì)這兩種方案進(jìn)行了電磁仿真分析和加工測(cè)試。在高隔離鐵氧體環(huán)行器方案的設(shè)計(jì)中首先利用微帶傳輸線設(shè)計(jì)了雙Y結(jié)環(huán)行器與單Y結(jié)環(huán)行器相比其具有隔離度高、面積縮小了34％等優(yōu)點(diǎn)然后利用基片集成波導(dǎo)技術(shù)設(shè)計(jì)了SIW環(huán)行器設(shè)計(jì)中采用金屬感性窗特性和嵌入式的SIW到微帶線過(guò)渡轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)不僅使所有的金屬孔為通孔降低了加工難度而且采用的過(guò)渡方式與常規(guī)的線性漸變過(guò)渡方式相比具有在相同的工作帶寬和隔離特性的情況下面積縮小了41％的優(yōu)點(diǎn)此外設(shè)計(jì)了兩節(jié)的微帶分支線耦合器具有較好的幅度和相位特性。最后利用SIW環(huán)行器和耦合器設(shè)計(jì)了組合結(jié)構(gòu)的高隔離環(huán)行器測(cè)試結(jié)果與仿真結(jié)果相比存在插入損耗稍大、頻率偏移的問(wèn)題。鑒于高隔離鐵氧體環(huán)行器方案尺寸大且測(cè)試和仿真結(jié)果之間存在的偏差本文又設(shè)計(jì)了混合環(huán)行器其工作原理是基于180°混合結(jié)的相位特性和兩個(gè)功分器良好的隔離度對(duì)稱特性來(lái)實(shí)現(xiàn)其高隔離性能。其中功分器的設(shè)計(jì)中為了改善兩端口功分器的隔離特性采用了開(kāi)槽匹配法來(lái)補(bǔ)償由于50歐姆電阻失配而產(chǎn)生的容性效應(yīng)仿真結(jié)果顯示該混合環(huán)行器具有尺寸小、隔離度更高、工作頻帶寬的特點(diǎn)。由于該混合環(huán)行器的高隔離特性其對(duì)加工精度要求較高測(cè)試過(guò)程中因?yàn)榧庸ふ`差和精度的偏差測(cè)試結(jié)果的工作頻帶存在一定的偏移但在系統(tǒng)所需要的工作頻帶內(nèi)還是滿足40DB的高隔離度要求的。

簡(jiǎn)介：隨著國(guó)家航天事業(yè)的飛速發(fā)展，宇航應(yīng)用也不斷對(duì)集成電路設(shè)計(jì)提出新的挑戰(zhàn)，RS422協(xié)議接口電路以其工作穩(wěn)定、可靠性高等特點(diǎn)，在國(guó)防及航天領(lǐng)域中同樣應(yīng)用廣泛。低頻長(zhǎng)線傳輸中廣泛應(yīng)用的接口電路采用RS422協(xié)議規(guī)范，該類接口電路一般由發(fā)送器和接收器兩部分組成，發(fā)送器是由簡(jiǎn)單的數(shù)字邏輯和較大的輸出驅(qū)動(dòng)管組成，傳輸末端的接收器是由差分放大器完成對(duì)長(zhǎng)線上衰減后信號(hào)的識(shí)別。傳統(tǒng)的接收器往往采用簡(jiǎn)單的二級(jí)放大器來(lái)實(shí)現(xiàn)，這種結(jié)構(gòu)電路增益小、反映速度慢，且伴隨著較大的功耗。近些年，高速低功耗設(shè)計(jì)已經(jīng)變成集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域關(guān)注的焦點(diǎn)，整機(jī)系統(tǒng)市場(chǎng)也紛紛提出了對(duì)高速度和低功耗的要求，這使得傳統(tǒng)的接收器迫切需要改進(jìn)優(yōu)化、重新考慮提高響應(yīng)速度和降低功耗的設(shè)計(jì)?？