ZnO薄膜晶體管的模型與研究.pdf

1、氧化鋅薄膜晶體管由于具有良好的透明性、導(dǎo)電性以及低溫生長(zhǎng)和高遷移率的材料而受到廣泛關(guān)注，成為下一代透明顯示器件的有力競(jìng)爭(zhēng)者。由于制備工藝及溫度限制，目前的氧化鋅薄膜晶體管溝道層為多晶晶態(tài)，嚴(yán)重的影響著器件性能，也限制了其應(yīng)用范圍。而針對(duì)氧化鋅多晶溝道與電性能改善的理論研究與分析尚處于初步階段。
　　本文針對(duì)多晶氧化鋅薄膜晶體管提出一種缺陷態(tài)密度模型。該模型考慮了多晶材料晶界處按指數(shù)分布的帶尾態(tài)缺陷態(tài)和能帶中央按高斯分布的深能級(jí)缺陷

2、態(tài)濃度，經(jīng)過(guò)驗(yàn)證，理論與實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)吻合。該模型能夠很好的描述多晶氧化鋅薄膜晶體管的性能，并分析了帶尾態(tài)缺陷態(tài)和深能級(jí)缺陷態(tài)對(duì)其性能的影響。在模型的基礎(chǔ)上，針對(duì)ZnO TFT的柵介質(zhì)結(jié)構(gòu)進(jìn)行改善，采用高 K介質(zhì) HfO2，同時(shí)考慮到界面接觸特性，在 HfO2兩側(cè)引入夾層介質(zhì)，結(jié)果形成了SiO2/HfO2/SiO2三層介質(zhì)結(jié)構(gòu)；對(duì)三層?xùn)沤橘|(zhì)結(jié)構(gòu)進(jìn)一步改善，產(chǎn)生了SiO2/HfO2/Al2O2結(jié)構(gòu)。然后，本文又對(duì)器件的有源層進(jìn)行改變，引入了IT