基于動態(tài)閾值低功耗CMOS基準(zhǔn)電壓源設(shè)計.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、低壓低功耗設(shè)計是集成電路設(shè)計的重要研究課題之一，本文對動態(tài)閾值低功耗CMOS基準(zhǔn)電壓源進行了深入的研究。 通過柵體互連實現(xiàn)了動態(tài)閾值MOS場效應(yīng)晶體管(DTMOS)，采用Medici對其漏極輸出、載流子遷移率、亞閾值等特性進行了仿真分析，證明它是實現(xiàn)電路低功耗的有效手段之一。 提出了基于動態(tài)閾值的低功耗CMOS基準(zhǔn)電壓源電路。在基準(zhǔn)電壓源核心電路中，折疊運算放大器和電流源采用了DTMOS，降低了電路的工作電壓和功耗；采用

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