簡(jiǎn)介：絕緣柵雙極型晶體管INSULATEDGATEBIPOLARTRANSIST，IGBT被廣泛應(yīng)用于變頻器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、開關(guān)電源等系統(tǒng)中。在這些應(yīng)用系統(tǒng)中，IGBT常工作在非鉗位感性負(fù)載電路中，持續(xù)的雪崩狀態(tài)極易導(dǎo)致器件發(fā)生失效，因此研究IGBT器件雪崩失效機(jī)理，設(shè)計(jì)高雪崩耐量IGBT器件具有重要意義。本文首先研究了IGBT器件原胞區(qū)雪崩失效機(jī)理，理論分析表明，器件原胞區(qū)在雪崩過程中存在著表面寄生三極管的開啟和電流局部集中等兩種失效機(jī)理，本文分別通過降低基區(qū)電阻RBASE和降低集電極P摻雜濃度提高原胞區(qū)雪崩耐量接著重點(diǎn)研究IGBT器件焊盤區(qū)雪崩失效機(jī)理，理論分析和仿真驗(yàn)證表明，空穴極易在IGBT器件的焊盤區(qū)下方形成積累，這部分空穴增加了該區(qū)域雪崩過程中的雪崩電流密度，容易導(dǎo)致器件在焊盤區(qū)域提早發(fā)生雪崩失效。為了提高器件焊盤區(qū)雪崩耐量，增加器件可靠性，本文設(shè)計(jì)了一種焊盤區(qū)具有P型柱的1200V高雪崩耐量IGBT器件，新結(jié)構(gòu)的IGBT特征在于在傳統(tǒng)柵極焊盤下方引入低摻雜P型柱，通過減小了焊盤區(qū)的空穴在基區(qū)輸運(yùn)的長(zhǎng)度，使得空穴更容易經(jīng)過P型柱流走，從而有降低器件正向?qū)ê脱┍罆r(shí)柵極焊盤區(qū)下方的空穴密度，增加了柵極焊盤區(qū)的雪崩耐量本文同時(shí)對(duì)P型柱的工藝參數(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)，使得器件焊盤區(qū)的雪崩耐量和耐壓都滿足器件設(shè)計(jì)指標(biāo)。仿真結(jié)果表明，論文所設(shè)計(jì)的IGBT器件的雪崩耐量從傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的552J增加到894J，提高了60％。此外，新結(jié)構(gòu)的導(dǎo)通壓降為158V，電流能力達(dá)到20A，均達(dá)到器件設(shè)計(jì)指標(biāo)的要求。

簡(jiǎn)介：高純二氧化硅作為優(yōu)良的絕緣體用于電子工業(yè)。氟化氫銨用于鋁材表面處理、玻璃蝕刻等領(lǐng)域。目前，國(guó)內(nèi)多個(gè)廠家開發(fā)了以氟硅酸、液氨為原料生產(chǎn)白炭黑聯(lián)產(chǎn)氟化氫銨工藝，現(xiàn)有的工藝生產(chǎn)的氟化氫銨易潮解、結(jié)塊白炭黑附加值低。因此，開發(fā)一種高純二氧化硅聯(lián)產(chǎn)無水氟化氫銨的生產(chǎn)工藝具有重要意義。本文首先對(duì)氟硅酸氨解法生產(chǎn)高純二氧化硅的工藝過程進(jìn)行了研究。通過單因素實(shí)驗(yàn)和正交試驗(yàn)方法考察了各因素對(duì)該反應(yīng)的影響。結(jié)果表明，二氧化硅產(chǎn)率主要受原料配比影響反應(yīng)溫度是控制反應(yīng)的主要因素，攪拌速率和滴加速率次之，同時(shí)得到了氟硅酸氨化法制備高純二氧化硅的最佳工藝條件最佳的原料配比為NNH3∶NH2SIF618∶1，此時(shí)二氧化硅產(chǎn)率達(dá)到984％反應(yīng)溫度40℃，滴加速率6MLMIN，攪拌速率采用二檔500RPM，陳化時(shí)間20H，在此條件下，二氧化硅純度達(dá)到99％。利用氨解反應(yīng)的濾液，分別采用熱解法、酸化法制備氟化氫銨。通過對(duì)比，熱分解法所得的產(chǎn)品含量低，原料利用率低，分解耗能高酸化法不需要加熱，所得產(chǎn)品純度高，質(zhì)量能達(dá)到優(yōu)等品。酸化法最優(yōu)的氟化銨溶液質(zhì)量分?jǐn)?shù)為30％，反應(yīng)終點(diǎn)PH值為3，該條件下，氟化氫銨的收率達(dá)到95％，含量在98％以上，所得產(chǎn)品達(dá)到了優(yōu)等品的標(biāo)準(zhǔn)。分別采用冷卻結(jié)晶和結(jié)片法得到最終的產(chǎn)品，通過穩(wěn)定性考察，結(jié)片法所得的產(chǎn)品吸濕量小，穩(wěn)定性好，經(jīng)過3個(gè)月實(shí)驗(yàn)后，產(chǎn)品含量仍可達(dá)到優(yōu)等品標(biāo)準(zhǔn)。