低壓低功耗Halo MOSFET的分析與設計.pdf

1、 本論文針對HaloMOSFET,從表面勢模型、閾值電壓模型的建模、漏電流模型的建模、擊穿特性等幾個方面進行了分析和研究?！　”疚氖紫确治隽说蛪旱凸钠骷脑O計要求以及超深亞微米MOS器件面臨的挑戰(zhàn)?！　〗又贸Ｒ?guī)短溝道器件的表面勢模型，根據(jù)HaloMOSFET溝道摻雜濃度分布的特點，把溝道區(qū)分為三個部分，通過求解三個部分的二維泊松方程，得到最小表面勢的表達式。根據(jù)經(jīng)典強反型判據(jù)，建立了基于器件物理的閾值電壓解析模型。模型計

2、算結(jié)果與國際通用的二維器件數(shù)值模擬軟件Medici的模擬結(jié)果吻合很好，同時模擬了結(jié)構參數(shù)對閾值電壓的影響。本章最后分析了LDD結(jié)構對抑制閾值電壓跌落的影響，采用了文獻中的模擬結(jié)果對分析的情況進行了論證。　　本文最后以二維器件數(shù)值軟件Medici為工具，模擬和對比了HaloLDDMOSFET、LDDMOSFET與常規(guī)器件的擊穿特性。根據(jù)器件擊穿時溝道電場的分布曲線，分析了Halo結(jié)構的擊穿電壓高于其他器件擊穿電壓的物理機理，建立了Hal

3、oMOSFET的擊穿電壓模型。由于是薄柵氧化層器件，本文對柵電流與柵電壓之間的關系也進行了模擬，分析了柵氧化層的擊穿機理，討論了柵氧化層擊穿主要是由于強電場引起的碰撞電離，產(chǎn)生大量高能量電子導致的。利用模擬結(jié)果來設計器件最佳的柵氧化層的厚度。　　本文在分析器件擊穿特性時，提出了直流電阻與漏電壓之間的關系來判斷器件是否擊穿?！　】傊疚膶aloMOSFET的閾值電壓模型、漏電流模型和擊穿特性進行了較為系統(tǒng)的研究。所建的模型經(jīng)過Me