ZnO納米棒陣列復(fù)合薄膜的制備及其光、電性質(zhì).pdf

1、近年來(lái)，一維ZnO納米結(jié)構(gòu)用于納米光電器件的研究已經(jīng)引起了人們廣泛的關(guān)注。通過(guò)摻雜不同的元素、表面包覆（表面修飾）可以調(diào)節(jié)ZnO納米棒陣列的物理化學(xué)性質(zhì)，以滿足具有特定功能的器件的需求。本文主要采用化學(xué)浴沉積的方法合成了ZnO納米棒陣列，進(jìn)一步合成了ZnO/ZnS納米棒:P3HT復(fù)合薄膜及ZnO/CuO納米棒陣列并分別研究了它們的光、電性質(zhì)。主要工作內(nèi)容如下:
　　 1、通過(guò)改變反應(yīng)物濃度和反應(yīng)時(shí)間分別合成了長(zhǎng)度為250nm及1

2、.5μm的ZnO納米棒。PL譜的分析認(rèn)為568nm發(fā)光峰可能的來(lái)源為淺施主能級(jí)Zni+與受主能級(jí)VoZni的躍遷，649nm附近的紅光的來(lái)源可能為Zni0到Oi的躍遷。引入ZnS納米粒子對(duì)ZnO納米棒表面進(jìn)行修飾及鈍化ZnO的表面缺陷，以減弱其缺陷發(fā)光峰。分別合成了結(jié)構(gòu)為:ITO-ZnO-P3HT-Au和ITO-ZnO-ZnS-P3HT-Au的兩類器件。通過(guò)I-V測(cè)試討論了兩類器件的開(kāi)啟電壓，串聯(lián)電阻，反向漏電流，及整流比等參數(shù)。由于Z