本文進(jìn)行了年產(chǎn)2000噸高純二氧化硅聯(lián)產(chǎn)15萬噸無水氟化氫銨項(xiàng)目工藝設(shè)計(jì)。首先確定了工藝流程，在此基礎(chǔ)上，對(duì)各單元操作進(jìn)行物料衡算，對(duì)典型設(shè)備進(jìn)行了熱量衡算進(jìn)行設(shè)備選型計(jì)算，確定了主要設(shè)備的規(guī)格型號(hào)，匯總形成了工藝設(shè)備一覽表，對(duì)典型設(shè)備進(jìn)行了控制方案設(shè)計(jì)，并繪制了管道及儀表流程圖PID完成了車間設(shè)備布置設(shè)計(jì)，并在此基礎(chǔ)上，開展管道布置設(shè)計(jì)，進(jìn)行了簡(jiǎn)單的總平面布置。

簡(jiǎn)介：本論文基于西安電子科技大學(xué)科研項(xiàng)目“深亞微米電源管理類集成電路及各種數(shù)?；旌霞呻娐返年P(guān)鍵技術(shù)理論研究與設(shè)計(jì)”，設(shè)計(jì)了一款低靜態(tài)電流、高穩(wěn)定性的低壓差線性穩(wěn)壓器XD1488。低壓差線性穩(wěn)壓器對(duì)于當(dāng)下井噴式發(fā)展的便攜式電子設(shè)備與智能終端而言，是決定其電池使用壽命與續(xù)航能力的關(guān)鍵所在，因此如何高效率地控制與利用電源系統(tǒng)就成為了當(dāng)今電子設(shè)計(jì)者的重要課題。本論文首先介紹了電源管理IC在電子產(chǎn)品中的現(xiàn)狀與未來的發(fā)展趨勢(shì)，然后詳細(xì)地闡述了低壓差線性穩(wěn)壓器LDO的一些基本概念、工作原理與設(shè)計(jì)指標(biāo)。而后討論了該款低壓差線性穩(wěn)壓器LDO的部分子模塊電路的設(shè)計(jì)分析與仿真驗(yàn)證，以及環(huán)路補(bǔ)償原理與穩(wěn)定性的分析。最后給出了XD1488整體電路的仿真結(jié)果，使其功能得到了驗(yàn)證，同時(shí)也對(duì)其設(shè)計(jì)指標(biāo)進(jìn)行了驗(yàn)證。本文設(shè)計(jì)的低壓差線性穩(wěn)壓器XD1488利用電流緩沖技術(shù)進(jìn)行了系統(tǒng)環(huán)路補(bǔ)償，共源共柵管的接入，阻斷了由密勒補(bǔ)償電容引入的前饋通路，從而抑制了右半平面零點(diǎn)的產(chǎn)生，與此同時(shí)，也引入了一個(gè)左半平面的零點(diǎn)，適當(dāng)設(shè)置該零點(diǎn)的位置可以實(shí)現(xiàn)與極點(diǎn)對(duì)消，補(bǔ)償附加相移。最終通過電路的合理設(shè)計(jì)，使系統(tǒng)在單位增益帶寬內(nèi)具有足夠的相位裕度與增益裕度，并獲得了很好的穩(wěn)定性。電路設(shè)計(jì)中利用內(nèi)部電壓為基準(zhǔn)模塊提供工作電壓，很好的提高了基準(zhǔn)電壓的電源抑制比特性，同時(shí)對(duì)系統(tǒng)輸出電壓的電源抑制比特性也有很大的改善。系統(tǒng)中POWERGOOD模塊的設(shè)計(jì)使XD1488可以在其輸出過壓或欠壓的情況下，對(duì)其供電的電路單元進(jìn)行復(fù)位操作，避免了對(duì)下級(jí)電路造成損壞以及其它誤操作的發(fā)生。此外，正常工作情況下，XD1488的靜態(tài)電流不足50ΜA，可以滿足當(dāng)前大部分電子產(chǎn)品對(duì)功耗的要求，而且其輸出電容僅為022ΜF(xiàn)，在很大程度上減小了其應(yīng)用電路的面積，節(jié)省了空間，降低了成本。XD1488采用了05ΜMBICMOS工藝，并用CADENCE工作平臺(tái)和HSPICE仿真軟件對(duì)其進(jìn)行了仿真驗(yàn)證。仿真結(jié)果表明，本文所設(shè)計(jì)的高穩(wěn)定性低壓差線性穩(wěn)壓器XD1488完全符合設(shè)計(jì)要求，低至231MV的漏失電壓，優(yōu)良的調(diào)整特性與出色的電源抑制比特性，全負(fù)載范圍內(nèi)與全輸入電壓范圍內(nèi)獲得了非常平穩(wěn)的輸出電壓（最大過沖僅為37MV），全溫度范圍內(nèi)輸出電壓的溫度系數(shù)為8375PPM℃，這些仿真數(shù)據(jù)說明了該款低壓差線性穩(wěn)壓器XD1488具有完善的功能和優(yōu)良的性能特性。

