太陽(yáng)能電池用硅材料中痕量金屬雜質(zhì)含量的ICP-MS分析方法研究.pdf

1、太陽(yáng)能是人類能夠獲得的最清潔的能源之一，現(xiàn)已得到高度重視和廣泛應(yīng)用。到目前為止，太陽(yáng)能光電工業(yè)基本上是建立在硅材料的基礎(chǔ)之上，世界上絕大部分的太陽(yáng)能光電器件是用晶體硅制造的。太陽(yáng)能級(jí)硅材料通常指純度為6個(gè)9(6N)以上的高純硅材料，即純度為99.9999％以上的硅材料。近年來(lái)，太陽(yáng)能級(jí)硅的需求逐年迅速遞增，對(duì)其純度的要求也越來(lái)越高。為了準(zhǔn)確判定太陽(yáng)能級(jí)硅的純度級(jí)別，急需研究建立有效的痕量雜質(zhì)的測(cè)試方法，為材料應(yīng)用提供技術(shù)支持。
　

2、　 本文對(duì)材料純度測(cè)試方法進(jìn)行了系統(tǒng)的研究，精確測(cè)量了硅材料中痕量金屬雜質(zhì)并分析了其對(duì)材料電學(xué)性能的影響，建立了太陽(yáng)能級(jí)硅材料中Al、Fe、Ca、Mg、Cu、Zn、Cr、Ni、Mn等痕量金屬雜質(zhì)的ICP-MS直接測(cè)定方法。
　　 從上世紀(jì)八十年代初逐步發(fā)展起來(lái)的ICP-MS技術(shù)，是痕量分析領(lǐng)域一種非常理想的方法。該方法具有質(zhì)譜圖簡(jiǎn)單、檢出限低、動(dòng)態(tài)線性范圍寬、多元素快速分析的特點(diǎn)，已廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、環(huán)境、冶金等領(lǐng)域。本文詳細(xì)

3、介紹了ICP-MS儀器的原理結(jié)構(gòu)和測(cè)量參數(shù)優(yōu)化。研究了ICP-MS測(cè)量過(guò)程中的各種干擾，如氧化物干擾、多原子離子干擾、重疊干擾等。分析了基體元素產(chǎn)生的基體效應(yīng)和可能的消除方法，著重考察了內(nèi)標(biāo)元素Sc、Y、Rh等對(duì)基體抑制效應(yīng)的補(bǔ)償。采用Sc和Rh做內(nèi)標(biāo)元素補(bǔ)償基體效應(yīng)和靈敏度漂移，在直接測(cè)定中取得良好的效果。樣品的加標(biāo)回收率為90.0％～107.1％，相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差(RSD)0.9％～3.4％，檢出限為0.030μg/L～0.500μg/