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文檔簡介
1、隨著無線通信設(shè)備、筆記本電腦、消費類電子和可移植醫(yī)療設(shè)備市場的不斷擴大，極低電壓工作環(huán)境下的芯片研發(fā)日益受到關(guān)注。因此，超低壓、超低功耗模擬集成電路設(shè)計已經(jīng)成為IC設(shè)計的重點方向之一。本文首先介紹超低壓、超低功耗模擬集成電路的發(fā)展趨勢，同時也分析了目前超低壓、超低功耗模擬集成電路設(shè)計的主要方法和挑戰(zhàn)；重點研究了襯底驅(qū)動技術(shù)在超低壓、超低功耗模擬集成電路設(shè)計中的應(yīng)用。論文通過介紹襯底驅(qū)動技術(shù)的原理，對襯底驅(qū)動MOS管的工作原理、電器特性等
2、進行系統(tǒng)分析。同時運用襯底驅(qū)動技術(shù)，基于TSMC 0.25μm標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝，設(shè)計了工作在0.8V的軌至軌(rail-to-rail)CMOS運算放大器；運用襯底驅(qū)動技術(shù)，結(jié)合亞閾值技術(shù)和組合MOS管技術(shù)，分別基于CSMC 0.6μmCMOS工藝、TSMC 0.35μm CMOS工藝對傳統(tǒng)的密勒運算跨導(dǎo)放大器(Miller OTA)電路進行改進，使其分別工作在0.9V和0.6V的超低電壓下。用Hspice對所設(shè)計的運算放大器電路進行仿
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