鐚?dǎo)運(yùn)算放大器OTA以電流驅(qū)動(dòng)、增益可調(diào)等優(yōu)勢(shì)，一直被人們所廣泛使用。本文利用OTAOPERATIONALTRANSCONDUCTANCEAMPLIFIER替代傳統(tǒng)接收器中放大器，通過(guò)對(duì)傳統(tǒng)OTA電路的分析，不斷優(yōu)化設(shè)計(jì)，最終實(shí)現(xiàn)接收器電路的高速低功耗。本文所設(shè)計(jì)的OTA，電路增益達(dá)到60DB，單位增益帶寬GBW2213MHZ，相位裕度6011°，靜態(tài)電流30ΜA，正向壓擺率44VΜS，負(fù)向壓擺率749VΜS。最后設(shè)計(jì)出的RS422協(xié)議接口模塊電路的靜態(tài)電流只有34MA，傳輸延遲TPLH為2002NS、TPHL為185NS。為了滿足更多的應(yīng)用需求，本文對(duì)所設(shè)計(jì)的接口模塊電路進(jìn)行了ESD（ELECTROSTATICDISGE）可靠性設(shè)計(jì)和抗輻射加固設(shè)計(jì)，并對(duì)ESD結(jié)構(gòu)進(jìn)行了流片測(cè)試，全芯片抗ESD能力達(dá)到HBM4000V以上。

簡(jiǎn)介：功率集成產(chǎn)業(yè)是電子芯片制造業(yè)的一個(gè)重要領(lǐng)域，伴隨著集成電路的發(fā)展，許多功率集成電路的產(chǎn)品被開(kāi)發(fā)出來(lái)，廣泛應(yīng)用于機(jī)載驅(qū)動(dòng)、汽車電子、航天航空以及家用電器等領(lǐng)域。高邊功率開(kāi)關(guān)是功率集成電路典型應(yīng)用之一，能實(shí)現(xiàn)對(duì)功率輸出的智能化控制與保護(hù)，在功率集成電路的應(yīng)用中具有重要意義。本文目的是設(shè)計(jì)出能夠用于高邊功率開(kāi)關(guān)的驅(qū)動(dòng)和控制電路，并結(jié)合保護(hù)電路實(shí)現(xiàn)高邊功率開(kāi)關(guān)的完整功能。其中驅(qū)動(dòng)電路包括穩(wěn)壓器電路和電荷泵轉(zhuǎn)換器。穩(wěn)壓器實(shí)現(xiàn)將4752V的高壓輸入轉(zhuǎn)換成5V的穩(wěn)定邏輯電壓，為芯片內(nèi)部低壓模塊供電。電荷泵是功率開(kāi)關(guān)的直接驅(qū)動(dòng)電路，保證芯片正常工作時(shí)功率管柵極電壓高于電源電壓5V，工作電流18A；控制電路是芯片內(nèi)部邏輯電路，它綜合芯片內(nèi)部的保護(hù)模塊輸入的保護(hù)信號(hào)，實(shí)現(xiàn)對(duì)功率開(kāi)關(guān)工作狀態(tài)的智能化控制，避免因?yàn)檫^(guò)溫、過(guò)流等異常狀態(tài)而損壞芯片。在所有模塊設(shè)計(jì)完成后，對(duì)整體芯片的功能進(jìn)行仿真，確保芯片的功能達(dá)到設(shè)計(jì)指標(biāo)。本文設(shè)計(jì)的高邊功率開(kāi)關(guān)采用035ΜMBCD工藝平臺(tái)進(jìn)行設(shè)計(jì)。并在FAB提供的PDK幫助下中完成芯片的版圖設(shè)計(jì)。用作功率器件開(kāi)關(guān)的高壓LDMOS器件的版圖是芯片版圖設(shè)計(jì)的重點(diǎn)，它需要較低導(dǎo)通電阻以及能夠承受高壓和大電流。高邊功率開(kāi)關(guān)的工作電壓會(huì)在大的范圍變化，在版圖設(shè)計(jì)中需要對(duì)內(nèi)部電路的高壓與低壓模塊進(jìn)行區(qū)分隔離，避免出現(xiàn)低壓器件的擊穿失效。最后給出芯片的封裝設(shè)計(jì)。

