太陽能電池用硅材料中痕量金屬雜質含量的ICP-MS分析方法研究.pdf

1、太陽能是人類能夠獲得的最清潔的能源之一，現(xiàn)已得到高度重視和廣泛應用。到目前為止，太陽能光電工業(yè)基本上是建立在硅材料的基礎之上，世界上絕大部分的太陽能光電器件是用晶體硅制造的。太陽能級硅材料通常指純度為6個9(6N)以上的高純硅材料，即純度為99.9999％以上的硅材料。近年來，太陽能級硅的需求逐年迅速遞增，對其純度的要求也越來越高。為了準確判定太陽能級硅的純度級別，急需研究建立有效的痕量雜質的測試方法，為材料應用提供技術支持。
　

2、　 本文對材料純度測試方法進行了系統(tǒng)的研究，精確測量了硅材料中痕量金屬雜質并分析了其對材料電學性能的影響，建立了太陽能級硅材料中Al、Fe、Ca、Mg、Cu、Zn、Cr、Ni、Mn等痕量金屬雜質的ICP-MS直接測定方法。
　　 從上世紀八十年代初逐步發(fā)展起來的ICP-MS技術，是痕量分析領域一種非常理想的方法。該方法具有質譜圖簡單、檢出限低、動態(tài)線性范圍寬、多元素快速分析的特點，已廣泛應用于半導體、環(huán)境、冶金等領域。本文詳細

3、介紹了ICP-MS儀器的原理結構和測量參數(shù)優(yōu)化。研究了ICP-MS測量過程中的各種干擾，如氧化物干擾、多原子離子干擾、重疊干擾等。分析了基體元素產生的基體效應和可能的消除方法，著重考察了內標元素Sc、Y、Rh等對基體抑制效應的補償。采用Sc和Rh做內標元素補償基體效應和靈敏度漂移，在直接測定中取得良好的效果。樣品的加標回收率為90.0％～107.1％，相對標準偏差(RSD)0.9％～3.4％，檢出限為0.030μg/L～0.500μg/