低壓低功耗CMOS基準源補償策略及電路設計.pdf

1、基準源包括基準電壓源和基準電流源，它們是模擬電路的基本單元和重要模塊。近年來，集成電路的特征尺寸不斷減小，芯片的供電電壓和功耗不斷降低，并且對基準源的精度要求不斷提高。溫度補償是保證基準源精度的最關鍵環(huán)節(jié)，因此研究低壓低功耗基準源的補償策略是非常有意義的。
　　 本文研究了基準輸出非線性的來源，分析對比了常見的溫度補償策略，并進行了性能對比。在此基礎上，設計了一個低壓低功耗電流模結構帶隙基準電壓源，首先按一階補償進行初步設計，并

2、分別采用兩種方式進行了二階補償。由于采用電流模結構，輸出電壓不受1.25V限制，本項目中輸出電壓為600mV，并可根據需要繼續(xù)降低?；赟MIC0.18um CMOS工藝進行了電路模擬，仿真結果表明，電路實現了良好的溫度特性、高電源抑制比和較好的電壓調整率，低頻電源抑制比為75dB。未采用高階補償時，基準電壓溫度系數約為13ppm/℃；采用不同電阻的溫度特性法進行二階補償后，溫度系數為1.1ppm/℃；采用VBE線性化法進行高階補償后，