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文檔簡介
1、隨著近年來紫外探測技術的迅猛發(fā)展,SiC材料和器件憑借其獨特的優(yōu)勢,在光通信的應用中展現了廣闊的發(fā)展前景,因此以SiC為基礎的光接收機模塊的設計具有重要的意義。然而不論是光學器件還是SiC器件,目前都沒有成熟的電路模型進行電路設計,如果要利用微電子電路的模擬方法對OEIC進行模擬分析,則必須首先建立這些器件用純電學元件等效的電路模型。
本論文基于4H-SiC MESFET器件的小信號模型與大信號模型,借助ISE-TCAD軟件得
2、到的仿真結果提取出參數模型,建立了用于PSpice軟件的等效電路模型,模型吻合度較高,具有一定的實用性。通過PSpice提供的網表描述語言對建立的電路模型進行了子電路描述,得到器件轉移特性曲線與輸出特性曲線。
設計了兩種由紫外光電探測器與前置放大器組成的光接收機前端電路,其中光電探測器采用4H-SiC MSM結構,前置放大器采用4H-SiC MESFET。對光接收機前端電路的幅頻特性、瞬態(tài)特性與等效輸入噪聲進行了電學仿真。改進
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