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1、Yb3+的電子構(gòu)型僅有一個(gè)基態(tài)和激發(fā)態(tài)，無(wú)激發(fā)態(tài)吸收和上轉(zhuǎn)換，YAG有優(yōu)良的機(jī)械性能，Yb3+離子吸收帶寬，能與InGaAs二極管泵浦源有效的耦合，可以獲得1030nm激光輸出，可以實(shí)現(xiàn)高濃度的摻雜，使Yb：YAG晶體更具特色。 本文對(duì)5N的原料進(jìn)行合成，并用X-射線進(jìn)行了表征，可以得到Y(jié)AG相的高純?cè)?，用CZ法生長(zhǎng)了摻雜濃度為5﹪的Yb：YAG晶體，對(duì)晶體的生長(zhǎng)工藝進(jìn)行了研究如：溫場(chǎng)結(jié)構(gòu)、坩堝壁的裸露程度對(duì)晶體生長(zhǎng)的影響、小
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