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文檔簡介
1、聚酰亞胺(PI)纖維力學(xué)性能優(yōu)異、耐高溫且質(zhì)輕絕緣,可作為耐高溫絕緣材料應(yīng)用于航空航天、國防通訊和交通電力等高科技領(lǐng)域。而聚酰亞胺纖維結(jié)構(gòu)呈現(xiàn)明顯的各項同性特征,分子鏈呈現(xiàn)剛性,性質(zhì)十分穩(wěn)定,這導(dǎo)致纖維表面鈍化,缺少化學(xué)活性基團,親水性極差,紙頁成形加工困難。因此,對聚酰亞胺纖維進行一定的表面改性有助于改善其表面活性,提高紙基材料的綜合性能。但是,大量的研究只針對在聚酰亞胺纖維合成過程中的改性,成品聚酰亞胺纖維的表面改性卻鮮有研究。
2、r> 本論文首先分析了聚酰亞胺短切纖維、對位芳綸沉析纖維的表觀形貌、形態(tài)參數(shù)、化學(xué)結(jié)構(gòu)、熱穩(wěn)定性等特征,為高性能聚酰亞胺纖維紙基材料的制備和性能分析提供理論依據(jù)。結(jié)果表明:聚酰亞胺短切纖維表面光滑,呈圓柱狀,無任何活性親水基團,其長度均一性高,細小纖維含量極少,纖維較長,重均長度為5.319mm,在水相介質(zhì)中易絮聚,分子結(jié)構(gòu)中含有聚酰亞胺獨有的叔酰胺結(jié)構(gòu),初始降解溫度為530℃,TG10%為560℃,熱重損失為45.19%。對位芳綸沉
3、析纖維分絲帚化明顯,整體呈裙帶狀,輕薄柔軟,吸水性好,分散性好,纖維長度范圍較廣,細小纖維含量為35.5%,分子結(jié)構(gòu)中含有仲酰胺基團,初始降解溫度為500℃,TG10%為525℃,熱重損失高達54.02%。
采用乙二胺改性PI纖維,分析了改性前后纖維的表面形貌、化學(xué)結(jié)構(gòu)、熱穩(wěn)定性,紙基材料的力學(xué)性能、介電性能和潤濕性以及乙二胺對PI纖維的改性機理。結(jié)果表明:隨著改性時間的延長,紙基材料的抗張指數(shù)、撕裂指數(shù)、層間結(jié)合強度和介電強
4、度均呈現(xiàn)先上升后下降的趨勢。當改性時間為1.5h時,紙頁的抗張指數(shù)、層間結(jié)合強度和介電強度都達到最佳值,分別為37.4 N·m/g、0.57J/m2、8.77Kv/mm,當改性時間為2h時,紙頁的撕裂指數(shù)達到最大,為22.1 mN·m2/g。FT-IR分析表明,改性后的PI纖維叔酰胺基團峰強減弱,并在1650cm-1、1550cm-1處出現(xiàn)了仲酰胺基團的吸收峰,3500-3000cm-1處為 NH2(CH2)2NH2分子結(jié)構(gòu)中的 N-H
5、鍵的吸收峰。聚酰亞胺纖維紙基材料的潤濕性也得到改善,其接觸角由116°降低至66.8°。TG-DSC曲線分析表明,PI纖維經(jīng)乙二胺改性后,其初始熱降解溫度由原來的530℃降低至480℃,熱失重10%時,溫度由原來的560℃降低至515℃。
添加納米 SiO2粒子有助于改善聚酰亞胺纖維紙基材料的力學(xué)性能和電氣性能。當納米二氧化硅用量為10%時,紙頁的介電強度和抗張指數(shù)最佳,可達32.56 N·m/g和8.45 Kv/mm,介電常
6、數(shù)和介電損耗正切值最小,為1.02 F/m和0.1429;當納米SiO2添加量為20%時,紙頁的撕裂指數(shù)最大,為23.92 mN·m2/g。當采用KH550改性的納米SiO2粒子時,紙頁的抗張指數(shù)、撕裂指數(shù)和介電強度分別提高了32.8%,28.4%,17.5%。SEM圖顯示,納米SiO2用量≤10%時,在紙頁中的分散較好;而納米SiO2用量>10%時,出現(xiàn)絮聚現(xiàn)象,且該現(xiàn)象隨納米 SiO2含量的增加逐漸嚴重。通過漿料體系中分別添加未改性
7、和改性的納米 SiO2粒子,聚酰亞胺纖維紙基材料的潤濕性能也得到改善,其接觸角由116°降低至51°。
采用原位沉積納米 SiO2改性聚酰亞胺纖維,分析了改性前后纖維的表面形貌、化學(xué)結(jié)構(gòu)、熱穩(wěn)定性,紙基材料的力學(xué)性能、介電性能和潤濕性以及原位沉積納米SiO2對PI纖維的改性機理。結(jié)果表明:隨著改性時間的延長,紙基材料的抗張指數(shù)、撕裂指數(shù)、層間結(jié)合強度和介電強度均呈現(xiàn)先上升后下降的趨勢。當改性時間為4h時,紙頁的抗張指數(shù)、層間結(jié)
8、合強度和介電強度都達到最佳值,分別為31.3 N?m/g、0.42J/m2、11.24Kv/mm,當改性時間為2h時,紙頁的撕裂指數(shù)達到最大,為20.4 mN?m2/g。SEM-EDS表明,PI纖維表面沉積了大量的納米SiO2。FT-IR分析表明,改性后的PI纖維叔酰胺基團峰強減弱,并在1650cm-1、1550cm-1處出現(xiàn)了仲酰胺基團的吸收峰,3200-2500cm-1處為-COOH中的羥基吸收峰,1073cm-1處出現(xiàn)C-O-Si
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