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文檔簡介
1、整篇論文包括兩個部分,第一部分主要是介紹等離子體浸沒式離子注入的研究,第二部分主要是負折射的物理原理與等離子體性質的聯(lián)系。
第一部分,等離子體浸沒式離子注入(PIII)起源于傳統(tǒng)的離子注入技術。由于等離子體浸沒式離子注入與傳統(tǒng)的離子注入相比有著很大的優(yōu)勢,是離子全方位地注入到所加工的材料中去,這樣等離子體浸沒式離子注入有效地解決了傳統(tǒng)離子注入的準直性,因此等離子體浸沒式注入在工業(yè)領域獲得更為廣闊的應用。本章首先介紹了等離子
2、體浸沒式離子注入的現(xiàn)狀和優(yōu)缺點;其次介紹了用于本次實驗的探針系統(tǒng)的基本原理;接著我們介紹了本次實驗所采用的等離子體源,我們設計了一種新型的螺旋耦合天線,與傳統(tǒng)的耦合天線相比,新型的耦合天線很好地改進了等離子體源的均勻性。最后我們介紹等離子體浸沒式離子注入所需的負高壓脈沖電源,及等離子體浸沒式離子注入應用于制備P型ZnO薄膜的研究,實驗發(fā)現(xiàn)這種方法有效地降低了電子的濃度,增加了材料的電阻;如果能夠進一步優(yōu)化加工過程,也一定能獲得高質量的P
3、型的ZnO薄膜。
第二部分,最近這些年左手化媒質(left-handedmedium,LHM)和負折射現(xiàn)象由于其獨特的物理性質和新穎的應用得到大家廣泛的研究。多普勒頻移的反轉性和切倫科夫輻射的反向性這些不同尋常的物理特征也在左手化媒質中出現(xiàn)。材料的電磁性能由介電常數(shù)和磁導率這兩個重要的參數(shù)所決定,介質的介電常數(shù)和磁導率結合起來就決定了電磁波將如何在介質中傳播。通常情況下材料的ε和u都是正的,但是對于左手化媒質它的ε和u都是
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