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1、半導(dǎo)體化合物CuInSe2是銅銦硒薄膜太陽能電池吸收層的基本材料,通過對CuInSe2材料的摻雜,可以有效的提高CIS太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率,其中利用Ga元素部分替代In元素是實(shí)驗(yàn)上常用的手段。本文采用基于密度泛函理論(DFT)的全電子勢線性綴加平面波方法(FPLAPW),對Ga摻雜的CuInSe2材料的電子結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)進(jìn)行了第一性原理研究。首先我們對摻雜和未摻雜的CuInSe2晶體的幾何結(jié)構(gòu)進(jìn)行了優(yōu)化,在此基礎(chǔ)上,理論計(jì)算了Ga摻雜C
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