高電源抑制比和高精度基準電壓源的設計與優(yōu)化.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、隨著集成電路尺寸的不斷減小和半導體制造工藝的迅速發(fā)展，為了保證整個系統(tǒng)的優(yōu)良性能，具有高精度和高電源抑制比的基準電壓源幾乎成了所有模擬和混合電路系統(tǒng)中不可缺少的基本模塊。本文根據(jù)國內(nèi)外基準源的研究現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢，在介紹了基準源工作原理的基礎上，詳細分析了其溫度特性和電源抑制比頻率特性，最終設計了一款采用新的高階補償方法及電源抑制比提高結(jié)構(gòu)的高電源抑制比和高精度的基準電壓源。
　　本文提出的新的高階溫度補償技術將原來只有一個極值的基

2、準電壓溫度特性曲線變成了具有三個極值的溫度特性曲線，這種方法能有效的減小溫度系數(shù)。通過對電源抑制比頻率特性的分析，提出了兩種提高電源抑制比的方法：一方面可以提高運放的增益；另一方面可以使運放的電源抑制比等于1。結(jié)合提出的高階補償方法和對電源抑制比頻率特性的分析，設計了一種高電源抑制比和高精度的基準電壓源。
　　對所設計的基準電壓源電路在3.3V電源電壓下，采用0.35μm工藝進行仿真，仿真結(jié)果表明在-40~135℃的溫度范圍內(nèi)，輸

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