高精度BiCMOS基準(zhǔn)源溫度補(bǔ)償策略及電路實(shí)現(xiàn).pdf

1、基準(zhǔn)是電路中的標(biāo)尺，基準(zhǔn)源的精度和性能決定著整個(gè)系統(tǒng)的功能和性能的實(shí)現(xiàn)。近年來，隨著集成電路的特征尺寸不斷減小，芯片的供電電壓和功耗不斷降低，對(duì)基準(zhǔn)源的性能要求也越來越高。對(duì)于一個(gè)合格的高性能基準(zhǔn)源，低溫度系數(shù)是最基礎(chǔ)也是最重要的技術(shù)指標(biāo)。
　　 本文介紹了基準(zhǔn)源設(shè)計(jì)的發(fā)展過程和基本的基準(zhǔn)源電路結(jié)構(gòu)，研究了基準(zhǔn)源設(shè)計(jì)中所要求的達(dá)到的基本性能，其中著重討論了基準(zhǔn)源的溫度補(bǔ)償原理和方法，分析對(duì)比了幾種常見的高階補(bǔ)償策略。
　　

2、 論文設(shè)計(jì)了一個(gè)高精度BiCMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源，并基于ASMC0.35umBiCMOS工藝進(jìn)行電路仿真。采用一階溫度補(bǔ)償?shù)碾娏髑蠛湍Ｊ綍r(shí)，基準(zhǔn)源溫度系數(shù)為35ppm/℃，低頻時(shí)的電源電壓抑制比為98.8dB，并且具有較好的電源電壓調(diào)整率。采用高階溫度補(bǔ)償模式時(shí)，利用電阻的溫度特性法進(jìn)行高階補(bǔ)償后，溫度系數(shù)達(dá)到14ppm/℃，低頻時(shí)的電源電壓抑制比為245dB，基準(zhǔn)源的溫度性能得到了很大的提高。論文所設(shè)計(jì)的基準(zhǔn)源版圖有效面積為824*