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文檔簡介
1、ZnO是一種直接寬帶隙半導體發(fā)光材料,室溫下禁帶寬度為3.37 eV,激子束縛能為60meV,在室溫下可以實現(xiàn)激子發(fā)射。納米材料具有體材料不具備的許多光學特性,利用其制成的光學材料將廣泛應用于日常生活和高科技領域。稀土離子存在很多能級結構在近紫外和可見波段內(nèi),有許多的特征銳譜線,作為發(fā)光中心是一種比較好的選擇。因此通過摻雜稀土離子來改善ZnO的發(fā)光性能并希望獲得優(yōu)異的發(fā)光材料。
本文用溶劑熱方法合成了粒徑較小的Ce摻雜Zn
2、O納米棒和ZnO納米球,二者的制備條件類似只是溶劑不同,用乙醇作溶劑時產(chǎn)物為ZnO納米棒,用甲醇作溶劑時產(chǎn)物則為ZnO納米球。ZnO納米棒的粒徑大約為10-20 nm,ZnO納米球的粒徑大約為20-30nm。X射線衍射譜表明摻入鈰離子使得ZnO的晶格常數(shù)變大,衍射峰向小角方向移動。通過比較純的ZnO納米棒和Ce摻雜ZnO納米棒的紫外一可見吸收光譜發(fā)現(xiàn)摻雜使樣品的激子吸收峰發(fā)生了明顯的紅移。而比較ZnO納米球和Ce摻雜ZnO納米球的紫外一
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