簡(jiǎn)介：由織機(jī)生產(chǎn)出的織物一開(kāi)始緯線是直的，但是一旦經(jīng)過(guò)燙染和其他特殊處理后，由于處理過(guò)程中的熱及拉力作用，使得織物的緯線發(fā)生變形，嚴(yán)重影響了紡織品的等級(jí)，給紡織企業(yè)帶來(lái)巨大的損失。在這種背景情況下，各種整緯裝置應(yīng)運(yùn)而生。整緯裝置一般由兩個(gè)部分組成緯斜檢測(cè)部分和緯斜矯正部分。而緯斜檢測(cè)部分的性能決定著整個(gè)整緯裝置的質(zhì)量，因此，研究緯斜檢測(cè)方法和相應(yīng)檢測(cè)裝置的設(shè)計(jì)成為生產(chǎn)整緯裝置的廠家關(guān)注的重點(diǎn)。通過(guò)對(duì)目前市面上應(yīng)用的緯斜檢測(cè)裝置存在的問(wèn)題進(jìn)行分析并結(jié)合高精細(xì)織物紋路的特性，本文提出了兩種不同的緯斜檢測(cè)方法，并設(shè)計(jì)出了相應(yīng)的緯斜檢測(cè)裝置。第一種方法是根據(jù)光電檢測(cè)原理來(lái)實(shí)現(xiàn)緯斜檢測(cè)。具體就是利用平行光源照射織物緯紗成像到光電傳感器，通過(guò)檢測(cè)光電傳感器輸出電信號(hào)的大小來(lái)定量檢測(cè)出織物緯斜角度。第二種方法是基于機(jī)器視覺(jué)的緯斜檢測(cè)方法。具體就是利用高速CCD攝像機(jī)采集生產(chǎn)過(guò)程中織物的運(yùn)動(dòng)視頻序列，提取幀圖像，再利用相關(guān)圖像處理算法，實(shí)時(shí)直觀的顯示出織物的緯斜角度。本文中設(shè)計(jì)的兩種自動(dòng)緯斜檢測(cè)裝置針對(duì)同類型的產(chǎn)品的設(shè)計(jì)缺陷，進(jìn)行了性能提升，主要表現(xiàn)在四個(gè)方面一是光電式緯斜檢測(cè)裝置實(shí)現(xiàn)了光源能根據(jù)織物厚度情況做自適應(yīng)調(diào)整的功能，這樣不僅使得檢測(cè)結(jié)果更精確，而且還大大提升了設(shè)備的自動(dòng)化程度。二是提高了系統(tǒng)的抗干擾能力。在光電式緯斜檢測(cè)裝置中，光源和與之配套的光電傳感器均采用的是中心波長(zhǎng)在850NM的近紅外波段的光電器件，同時(shí)加裝濾波片，有效的消除了雜散光的干擾。在硬件電路中，對(duì)系統(tǒng)電源和其他易受噪聲干擾的部分均做了濾波處理，削弱了空間電磁波的干擾。通過(guò)這兩方面的處理，極大的提高了系統(tǒng)的抗干擾能力。三是精簡(jiǎn)了電路結(jié)構(gòu)。使用分立元件搭建電路，在不影響功能實(shí)現(xiàn)的前提下進(jìn)一步降低了系統(tǒng)的成本。四是基于機(jī)器視覺(jué)的緯斜檢測(cè)裝置中使用了一種新的檢測(cè)算法，有效降低了系統(tǒng)的空間和時(shí)間復(fù)雜度，加快了檢測(cè)速度，提高了系統(tǒng)適應(yīng)性。本文中提出的兩種緯斜檢測(cè)方法和相應(yīng)的檢測(cè)裝置各有優(yōu)劣，但從成本和環(huán)境適應(yīng)能力方面來(lái)說(shuō)，光電式緯斜自動(dòng)檢測(cè)裝置顯然具有更廣闊的應(yīng)用前景。