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文檔簡介
1、廈門大學(xué)學(xué)位論文原創(chuàng)性聲明本人呈交的學(xué)位論文是本人在導(dǎo)師指導(dǎo)下,獨立完成的研究成果。本人在論文寫作中參考其他個人或集體已經(jīng)發(fā)表的研究成果,均在文中以適當(dāng)方式明確標(biāo)明,并符合法律規(guī)范和《廈門大學(xué)研究生學(xué)術(shù)活動規(guī)范(試行)》。另外,該學(xué)位論文為(硅基光電子材料與器件)課題(組)的研究成果,獲得(硅基光電子材料與器件)課題(組)經(jīng)費或?qū)嶒炇业馁Y助,在(半導(dǎo)體光子學(xué)研究中心)實驗室完成。聲明人(簽名):仫童董加以年月幻日摘要隨著信息科學(xué)與微電子
2、技術(shù)的發(fā)展,閃存已經(jīng)成為今天市場上主流的非易失性存儲器。但是隨著浮柵存儲器件尺寸的不斷縮小,浮柵耦合、電荷泄漏、單元之間的串?dāng)_等問題日益嚴(yán)峻,開發(fā)更小尺寸、更低功耗和更高集成度的新型存儲單元已成必然趨勢。在新型非易失性存儲器的研究中,阻變存儲器由于結(jié)構(gòu)簡單、讀寫速度快、存儲密度高、操作電壓低、與CMOS工藝兼容性好等優(yōu)勢有望成為新一代非易失性存儲器。本文基于原子層沉積生長的HID2薄膜,研究了在不同溫度下原子層沉積生長Hf02薄膜的阻變
3、特性,確定了最佳工藝溫度;在此基礎(chǔ)上,設(shè)計了一種新型的1D1R阻變單元器件,闡述了器件的設(shè)計思路和制作過程,測試了該器件的阻變特性,分析了器件基于導(dǎo)電通道模型的阻變機理,同時研究并討論了器件的低溫特性和工作溫度區(qū)間。主要成果如下:1、研究了不同溫度原子層沉積Hf02薄膜的阻變特性。A1/HfOE/Pt結(jié)構(gòu)器件表現(xiàn)出單極性的阻變特性。當(dāng)生長溫度低于200℃時,HID2沒有阻變特性;生長溫度大于250℃時開始出現(xiàn)穩(wěn)定的阻變特性;生長溫度大于
4、300℃時器件的SET、RESET過程一致性退化。其中,275℃生長的Hf02薄膜表現(xiàn)出優(yōu)良的一致性和耐受性,所以該溫度是阻變特性Hf02的最佳生長溫度。2、設(shè)計并制作了一種新型1D1R阻變器件,表征了該器件的阻變特性。器件以肖特基二極管和阻變單元串聯(lián)形成1D1R結(jié)構(gòu),將金屬Ti層作為連接二極管和阻變單元的公共電極,金屬Ti層一方面與Si襯底接觸形成肖特基二極管,二極管反向飽和電流作為保護阻變器件的限制電流,另一方面作為Hf02阻變存儲
5、器下電極,增強器件的阻變特性。這種Pt/Hf02/Ti/nSi(001)結(jié)構(gòu)的1D1R阻變單元器件表現(xiàn)出雙極性、自限制的阻變特性。測試結(jié)果表明該器件具有良好的一致性和數(shù)據(jù)保持特性。器件Forming電壓為404V,經(jīng)歷68個電壓循環(huán)掃描后器件的阻變特性依然很穩(wěn)定,高低阻態(tài)都各自分布在一個數(shù)量級之內(nèi),高低阻之比為103,SET電壓集中分布在12V到18V范圍內(nèi),RESET電壓分布在09V到125V的范圍。同時,以上SET電壓、RESET電
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