一種高速低壓低功耗內(nèi)置靜態(tài)存儲器SRAM設(shè)計.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、過去十年中,CMOS技術(shù)成為半導(dǎo)體集成電路中的主流制造技術(shù),因此CMOS也成為半導(dǎo)體存儲器設(shè)計的主要工藝選擇.許多特殊CMOS存儲電路的設(shè)計和分析,比如存儲單元、陣列布線、靈敏放大器和抵抗輻射電路等,不但需要精深的電路知識,還需要半導(dǎo)體工藝、器件知識、物理模型和信息理論.該論文綜合運用交叉學(xué)科理論知識設(shè)計出一種高性能異步靜態(tài)存儲器.該論文對成功使用過的CMOS存儲電路進(jìn)行運算和分析,為了方便說明,分成五個章節(jié).CMOS存儲器結(jié)構(gòu)的介紹是

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