簡(jiǎn)介：碩士學(xué)位論文高幀高清CMOS工業(yè)攝像機(jī)設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)DESIGNANDIMPLEMENTATIONOFHIGHFRAMERATEANDHIGHRESOLUTIONRATIOCMOSCAMERA學(xué)號(hào)2L蝕9004大連理工大學(xué)DALIANUNIVERSITYOFTECHNOLOGY大連理工大學(xué)碩士學(xué)位論文摘要高幀頻、高分辨率圖像在生產(chǎn)生活、科學(xué)研究以及國(guó)防軍事等多種領(lǐng)域有著越來越多的需求。相較于一些國(guó)家，我國(guó)的研究相對(duì)滯后，進(jìn)行高幀高清工業(yè)攝像機(jī)的研制具有很大的學(xué)術(shù)價(jià)值和使用價(jià)值?；贔PGA、DDR2內(nèi)存芯片和USB30技術(shù)，本文提出了一種高幀高清工業(yè)攝像機(jī)設(shè)計(jì)方案，從高性能傳感器應(yīng)用、海量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)确矫嫱瓿闪讼到y(tǒng)設(shè)計(jì)。攝像機(jī)由圖像采集、圖像存儲(chǔ)、圖像傳輸、圖像顯示四個(gè)模塊組成，前三部分構(gòu)成了攝像機(jī)的下位機(jī)，圖像顯示模塊構(gòu)成了上位機(jī)。下位機(jī)硬件設(shè)計(jì)采用了模塊化設(shè)計(jì)思想。圖像采集模塊選用ALTERA公司的CYCLONEIII系列FPGA作為主控器，選用CMOSIS公司的高性能CMOS圖像傳感器作為核心感光元件；圖像存儲(chǔ)模塊選用MICRON公司的DDR2芯片構(gòu)建存儲(chǔ)陣列；圖像傳輸模塊選用CYPRESS公司的USB30芯片構(gòu)建傳輸通道。系統(tǒng)軟件設(shè)計(jì)主要包括了下位機(jī)FPGA邏輯設(shè)計(jì)及上位機(jī)程序設(shè)計(jì)。FPGA邏輯設(shè)計(jì)采用VERILOGHDL語言實(shí)現(xiàn)了各硬件模塊的驅(qū)動(dòng)時(shí)序以及模塊間的握手控制，完成整個(gè)卜位機(jī)數(shù)據(jù)流的正確傳遞；在FPGA內(nèi)部開辟兩塊雙口RAM，對(duì)其乒乓讀寫操作，解決了傳感器高速流水式串行數(shù)據(jù)接收的難題；采用SLAVEFIFO模式完成了對(duì)USB30通道的控制。上位機(jī)程序基于MFC圖形界面庫(kù)及CYPRESSAPI設(shè)計(jì)，采用C語言編程，使用了多線程、內(nèi)存映射技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了圖像顯示、存儲(chǔ)、回放、保存等功能。高幀高清工業(yè)攝像機(jī)涉及到復(fù)雜的軟硬件設(shè)計(jì)及調(diào)試工作，所需知識(shí)龐雜，本文最后部分給出了常見硬件電路排錯(cuò)、軟件系統(tǒng)調(diào)試以及軟硬件聯(lián)調(diào)的方法。測(cè)試結(jié)果表明，系統(tǒng)能夠?qū)崿F(xiàn)分辨率20482048、幀率180FPS或者分辨率20481024、幀率360FPS的高速圖像采集，具有很強(qiáng)應(yīng)用價(jià)值。關(guān)鍵詞圖像采集；CMOS圖像傳感器；DDR2陣列；USB30接口；FPGA

簡(jiǎn)介：高氮鋼是一種利用氮元素替代鎳元素的不銹鋼，是單相奧氏體組織，具有高強(qiáng)、高韌、高耐蝕性等特點(diǎn)，正逐步在軍工、海工、電力等行業(yè)全面應(yīng)用，但高氮鋼在熔焊過程中易產(chǎn)生氮損失，形成氮?dú)饪?，焊縫性能下降嚴(yán)重，已成為工程應(yīng)用的瓶頸。本文針對(duì)16MM高氮奧氏體不銹鋼板材，采用高氮鋼焊絲和307MO焊絲，進(jìn)行了氮?dú)逖跫暗獨(dú)宥趸既刍瘶O氣保焊工藝試驗(yàn)研究。通過對(duì)氮?dú)獗壤{(diào)整以及氧化性氣體類別的選擇，分別在兩種焊絲中進(jìn)行工藝試驗(yàn)，研究表明隨著保護(hù)氣氛中氮?dú)獗壤奶嵘缚p中氮含量呈現(xiàn)先增大后減小并趨于穩(wěn)定的趨勢(shì)同等比例下，25％O2對(duì)焊縫的固氮效果要優(yōu)于25％CO2。通過對(duì)高氮鋼焊絲及307MO焊絲為填充材料，氮?dú)逖跞刍瘶O氣保焊工藝試驗(yàn)分析表明以高氮鋼焊絲為填充材料焊縫氮含量較307MO焊絲為填充材料焊縫氮含量高。