低壓低功耗模擬集成電路設(shè)計(jì)的準(zhǔn)浮柵技術(shù)研究.pdf_第1頁(yè)
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1、隨著便攜式消費(fèi)類電子產(chǎn)品需求的日益增長(zhǎng)及高性能VLSI技術(shù)的迅猛發(fā)展，低壓低功耗設(shè)計(jì)已成為當(dāng)今模擬集成電路設(shè)計(jì)的主流之一。本文討論了低壓模擬電路設(shè)計(jì)所面臨的困難與挑戰(zhàn)，以及目前國(guó)內(nèi)外實(shí)現(xiàn)低壓模擬電路設(shè)計(jì)的主要技術(shù)和其優(yōu)缺點(diǎn)，重點(diǎn)研究了準(zhǔn)浮柵技術(shù)在低壓低功耗模擬集成電路設(shè)計(jì)中的應(yīng)用情況。論文通過(guò)介紹多輸入浮柵晶體管的低壓應(yīng)用原理，對(duì)準(zhǔn)浮柵MOS晶體管的工作原理、等效電路及電氣特性進(jìn)行了系統(tǒng)分析。在此基礎(chǔ)上完成了一系列基于準(zhǔn)浮柵技術(shù)的低壓模

2、擬集成電路單元的設(shè)計(jì)，包括折疊差分運(yùn)算放大器、全差分運(yùn)算放大器、采樣保持電路、積分器、二階巴特沃斯低通濾波器、五階切比雪夫低通濾波器、12位電容定標(biāo)數(shù)模轉(zhuǎn)換器等。論文分別基于CSMC 0.6um和TSMC0.25 um CMOS工藝的BSIM3V3模型，利用Cadence Spectre和Hspice等仿真工具對(duì)本文所設(shè)計(jì)的所有電路進(jìn)行了模擬仿真。最后根據(jù)CSMC 0.6 um雙多晶雙層鋁布線CMOS工藝的設(shè)計(jì)規(guī)則，對(duì)全差分運(yùn)算放大器、

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