紅色和近紅外長(zhǎng)余輝材料的探索.pdf

1、長(zhǎng)余輝發(fā)光材料是一種能夠?qū)⒓ぐl(fā)光能量?jī)?chǔ)存起來(lái)，能量在激發(fā)光源關(guān)閉后以可見(jiàn)光的形式釋放出來(lái)，形成持續(xù)發(fā)光。近年來(lái)，隨著人們節(jié)能環(huán)保意識(shí)的加強(qiáng)，紅色長(zhǎng)余輝發(fā)光材料越來(lái)越受到人們的關(guān)注，目前，藍(lán)色和綠色長(zhǎng)余輝發(fā)光材料的長(zhǎng)余輝性能已經(jīng)有了很大發(fā)展，而紅色長(zhǎng)余輝發(fā)光材料因?yàn)橛噍x時(shí)間短、發(fā)光強(qiáng)度低等原因一直沒(méi)有達(dá)到廣泛應(yīng)用。因此，尋找具有良好性能的紅色和近紅外長(zhǎng)余輝發(fā)光材料，具有重要的實(shí)際意義。本文采用高溫固相法合成了Cr3+離子摻雜鎵酸鹽系列近紅

2、外長(zhǎng)余輝發(fā)光材料和采用高溫碳熱還原氮化法制備了Eu2++離子摻雜硅基氮化物Sr2Si5N8∶Eu2+紅色發(fā)光材料。討論了Zn元素對(duì)MgGa2O4∶Cr3+中的Mg元素做等價(jià)替代對(duì)結(jié)構(gòu)和發(fā)光性能的影響。以及分別用Ge元素和Si元素對(duì)ZnGa2O4∶Cr3+中的Ga元素做不等價(jià)替代對(duì)結(jié)構(gòu)和發(fā)光性能的影響。并研究了不同SrCO3與Si3N4的摩爾比k對(duì)Sr2Si5N8∶Eu2+合成和發(fā)光性能的影響。
　　 (1)通過(guò)高溫固相法制備了Z

3、nxMg(1-x)Ga2O4∶0.5％Cr3+(x=0、0.2、0.6、0.8、1.0)磷光體樣品。X射線衍射譜發(fā)現(xiàn)隨著x值得增大，晶體面間距逐漸增加晶格膨脹，光致發(fā)光特性表明樣品的近紅外發(fā)射峰均由以Cr3+為發(fā)光中心的電子2E-4A2躍遷所致，紫外激發(fā)下的發(fā)射峰由704nm逐漸移動(dòng)到696nm，向短波長(zhǎng)方向移動(dòng)，長(zhǎng)余輝時(shí)間逐漸變短，熱釋光峰逐漸由473K降低到384K。不同Zn摻入量的樣品余輝衰減快慢不同
　　 (2)通過(guò)高溫

4、固相法制備了Zn(1+x）Ga(2-2x)GexO4∶Cr3+(x=0、0.2、0.4、0.6、0.8、1.0)磷光體樣品。X射線衍射譜表明當(dāng)x≤0.4時(shí)，產(chǎn)物的物相結(jié)構(gòu)為ZnGa2O4立方結(jié)構(gòu);當(dāng)x≥0.6時(shí)，產(chǎn)物的物相結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變?yōu)閆n2GeO4三方結(jié)構(gòu)。光致發(fā)光特性表明樣品的近紅外發(fā)射峰均由以Cr3+為發(fā)光中心的電子2E-4A2躍遷與4T2-4A2躍遷共同所致.所制備的材料具有近紅外長(zhǎng)余輝發(fā)光性能，余輝衰減曲線和熱釋光分析發(fā)現(xiàn)，不同G

5、e摻入量的樣品中存在陷阱能級(jí)深度不同;樣品長(zhǎng)余輝特性來(lái)源于發(fā)光中心與陷阱之間的量子隧穿效應(yīng)。
　　 (3)通過(guò)高溫固相法制備了Zn(1+x）Ga(2-2x)SixO4∶Cr3+(x=0、0.4、0.6、0.8、1.0)磷光體樣品。樣品的結(jié)構(gòu)與光致發(fā)光特性都與Zn(1+x)Ga(2-2x)GexO4∶Cr3+系列樣品相似，然而，樣品具有較強(qiáng)的紅色長(zhǎng)余輝特性。
　　 (4)通過(guò)碳熱還原氮化法制備了不同SrCO3與Si3N4的