襯底驅(qū)動(dòng)MOS技術(shù)的低壓模擬集成電路設(shè)計(jì).pdf_第1頁(yè)
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文檔簡(jiǎn)介

1、近年來(lái)，在筆記本電腦、移動(dòng)通信等便攜式電子設(shè)備和系統(tǒng)飛速發(fā)展的推動(dòng)下，低壓低功耗模擬集成電路及其設(shè)計(jì)技術(shù)已成為集成電路的重要發(fā)展方向之一。本文首先介紹了低壓低功耗模擬集成電路的背景及發(fā)展趨勢(shì)，給出了目前國(guó)內(nèi)外低壓模擬電路設(shè)計(jì)的主要方法及其優(yōu)缺點(diǎn)。論文重點(diǎn)討論分析了利用襯底端fbulk端)作為信號(hào)輸入端的襯底驅(qū)動(dòng)MOS技術(shù)的工作原理和低壓特性，以及基于襯底偏置MOSFET的閾值電壓可調(diào)節(jié)特性及其低壓特性，并在此基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)了工作于單電源0．

2、8V的基于襯底偏置超低壓CMOS運(yùn)算放大器、基于襯底驅(qū)動(dòng)技術(shù)的0．8V高性能全差分CMOS OTA、基于襯底驅(qū)動(dòng)技術(shù)的0．8V三階橢圓OTA-C濾波器以及基于襯底驅(qū)動(dòng)技術(shù)的超低壓CMOS帶隙基準(zhǔn)源等電路。論文還對(duì)所設(shè)計(jì)的低壓低功耗模擬單元電路在TSMC 0．25um BSIM3V3模型(所用模型的閾值電壓分別為0．5V、-0．6V)下，用Hspice進(jìn)行了模擬仿真，仿真結(jié)果表明，由于采用了襯底驅(qū)動(dòng)技術(shù)使得所設(shè)計(jì)的電路在低壓下可以獲得滿意

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