一種高精度BiCMOS帶隙電壓基準源的設(shè)計.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本論文對當(dāng)前流行的電源管理芯片中的重要模塊基準電壓源進行了研究，設(shè)計了適用于DC-DC電路step-down芯片的一種高精度，高電源抑制帶隙電壓基準源，整個電路采用了UMC 0.6um BiCMOS工藝。它采用了共源共柵電流鏡結(jié)構(gòu)，并在電源內(nèi)部加入了一個兩級運算放大器，兩級運放輸出用于自身偏置電路，合理的設(shè)計獲得了高的電源抑制比。在抑制溫漂方面，利用了V<,BE>的負溫度系數(shù)和△V<,BE>的正溫度系數(shù)，并使用了PTAT(proport

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