2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
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文檔簡介

1、本文通過高分子輔助沉積法,在銅、金和鉑等金屬基底以及鋁酸鑭單晶基底上嘗試制備CaCu3Ti4O12(CCTO)薄膜,通過對制備工藝的不斷調(diào)整與優(yōu)化,分別制備出了成膜均勻、質(zhì)量較高的多晶和外延CCTO薄膜,對薄膜進行介電性能測試,結(jié)果表明制得的CCTO薄膜的介電常數(shù)較大,而介電損耗也非常大,直接阻礙了高介電材料CCTO在電子器件中的應用,為更準確探究CCTO內(nèi)部介電損耗的本質(zhì),本文主要探尋兩種有效的方法可以降低損耗:
  1,在一定

2、的高壓范圍,高純氧條件下,通過高分子輔助沉積法制備CCTO薄膜。通過控制一定壓強的純氧,可大幅減少微觀結(jié)構內(nèi)的氧空位缺陷,繼而降低其介電損耗,但壓強大過固定閾值時,薄膜與基片間存在的晶格失配、熱膨脹不匹配,以及氣壓壓強等因素,將導致晶胞體積發(fā)生較大改變,繼而引發(fā)一系列的位錯、缺陷、疇界和晶格畸變,這些變化又會引發(fā)新的空間電荷,使低頻段的介電損耗驟增。當高壓處于0.35~0.75Mpa,氣氛為高純氧(99.999%)時,在單晶基底LaAl

3、O3(LAO)(001)上制備得到的CCTO的介電損耗為0.002~0.01(10-100kHz),當氣壓為0.55Mpa時,介電損耗最低,損耗角正切值tanδ≈0.002(10-100kHz)。
  2,通過對CCTO薄膜進行鋯摻雜,高壓下?lián)诫s燒結(jié),薄膜的介電損耗先增大后減小。常壓下?lián)诫s燒結(jié),CCTO的介電損耗先減小后增大。不同氣壓和不同摻雜量,Zr離子堆積的主要位置也不相同,一部分進入晶界,阻礙自由電子移動,減小漏電流,增大了

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