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1、西安電子科技大學學位論文獨創(chuàng)性聲明秉承學校嚴謹的學風和優(yōu)良的科學道德,本人聲明所呈交的論文是我個人在導師指導下進行的研究工作及取得的研究成果。盡我所知,除了文中特別加以標注和致謝中所羅列的內容以外,論文中不包含其他人已經發(fā)表或撰寫過的研究成果;也不包含為獲得西安電子科技大學或其它教育機構的學位或證書而使用過的材料。與我一同工作的同志對本研究所做的任何貢獻均已在論文中做了明確的說明并表示了謝意。申請學位論文與資料若有不實之處,本人承擔一切
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3、學位論文屬于保密,在 年解密后適用本授權書。本人簽名:導師簽名:日期日期——————————羔L ——一Y I IIT 1 I U 8 l6 1 1 7 1 1 1 1 3 f i 6 ll 攀.摘要隨著深亞微米集成電路技術的不斷發(fā)展,集成工藝水平的不斷提高,電路設計技術的發(fā)展使得電路對參數要求越來越高,對基準源的性能也提出了挑戰(zhàn)。由于帶隙基準源能夠實現(xiàn)很高電源抑制比和較低溫度系數以及對C M O S 工藝的適用性,是目前最佳的基準源電
4、路。本文采用了帶隙基準源的結構設計了一種適用于A D C 電路的低電壓,高精度的帶隙基準電路。設計采用了共柵共源的電流鏡電路,以及去耦電容等濾波電路極大的提高了基準源對電源電壓的抑制能力,并通過采取正負溫度系數電流一階補償的方式,獲得了相對溫度系數較低的0 .5 V 基準電壓源以及電流源。本次設計使用了C h a r t e r0 .3 5 9 M 工藝庫并在H S P I C E 下仿真。結果表明:當溫度在.4 5 ℃~8 0 ℃變化
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