基于MEMS的4H-SiC壓力傳感器工藝研究.pdf

1、在鉆井、汽車和飛機(jī)的發(fā)動(dòng)機(jī)中，對(duì)高溫器件有大量的需求，特別是在200～600℃間進(jìn)行壓力監(jiān)控的壓力傳感器。由于在高溫下pn結(jié)漏電流增大、金屬擴(kuò)散會(huì)引起金屬/半導(dǎo)體接觸的退化及引線鍵合失效等，傳統(tǒng)硅(Si)壓力傳感器很難在高溫環(huán)境下穩(wěn)定工作。碳化硅(SiC)是高溫半導(dǎo)體材料，其出色的電學(xué)特性（寬禁帶、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)）使得它成為惡劣環(huán)境下電子器件的首選材料。SiC在高溫下具有非常出色的熱學(xué)、力學(xué)性能，壓阻系數(shù)也較高，這些優(yōu)勢(shì)使得4H-SiC非常

2、適合制造惡劣環(huán)境下工作的壓力傳感器。
　　本文重點(diǎn)開(kāi)展4H-SiC壓力傳感器芯片關(guān)鍵工藝技術(shù)研究，分別通過(guò)對(duì)敏感膜片和壓阻條、接觸窗口、歐姆接觸層和引線層制備關(guān)鍵工藝的實(shí)驗(yàn)比較研究，優(yōu)化了工藝流程，確立了各工序的工藝參數(shù)。通過(guò)工藝整合和掩膜版設(shè)計(jì)，確立了芯片制造的工藝流程，制備出4H-SiC壓力傳感器芯片。
　　設(shè)計(jì)芯片封裝用的玻璃環(huán)，采用表壓封裝，室溫下測(cè)試得到量程分別為1MPa、2 MPa、3 MPa時(shí)，壓力傳感器對(duì)應(yīng)的