GaSb基量子阱激光器材料的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與特性表征.pdf_第1頁(yè)
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1、本論文針對(duì)高質(zhì)量的InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱激光器的特點(diǎn)和存在的問(wèn)題，對(duì)激光器的結(jié)構(gòu)進(jìn)行了優(yōu)化設(shè)計(jì)，并進(jìn)行了銻化物的分子束外延(MBE)生長(zhǎng)、激光器的制備以及材料的研究。分析了各結(jié)構(gòu)參數(shù)對(duì)量子阱材料性能的影響。取得了如下結(jié)果： 從GaSb基材料(InGaAsSb、AlGaAsSb)的基本性質(zhì)著手，通過(guò)二元系和三元系材料參數(shù)計(jì)算四元系材料的晶格常數(shù)、禁帶寬度等，著重分析了單層InGaAsSb、AlGaAsSb材料的M

2、BE生長(zhǎng)參數(shù)及工藝，設(shè)計(jì)并生長(zhǎng)了InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱半導(dǎo)體外延材料。利用X射線(xiàn)雙晶衍射和PL譜研究了材料的結(jié)構(gòu)特性和光學(xué)特性。通過(guò)生長(zhǎng)條件的優(yōu)化并結(jié)合理論分析，我們制備了不同波長(zhǎng)的GaInAsSb/AlGaAsSb多量子阱材料，阱厚為10nm的In<,0.173>Ga<,0.827>As<0.02>Sb<,0.98>/Al<,0.2>Gao<,0.8>As<,0.02>Sb<,0.98>5個(gè)量子阱材料，在X射線(xiàn)雙晶

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