當(dāng)采用氬氧氮保護(hù)氣、保護(hù)氣中氮?dú)獗壤秊?0％時(shí)，焊縫中氮含量最高，以高氮鋼焊絲為填充材料焊縫中氮含量可達(dá)095％，以307MO為填充材料焊縫中氮含量可達(dá)057％。通過X射線檢測(cè)發(fā)現(xiàn)，隨著焊縫中氮含量的增加，焊縫中氮?dú)饪字饾u增多焊縫中不僅存在宏觀氮?dú)饪锥疫€存在顯微氮?dú)饪住ｋS著保護(hù)氣氛中氮?dú)獾募尤?，焊縫中鐵素體的百分比含量降低在以高氮鋼焊絲為填充材料，氬氧氮為保護(hù)氣氛焊接接頭中，當(dāng)保護(hù)氣為100％（975％AR25％O2）時(shí)，焊縫中鐵素體百分比為03％，當(dāng)保護(hù)氣為90％975％AR25％O210％N2時(shí)，焊縫中鐵素體百分比為027％在以307MO焊絲為填充材料，氬氧氮為保護(hù)氣氛焊接接頭中，當(dāng)保護(hù)氣為100％（975％AR25％O2）時(shí)，焊縫中鐵素體百分比為47％，當(dāng)保護(hù)氣為90％（975％AR25％O2）10％N2時(shí)，焊縫中鐵素體百分比為023％。不同氮含量下焊接接頭力學(xué)性能有所差異，研究了以高氮鋼焊絲為填充材料，氬氧氮為保護(hù)氣下焊接接頭力學(xué)性能當(dāng)焊縫中氮含量增加時(shí)，焊縫組織平均顯微硬度增大焊縫抗拉強(qiáng)度在850MPA～930MPA之間，當(dāng)焊縫氮含量達(dá)到最大值095％時(shí)，抗拉強(qiáng)度達(dá)到了930MPA，為母材的8857％，但是焊縫沖擊功較低。拉伸及沖擊斷口均有等軸韌窩的存在，說明接頭為韌性斷裂。

簡(jiǎn)介：隨著經(jīng)濟(jì)的快速發(fā)展，能源的緊缺以及環(huán)境問題使得尋找替代能源迫在眉睫。氫能，作為一種清潔能源，越來越受到廣泛關(guān)注。其中，通過乙醇蒸汽重整工藝來制備氫氣，具有原料可再生、系統(tǒng)能量效率高等優(yōu)點(diǎn)，是科研學(xué)者的研究熱點(diǎn)。NI基催化劑相對(duì)于貴金屬催化劑具有低成本的優(yōu)勢(shì)，被廣泛應(yīng)用于蒸汽重整反應(yīng)。但是，NI金屬容易遷移燒結(jié)和積碳，從而導(dǎo)致催化劑的失活，是NI基催化劑應(yīng)用面臨的主要挑戰(zhàn)之一。同時(shí)，在低溫乙醇蒸汽重整中，由于熱力學(xué)的限制，氫氣的產(chǎn)率受到限制，所以開發(fā)高活性和高穩(wěn)定性的NI基催化劑對(duì)于低溫乙醇蒸汽重整尤其重要。因此，本論文針對(duì)這些問題理性設(shè)計(jì)了高活性高穩(wěn)定性的催化劑，并對(duì)其進(jìn)行乙醇蒸汽重整反應(yīng)測(cè)試。主要的研究?jī)?nèi)容和結(jié)果如下。首先，本論文設(shè)計(jì)了氧化鑭改性且具有有序介孔結(jié)構(gòu)的催化劑。通過溶劑誘導(dǎo)的自組裝方法制備得到了有序介孔鋁催化劑MESOXLANIAL并用于乙醇蒸汽重整。結(jié)果顯示有序介孔結(jié)構(gòu)能夠幫助催化劑獲得較小的金屬粒子46NM，從而MESO0LANIAL催化劑相比于浸漬法得到的0LANIAL催化劑表現(xiàn)出更高的活性和穩(wěn)定性。另外，適量的氧化鑭的添加能夠幫助催化劑暴露出更多的活性表面積，從而使MESO3LANIAL催化劑實(shí)現(xiàn)更高的催化活性。同時(shí)，氧化鑭的改性也能夠在一定程度上減少積碳的產(chǎn)生。添加的LA2O3，作為親水性和堿性氧化物，能夠與H2O和CO2反應(yīng)，加速沉積的碳的氣化從而再生活性金屬表面，因此MESO3LANIAL表現(xiàn)出了比MESO0LANIAL催化劑更優(yōu)秀的抗積碳性能。其次，為了得到高金屬活性表面積的催化劑來減緩其失活并從整體上提高低溫乙醇蒸汽重整中氫氣的產(chǎn)率，本論文采用共沉淀方法COP，通過得到礦物水鎳鋁石結(jié)構(gòu)前軀體制各得到了負(fù)載量為78％的高負(fù)載量催化劑（COP78）。結(jié)果表明該催化劑具有較小的金屬鎳顆?！?NM以及較大的活性金屬表面積（351M2GCAT），在673K的乙醇蒸汽重整反應(yīng)中展現(xiàn)出了優(yōu)秀的催化活性和穩(wěn)定性。同時(shí)，在673K的溫度下沒有發(fā)生燒結(jié)，盡管有積碳產(chǎn)生，但更多的金屬活性表面積使催化劑仍然表現(xiàn)出了很好的催化性能。

