基于CMOS工藝的低壓基準源設計.pdf

1、基準源是保證集成電路能夠正常工作的重要電路模塊。隨著微電子技術的發(fā)展,集成電路的特征尺寸不斷減小,電源電壓不斷降低,在很多低功耗集成電路中再使用電壓模帶隙基準源電路已經不能滿足低壓低功耗集成電路應用需要。對于電流模帶隙基準源和亞閾值基準源進行設計很有必要。
　　本論文設計的電流?；鶞试春蛠嗛撝祷鶞试淳蓡与娐?、運算放大器、正溫度系數(shù)產生模塊及負溫度系數(shù)產生模塊構成。在基準電路啟動后,啟動電路自動與基準源核心電路斷開,但是仍然還會

2、有很小的電流流過,運算放大器采用折疊共源共柵結構,并通過計算分析,確定了正負溫度系數(shù)產生模塊中器件的參數(shù),保證輸出的基準電壓是零溫度系數(shù)的電壓。本論文采用UMC的110nm標準CMOS工藝,完成了各電路模塊和整體電路的設計,并通過 Spectre對電路進行了仿真。在此基礎上,完成了電流模基準源和亞閾值基準源的版圖設計,進行了后仿真,并將后仿結果與前仿真進行了比較分析。
　　最終完成的兩種基準源的性能參數(shù)為:電流?；鶞试春蛠嗛撝祷鶞?/p>

3、源中的放大器的增益在低頻時分別為88.18dB@TT@27° C和82.91dB@TT@27° C;相位裕度分別為:83.56deg@TT@27°C和60.27deg@TT@27°C;基準源在溫度范圍為-40°C~90°C時,溫漂系數(shù)分別為1.1036ppm/°C@TT和19.978ppm/°C@TT;基準源電路在1KHz以下條件時電源電壓抑制比均都小于-60dB@TT@27° C;功耗分別為114.255μW@TT@27° C和90.