多觸點(diǎn)深部腦刺激電極制作、測(cè)試與仿真.pdf

1、深部腦刺激技術(shù)是通過施加電脈沖刺激腦部特定區(qū)域從而達(dá)到治療或緩解相關(guān)癥狀的目的，目前該技術(shù)已廣泛應(yīng)用于帕金森、癲癇、抑郁等疾病的治療中。其中，深部腦刺激電極是刺激系統(tǒng)的重要組成部分，傳統(tǒng)的四觸點(diǎn)電極由于通道少，觸點(diǎn)面積大，分辨率低，容易刺激不必要的區(qū)域從而引起負(fù)作用。為進(jìn)一步提高深部腦刺激電極的分辨率和精度，本文設(shè)計(jì)制作了一種24通道圓柱形深部腦刺激電極，并利用有限元方法對(duì)電極進(jìn)行仿真研究。該電極的長(zhǎng)度為20mm,直徑為1.5mm,4×

2、6個(gè)電極觸點(diǎn)分布在電極圓周表面，觸點(diǎn)尺寸為0.285mm×1.5 mm。
　　電極的制作過程主要包括以下三個(gè)部分。首先利用MEMS加工技術(shù)制作雙面柔性薄膜電極，電極觸點(diǎn)與引線觸點(diǎn)分別位于薄膜正反兩面，結(jié)構(gòu)材料與電極材料分別采用生物相容性良好的Parylene C和Au。然后利用精密電阻焊接技術(shù)將0.030mm的鉑絲焊接在引線觸點(diǎn)上，實(shí)現(xiàn)外部引線連接。最后，利用3D打印機(jī)制作模具，將柔性薄膜電極卷成圓柱筒狀，并利用點(diǎn)膠機(jī)在圓柱筒狀內(nèi)