簡(jiǎn)介：論文的研究目的是通過對(duì)某高功率音頻放大對(duì)管的研究與仿真優(yōu)化設(shè)計(jì)提出一種使器件的二次擊穿電流得到提升的新穎結(jié)構(gòu)。通過改善發(fā)射極電流集邊效應(yīng)引發(fā)的二次擊穿問題從而能夠提高本產(chǎn)品安全工作區(qū)的范圍?；诒緦?shí)驗(yàn)室與國(guó)內(nèi)某知名半導(dǎo)體公司合作研發(fā)項(xiàng)目并通過產(chǎn)品工藝及版圖結(jié)構(gòu)的改進(jìn)達(dá)到產(chǎn)品參數(shù)指標(biāo)的要求。文中對(duì)一款具有新穎結(jié)構(gòu)的高功率音頻放大對(duì)管進(jìn)行仿真優(yōu)化設(shè)計(jì)首先對(duì)高功率音頻放大對(duì)管的各個(gè)物理參數(shù)的設(shè)計(jì)設(shè)計(jì)了各個(gè)區(qū)的摻雜濃度擴(kuò)散系數(shù)遷移率擴(kuò)散長(zhǎng)度和壽命等并且確定了器件的縱向參數(shù)等。然后對(duì)器件縱向結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)并且通過仿真軟件對(duì)工藝流程和元胞結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)完成了仿真模擬通過器件和工藝的聯(lián)合仿真然后對(duì)元胞結(jié)構(gòu)和工藝參數(shù)進(jìn)行仿真優(yōu)化設(shè)計(jì)最終確定了設(shè)計(jì)器件制作的主要工藝參數(shù)和版圖設(shè)計(jì)并討論關(guān)鍵工藝步驟的實(shí)現(xiàn)方式。對(duì)上述設(shè)計(jì)的高功率音頻放大對(duì)管進(jìn)行流片測(cè)試最終測(cè)試參數(shù)如下PNP管BVCBO3071VICBO1324NABVCEO2874VICEO253NABVEBO913VIEBO1884NAVCESAT014VVBESAT093VICM125AHFE86ISB3ANPN管BVCBO3482VICBO2909NABVCEO2856VICEO5205NABVEBO826VIEBO2987NAVCESAT012VVBESAT092VICM12AHFE115ISB35A。通過流片后的各項(xiàng)測(cè)試結(jié)果顯示所設(shè)計(jì)的高功率音頻放大對(duì)管器件靜態(tài)參數(shù)滿足設(shè)計(jì)要求并具有較高的二次擊穿電流值。

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簡(jiǎn)介：中頻帶通濾波器是北斗通信系統(tǒng)中射頻接收機(jī)的關(guān)鍵模塊，起著選擇頻率、濾除噪聲干擾和抗混迭干擾等作用。接收機(jī)工作時(shí)，需要無失真且精確地處理和傳輸信號(hào)，高性能射頻接收機(jī)要求帶通濾波器具有高線性、寬帶寬、低噪聲系數(shù)和低功耗等性能。本文研究了濾波器的結(jié)構(gòu)類型和相關(guān)的設(shè)計(jì)方法，確定了中頻帶通濾波器的實(shí)現(xiàn)方案；以高線性、寬帶、低噪聲和低功耗等為目標(biāo)，設(shè)計(jì)了一款級(jí)聯(lián)雙二階GMC帶通濾波器，給出了具體的電路結(jié)構(gòu)；文中著重對(duì)帶通濾波器中的跨導(dǎo)運(yùn)放、共模反饋電路和基準(zhǔn)電路進(jìn)行了研究，分別采用軌對(duì)軌及交叉耦合線性組合結(jié)構(gòu)、單位增益緩沖器結(jié)構(gòu)和電流型反饋結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)三者電路的設(shè)計(jì)，以解決GMC型濾波器線性不足和輸出跨導(dǎo)變化的問題，改善和優(yōu)化所設(shè)計(jì)GMC帶通濾波器的性能。基于華潤(rùn)上華（CSMC）025UMBCD工藝庫(kù)，對(duì)整體電路采用CADENCESPECTRE工具進(jìn)行仿真。仿真結(jié)果為濾波器的中心頻率為46MHZ、帶寬為25MHZ，10DB帶寬的矩形系數(shù)為111，1DB線性壓縮點(diǎn)為2225DBM，帶內(nèi)波動(dòng)小于2DB，帶外抑制率達(dá)到25DB以上，噪聲系數(shù)為243NV（HZ）05，功耗為585MW，表明所設(shè)計(jì)的帶通濾波器符合射頻接收機(jī)的應(yīng)用要求。

