SI-GaAs光電導(dǎo)天線產(chǎn)生THz電磁波的性能分析.pdf

1、本論文對(duì)半絕緣GaAs光電導(dǎo)開關(guān)為偶極輻射天線產(chǎn)生高功率太赫茲電磁波的技術(shù)進(jìn)行了研究，主要做了以下幾個(gè)方面的工作：
　　其一、對(duì)空間電荷電場(chǎng)形成的動(dòng)態(tài)過程進(jìn)行了研究，分析了太赫茲輻射頻譜的中心頻率隨光導(dǎo)天線電極間隙減小向高頻端移動(dòng)的實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象；用載流子弛豫時(shí)間和載流子速度過沖效應(yīng)解釋了光導(dǎo)天線的THz輻射頻譜的中心頻率隨偏置電場(chǎng)的增加向高頻移動(dòng)的實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象。詳細(xì)的分析兩種屏蔽效應(yīng)對(duì)THz輻射的影響。
　　其二，不同電極間隙大小以

2、及不同電極寬度的半絕緣GaAs光電導(dǎo)天線輻射THz電磁波進(jìn)行對(duì)比實(shí)驗(yàn)。電極寬度越寬，天線THz輻射的穩(wěn)定性越好；在相同入射激光功率，全電極間隙照射的情況下，間隙大的天線THz輻射效率要大于間隙小的輻射效率，并用屏蔽效應(yīng)進(jìn)行了分析。
　　其三、從實(shí)驗(yàn)上證實(shí)了用光電導(dǎo)天線陣列大幅度提高THz輻射功率可行性。通過對(duì)陣列天線一個(gè)單元與傳統(tǒng)共振偶極天線在相同的偏置電場(chǎng)下輻射THz脈沖進(jìn)行性能對(duì)比測(cè)試，除去陶瓷吸收后的測(cè)試結(jié)果得到：如果有光斑