高精度低漂移集成電壓源研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、基準電壓源廣泛應用于各種模擬集成電路、數(shù)?;旌闲盘柤呻娐泛拖到y(tǒng)集成芯片(SOC)中,是集成電路中一個重要的單元模塊,也是各種傳感器,A/D,D/A轉換器以及通信電路中的基本元件。它的溫度穩(wěn)定性和電源電壓抑制比是影響整個系統(tǒng)精度和性能的關鍵性因素。因此,設計具有高溫度穩(wěn)定性和很好的電源電壓抑制比的基準電壓源具有十分重要的現(xiàn)實意義。
  基于基準電壓源的重要性,本論文研究并設計實現(xiàn)了一種具有高穩(wěn)定性的帶隙基準電路。本文在分析比較各種

2、基準電壓源性能的前提下,最終選擇了以基于PTAT(與絕對溫度成正比)改進的帶隙基準源電路作為設計的基礎,并對其原理進行了詳細的分析。為了進一步提高基準電壓源的性能,在深入研究溫度和電源電壓的變化對帶隙基準電路穩(wěn)定性影響的基礎上,指出基極一發(fā)射極電壓與溫度的非線性關系是造成基準不穩(wěn)定的主要原因,針對這種情況,采用了環(huán)路補償方法來進行高階溫度補償:利用環(huán)路補償電流(INL)的非線性特性去補償基射結電壓(VBE)的非線性。并且將補償電流(IN

3、L)和與絕對溫度成正比的電流(IPTAT)直接相加實現(xiàn)了很好的補償。不僅結構簡單還獲得了較好的溫度系數(shù)。輸出端采用了一種可編程結構來實現(xiàn)多種輸出電壓,來滿足不同基準電壓的要求。另外,對所采用的運算放大器、啟動電路和溫度保護電路也進行了研究,并設計了優(yōu)化合理的電路結構。
  該電路采用SMIC0.18μm標準CMOS工藝實現(xiàn),并用Spectre進行了仿真,結果表明,在常溫27℃下,當電源電壓為3.3V,溫度范圍為-40~125℃時,

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