簡(jiǎn)介：在當(dāng)今電子工業(yè)高速發(fā)展的時(shí)代，隨著厚膜混合集成電路向著高性能、高可靠、小型化、高均一性及低成本方向的發(fā)展，對(duì)厚膜混合電路的組裝技術(shù)和工藝提出了越來越高的要求。在厚膜混合集成電路中，功率組件是核心器件，決定著厚膜功率組件的性能和熱響應(yīng)情況。在厚膜功率組件的組裝中，現(xiàn)在主要存在的問題是由于焊接的器件空洞較多，所以工作時(shí)產(chǎn)生的熱量不能有效地發(fā)散，最終使器件的工作結(jié)溫高，降低了其使用壽命，甚至個(gè)別零件由于溫度較高而導(dǎo)致電壓擊穿。影響空洞產(chǎn)生的因素有很多，本文經(jīng)過查閱大量的文獻(xiàn)，結(jié)合國(guó)內(nèi)外發(fā)展現(xiàn)狀，分別從厚膜管殼、基板的尺寸；焊料成分、狀態(tài)（焊片、焊膏）的選用；工藝曲線（真空度、還原氣氛、溫度設(shè)置）各個(gè)方面來減小孔洞率，其后通過外觀、X射線、金相分析、剪切力測(cè)試分析厚膜功率器件的孔洞率、可靠性，找出形成空洞的真正原因是焊料在燒結(jié)過程中殘留的氣體和氧化物無法排出。結(jié)果表明回流焊中通過對(duì)工藝溫度曲線、焊接層厚度、壓力的分析，找到了各自合適的參數(shù)改善焊接空洞問題。得出溫度曲線是影響焊接空洞大小的最顯著因素，真空焊通過對(duì)工藝曲線、壓力、甲酸的控制、載體粗糙度、氣氛保護(hù)的分析，找到了各自合適的參數(shù)改善焊接空洞問題，得出工藝曲線、氣氛保護(hù)是影響焊接空洞大小的最顯著因素。

簡(jiǎn)介：隨著節(jié)能減排、綠色經(jīng)濟(jì)和循環(huán)經(jīng)濟(jì)的發(fā)展深入，我國(guó)將逐步禁止白熾燈的使用。LED能耗非常低節(jié)能效果明顯，其能耗只是傳統(tǒng)白熾燈光照源的10％左右，是節(jié)能燈的25左右。LED不僅節(jié)能效果明顯，而且具有更寬的光機(jī)色域、更高色彩飽和度，應(yīng)用范圍更廣。LED的平均使用壽命長(zhǎng)達(dá)60000小時(shí)以上，其壽命遠(yuǎn)遠(yuǎn)長(zhǎng)于傳統(tǒng)的照明源。LED具有節(jié)能效果好、應(yīng)用范圍廣和使用壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)成為下一代照明主要照明源是大勢(shì)所趨。為了使LED在工作過程中能穩(wěn)定和照明亮度保持不變，因此需專門的驅(qū)動(dòng)芯片來控制保證流過LED的電流恒定。本文主要是針對(duì)小功率LED燈設(shè)計(jì)一款低成本高恒流精度的驅(qū)動(dòng)芯片。本產(chǎn)品是應(yīng)用于BUCK型LED驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，支持全電壓輸入（交流85V265V，可大大降低系統(tǒng)成本。芯片采用PSM控制并且可以根據(jù)負(fù)載的輕載重載情況調(diào)整輸出占空比，在保證高的輸出效率的同時(shí)又降低了輸出紋波。系統(tǒng)在滿載情況下輸出效率可以達(dá)到90以上，且輸出的恒流精度在±1的誤差范圍內(nèi)。首先對(duì)的LED的現(xiàn)狀、基本特性和應(yīng)用做了簡(jiǎn)單介紹。然后介紹了LED的主要的驅(qū)動(dòng)方式、驅(qū)動(dòng)框架、拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和主要的控制方式，并針對(duì)本系統(tǒng)的應(yīng)用詳細(xì)的分析了在不同工作模式下的工作情況。其次對(duì)于本系統(tǒng)的工作原理和系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)功能做了詳細(xì)的分析。此外介紹了芯片內(nèi)部各個(gè)主要模塊的基本功能，并根據(jù)模塊功能設(shè)計(jì)了電路，并在CSMC的08UM40VBCD工藝設(shè)計(jì)下對(duì)于電路進(jìn)行了仿真和對(duì)于仿真結(jié)果做了分析。最后針對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行了系統(tǒng)級(jí)的仿真，并結(jié)合仿真結(jié)果來評(píng)估了芯片和系統(tǒng)的性能，芯片的各項(xiàng)指標(biāo)均符合設(shè)計(jì)要求。

