(CuInSe2)x(ZnSe)1-x和(Cu2SnSe3)x(ZnSe)1-x多組分半導(dǎo)體納米晶的制備與表征.pdf

1、半導(dǎo)體納米晶在不斷發(fā)展和完善的功能化納米材料與器件中扮演著極為重要的角色，而納米材料的合成更是納米材料領(lǐng)域的重要課題之一。半導(dǎo)體納米晶顯示出了不同于本體材料的量子尺寸效應(yīng)，已經(jīng)被廣泛地應(yīng)用于太陽(yáng)能電池、場(chǎng)效應(yīng)晶體管、發(fā)光二極管、生物標(biāo)記等領(lǐng)域。在這些半導(dǎo)體材料中，CuInSe2、Cu2SnSe3等Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ、Ⅰ-Ⅳ-Ⅵ族半導(dǎo)體材料，具有禁帶寬度與太陽(yáng)光譜相匹配，高理論轉(zhuǎn)換效率、高光吸收系數(shù)、直接禁帶、穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)，因此成為了很有發(fā)展前

2、景的下一代太陽(yáng)電池；ZnSe是一種Ⅱ-Ⅵ族化合物直接帶隙半導(dǎo)體材料，禁帶寬度為2.7ev，對(duì)于可見(jiàn)光波段的吸收較小，生長(zhǎng)過(guò)程中需要的溫度比較低，是一種很好的替代毒性CdS作為太陽(yáng)能電池緩沖層的材料。
　　本論文采用了熱注射法制備了(CuInSe2)x(ZnSe)1-x、(Cu2SnSe3)x(ZnSe)1-x多組分半導(dǎo)體合金納米晶，通過(guò)XRD、EDS、UV-via、XPS、TEM等表征手段對(duì)樣品的結(jié)構(gòu)，元素組成，微觀結(jié)構(gòu)以及光學(xué)性