2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁(yè)
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1、作為電路系統(tǒng)中的標(biāo)尺,基準(zhǔn)電壓源是電源管理芯片、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器等集成電路(IC)中不可缺少的子模塊,其精度與相應(yīng)電路的性能息息相關(guān)。近些年來,電子設(shè)備的升級(jí)換代和新型電子產(chǎn)品投放市場(chǎng)的速度都在迅猛增長(zhǎng),這要求高性能的集成電路芯片作為支撐?;鶞?zhǔn)電壓源是集成電路中的一個(gè)關(guān)鍵模塊,對(duì)于其的優(yōu)化設(shè)計(jì)顯得尤為重要。鑒于上述情況,本文對(duì)高精度帶隙基準(zhǔn)電壓源的設(shè)計(jì)進(jìn)行了研究,旨在設(shè)計(jì)具有低溫度系數(shù)和高電源抑制能力的基準(zhǔn)電壓源。
  本論文在對(duì)帶隙基

2、準(zhǔn)電壓源基本結(jié)構(gòu)和工作原理進(jìn)行分析的基礎(chǔ)上,對(duì)降低帶隙基準(zhǔn)源的溫度系數(shù)和提高電源抑制能力的方法進(jìn)行了研究和比較,設(shè)計(jì)了一種混合模式輸出級(jí)的高階帶隙基準(zhǔn)電壓源。采用分段線性補(bǔ)償技術(shù)對(duì)基準(zhǔn)電壓的高階溫度分量進(jìn)行了精確修調(diào),使得基準(zhǔn)電壓的溫度系數(shù)大幅降低;采用偽電源電壓技術(shù)對(duì)供電進(jìn)行預(yù)穩(wěn)壓,提高基準(zhǔn)源的電源抑制比,同時(shí)也可為芯片其它模塊提供穩(wěn)定的供電電壓,提升芯片整體的性能。
  基于0.5 um BiCMOS工藝,在Hspice仿真軟

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