簡(jiǎn)介：利用硅基狹縫波導(dǎo)結(jié)構(gòu)可以有效減小波導(dǎo)的有效模場(chǎng)面積，提高其中的光強(qiáng)密度，進(jìn)而增強(qiáng)其非線性效應(yīng)。為了保證非線性效應(yīng)的高效發(fā)生，入射光需要盡可能多地從光纖耦合進(jìn)硅基狹縫波導(dǎo)，減小耦合損耗。但是，光纖和硅基狹縫波導(dǎo)之間模場(chǎng)的形狀和尺寸極不匹配，直接耦合損耗很大，因而需要設(shè)計(jì)從光纖到硅基狹縫硅波導(dǎo)的模式轉(zhuǎn)換器，實(shí)現(xiàn)高效、寬帶的模式轉(zhuǎn)換。從光纖到硅基狹縫波導(dǎo)的模式轉(zhuǎn)換分為兩個(gè)步驟實(shí)現(xiàn)第一步從光纖耦合到硅基條形波導(dǎo)，第二步從硅基條形波導(dǎo)再耦合到硅基狹縫波導(dǎo)。論文首先回顧了光波導(dǎo)的基本原理以及波導(dǎo)數(shù)值計(jì)算方法，基于波導(dǎo)的模場(chǎng)特性，設(shè)計(jì)了一種光纖到硅基條形波導(dǎo)的倒錐形模式轉(zhuǎn)換器，通過降低波導(dǎo)高度和偏移尖端硅波導(dǎo)的方法實(shí)現(xiàn)了偏振不敏感且高效的耦合。當(dāng)尖端寬度為01ΜM，高度為250NM時(shí)，TE?？倱p耗為0483DB，TM?？倱p耗為0653DB。當(dāng)尖端寬度小于50NM時(shí)，可以實(shí)現(xiàn)偏振無關(guān)模式轉(zhuǎn)換，兩個(gè)模式的損耗均約為02DB。通過分段設(shè)計(jì)，轉(zhuǎn)換長(zhǎng)度優(yōu)化為234ΜM。通過高度降低或者尖端偏移設(shè)計(jì)，偏振相關(guān)度可以降到011DB以內(nèi)，而TETM損耗都在04DB左右。基于硅基狹縫波導(dǎo)模場(chǎng)的特性，設(shè)計(jì)了一種硅基條形波導(dǎo)到硅基狹縫波導(dǎo)的模式轉(zhuǎn)換器，在轉(zhuǎn)換長(zhǎng)度為20ΜM、最小結(jié)構(gòu)尺寸不低100NM的條件下，實(shí)現(xiàn)了992％的轉(zhuǎn)換效率，高于95％轉(zhuǎn)換效率的帶寬為200NM。通過進(jìn)一步優(yōu)化錐形波導(dǎo)的尖端寬度，轉(zhuǎn)換長(zhǎng)度減少了3ΜM，而帶寬提高100NM，實(shí)現(xiàn)了高效、寬帶、結(jié)構(gòu)緊湊、易于制作等優(yōu)良特性。

簡(jiǎn)介：隨著移動(dòng)自組織網(wǎng)絡(luò)和無線傳感網(wǎng)絡(luò)的研究與應(yīng)用的不斷發(fā)展，國(guó)內(nèi)外很多研究者已經(jīng)考慮將其應(yīng)用于航空通信中，提出了一種新的概念航空自組網(wǎng)。作為一種特殊類型的移動(dòng)自組織網(wǎng)絡(luò)，航空自組網(wǎng)可用于增強(qiáng)民用和軍事航空中的態(tài)勢(shì)感知、飛行協(xié)調(diào)和飛行效率等。相較于地面網(wǎng)絡(luò)，航空自組網(wǎng)有很多獨(dú)特的屬性，例如，機(jī)載節(jié)點(diǎn)高速移動(dòng)，網(wǎng)絡(luò)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)變化頻繁，嚴(yán)格的安全要求以及惡劣的通信環(huán)境等。受這些因素的影響，傳統(tǒng)的組網(wǎng)接入?yún)f(xié)議已不再適用于航空自組網(wǎng)。本文對(duì)現(xiàn)有的自組網(wǎng)MAC協(xié)議進(jìn)行分析的基礎(chǔ)上，提出了一種新的適用于航空自組網(wǎng)通信環(huán)境的MAC協(xié)議，該協(xié)議創(chuàng)新性的使多節(jié)點(diǎn)在較短時(shí)間內(nèi)入網(wǎng)，將固定與動(dòng)態(tài)時(shí)隙分配相結(jié)合，可支持多種不同優(yōu)先級(jí)業(yè)務(wù)類型及單播和廣播通信模式，并且可為節(jié)點(diǎn)拓?fù)涞母邉?dòng)態(tài)性提供路由和網(wǎng)絡(luò)切換方案。首先，本文簡(jiǎn)要介紹了航空自組網(wǎng)的發(fā)展背景，高動(dòng)態(tài)自組網(wǎng)的特點(diǎn)以及航空自組網(wǎng)的國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀。通過總結(jié)和分析航空自組網(wǎng)MAC協(xié)議設(shè)計(jì)的應(yīng)用需求，基于信道接入方式的不同將目前提出的航空自組網(wǎng)MAC協(xié)議分為四類基于競(jìng)爭(zhēng)類MAC協(xié)議、基于調(diào)度類MAC協(xié)議、混合類MAC協(xié)議和跨層設(shè)計(jì)類MAC協(xié)議。