SiO2微波介質(zhì)材料.pdf

1、本論文系統(tǒng)研究了SiO2低介電常數(shù)微波介質(zhì)材料的制備、相組成、微結(jié)構(gòu)及微波介電性能，討論了其微波介電性能隨結(jié)構(gòu)、微結(jié)構(gòu)的變化規(guī)律。
　　 通過不同方法制備了致密的非晶SiO2塊體材料，并研究了其微波介電性能。對(duì)于通過固相燒結(jié)法制備的SiO2非晶試樣，其介電常數(shù)εr和Qf值都隨著燒結(jié)時(shí)間的延長(zhǎng)而升高，而諧振頻率溫度系數(shù)τf則隨燒結(jié)時(shí)間的延長(zhǎng)而降低。在1100℃下燒結(jié)5小時(shí)制得的試樣具有如下最佳微波介電性能：εr=3.72，Qf=4

2、4，300GHz，τf=-14.4 ppm/℃。而通過放電等離子燒結(jié)法和熔融法制備的SiO2非晶試樣則接近完全致密，并具有更好的微波介電性能：對(duì)于放電等離子燒結(jié)法，εr=3.90，Qf=63，500 GHz，τf=-5.7 ppm/℃；對(duì)于熔融法，εr=3.83，Qf=122，100 GHz，τf=-8.3 ppm/℃。
　　 通過固相燒結(jié)法制備了致密的方石英相SiO2陶瓷。隨著燒結(jié)溫度的升高，其介電常數(shù)εr和諧振頻率溫度系數(shù)τ