高深寬比硅通孔的制作與填充技術(shù).pdf

1、隨著MEMS器件不斷朝著高集成度和低功耗等方向發(fā)展，對(duì)傳統(tǒng)的封裝方式提出了新的挑戰(zhàn)。硅通孔技術(shù)是三維集成電路中，利用先進(jìn)的封裝工藝和設(shè)備條件，通過(guò)不同芯片之間實(shí)現(xiàn)堆疊以達(dá)到互連的一種新的技術(shù)解決方案，可以極大地減小芯片間互連引線長(zhǎng)度、降低引線寄生效應(yīng)、提高信號(hào)的傳輸速率以及實(shí)現(xiàn)最小化互連線的延遲和功耗，是一種應(yīng)用于高密度3D封裝的新型互連技術(shù)。本文結(jié)合自身在中國(guó)兵器集團(tuán)第214所的實(shí)習(xí)工作經(jīng)歷，對(duì)硅通孔的制作與填充技術(shù)進(jìn)行了較為深入、系

2、統(tǒng)的研究，在大量實(shí)驗(yàn)的基礎(chǔ)上，分別對(duì)通孔的刻蝕與沉積工藝參數(shù)進(jìn)行調(diào)節(jié)、驗(yàn)證及改進(jìn)。本論文的主要研究?jī)?nèi)容如下:
　　(1)通過(guò)對(duì)不同工藝的原理進(jìn)行分析與比較，確定了利用ICP刻蝕技術(shù)和LPCVD技術(shù)分別進(jìn)行通孔的制作與填充，為后續(xù)實(shí)驗(yàn)的開(kāi)展奠定了理論基礎(chǔ)。
　　(2)綜合考慮了硅通孔刻蝕過(guò)程中的相關(guān)工藝參數(shù)對(duì)刻蝕結(jié)果產(chǎn)生的影響，并完善了高深寬比通孔刻蝕工藝參數(shù)，最終實(shí)現(xiàn)了上口尺寸14.41μm、下口尺寸8.83μm、深度331