分別對(duì)各類協(xié)議進(jìn)行了簡(jiǎn)要介紹，概述了四類協(xié)議的研究進(jìn)展，對(duì)其中幾種典型協(xié)議的特點(diǎn)、性能、優(yōu)缺點(diǎn)以及應(yīng)用范圍等進(jìn)行了總結(jié)和分析。針對(duì)航空自組網(wǎng)的協(xié)議設(shè)計(jì)需求，本文提出了一種新的適用于航空自組網(wǎng)的MAC層接入?yún)f(xié)議，該協(xié)議基于TDMA方式，采用有中心分布式三級(jí)樹形拓?fù)渚W(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)。網(wǎng)內(nèi)每個(gè)節(jié)點(diǎn)均為中心節(jié)點(diǎn)的備份節(jié)點(diǎn)，有效保證了網(wǎng)絡(luò)的抗毀性；協(xié)議設(shè)計(jì)了節(jié)點(diǎn)入網(wǎng)和退網(wǎng)策略，實(shí)現(xiàn)了節(jié)點(diǎn)快速入網(wǎng)的通信需求以及不同子網(wǎng)間的融合和分離；協(xié)議可支持多種業(yè)務(wù)類型，中心節(jié)點(diǎn)結(jié)合節(jié)點(diǎn)的業(yè)務(wù)量設(shè)置，使用固定分配與動(dòng)態(tài)分配相結(jié)合的方式為網(wǎng)內(nèi)節(jié)點(diǎn)分配時(shí)隙，可滿足不同的業(yè)務(wù)需求；網(wǎng)內(nèi)節(jié)點(diǎn)采用定向切換天線在本節(jié)點(diǎn)占有的時(shí)隙內(nèi)發(fā)送數(shù)據(jù)，在其他時(shí)隙偵聽網(wǎng)絡(luò)狀態(tài)，全向接收數(shù)據(jù)；協(xié)議中不采用RTSCTS應(yīng)答方式，而在信標(biāo)幀中為入網(wǎng)申請(qǐng)做回應(yīng)，有效減少了網(wǎng)絡(luò)開銷，降低了節(jié)點(diǎn)的入網(wǎng)時(shí)延。最后，本文使用OP和STK軟件為協(xié)議建立了網(wǎng)絡(luò)仿真模型，設(shè)計(jì)了多種仿真場(chǎng)景，對(duì)不同的網(wǎng)絡(luò)負(fù)載下的網(wǎng)絡(luò)性能進(jìn)行了仿真。仿真結(jié)果表明，本文提出的協(xié)議相比較使用RTSCTS競(jìng)爭(zhēng)類的協(xié)議具有較低的節(jié)點(diǎn)入網(wǎng)延遲，較高的吞吐量，較低的丟包率和端到端時(shí)延，適用于高動(dòng)態(tài)航空自組網(wǎng)。

簡(jiǎn)介：點(diǎn)擊查看更多基于OpenStack云平臺(tái)的高可用集群系統(tǒng)設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn).pdf精彩內(nèi)容。

簡(jiǎn)介：隨著LED照明技術(shù)的迅猛發(fā)展，LED驅(qū)動(dòng)電源也成為了LED市場(chǎng)中不可缺少的一部分。LED采用恒流驅(qū)動(dòng)比恒壓驅(qū)動(dòng)更適合它的的電學(xué)特性。同時(shí)在恒流型電源中引入有源功率因數(shù)校正環(huán)節(jié)，以避免輸入諧波電流引起的噪聲以及對(duì)電網(wǎng)產(chǎn)生的諧波“污染”。本設(shè)計(jì)采用兩級(jí)變換，前級(jí)為有源功率因數(shù)校正環(huán)節(jié)，主拓?fù)錇锽OOST變換器，控制單元選用單周期前沿調(diào)制型功率因數(shù)控制芯片UCC28019，使電感電流按整流后輸入電壓保持輸出升壓的調(diào)整率，達(dá)到電感電流平均值的波形與整流后輸入電壓波形相位保持一致。后級(jí)為DCDC降壓變換，主拓?fù)錇殡p管正激變換器，實(shí)現(xiàn)了輸出側(cè)與輸入側(cè)的隔離，控制單元選用電流型控制芯片UC3844。通過采樣輸出側(cè)電流作為反饋的輸入，以實(shí)現(xiàn)恒流的輸出，同時(shí)采樣輸出側(cè)電壓在空載時(shí)作為反饋的輸入以實(shí)現(xiàn)空載輸出時(shí)電壓恒定。通過原理分析與電路設(shè)計(jì)，最后進(jìn)行了實(shí)物制作與調(diào)試，結(jié)果證明了方案的可行性和優(yōu)點(diǎn)。