憶阻器讀寫電路的設計.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、隨著蔡少棠提出了憶阻器的概念以后,憶阻器被認為是除電阻器、電容器、電感器外的第四種基本電路元件,它描述了電路理論中磁通量φ和電荷量q之間的關系。在隨后一段時間里憶阻器的研究沒有太大的進展,直到2008年HP實驗室制出了憶阻器實物才證實了蔡少棠的這一基本理論。因為憶阻器具有納米級尺寸及記憶功能,在憶阻器模型分析、基礎電路分析、電子元件設計、集成電路以及神經網(wǎng)絡等方面得到了研究學者的關注,使得憶阻器具有廣闊的應用前景。
　　本文詳細分

2、析了憶阻器的特性、工作原理,推導了荷控憶阻器及磁控憶阻器的模型。在此基礎上提出了一種荷控憶阻器的理論模型。然后對該模型進行了SPICE電路仿真,仿真結果和惠普實驗室給出的憶阻器物理模型的特性曲線一致,相比于Hyongsuk Kim所提出的憶阻器模型,改進的憶阻器模型的優(yōu)勢在于Ron、ofR的范圍可調、等效―離子遷移速率‖可調。
　　然后,本文研究了荷控憶阻器的電荷特性和頻率特性,根據(jù)憶阻器的電荷特性和頻率特性研究了讀取憶阻器阻值的

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