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文檔簡介
1、本文采用兩種方法制備聚酰亞胺(PI)/二氧化硅(SiO2)/銀(Ag)三元復合薄膜,一是溶膠-凝膠和原位自金屬化相結(jié)合方法制備PI/SiO2/Ag三元復合薄膜,二是先制備SiO2@Ag納米復合粒子,再經(jīng)過原位復合法制備PI/SiO2/Ag三元復合薄膜。
在第一種方法中,我們通過紅外(FTIR)、透射電子顯微鏡(TEM)、動態(tài)機械熱分析儀(DMTA)等系統(tǒng)地考察了熱處理過程中雜化薄膜結(jié)構形態(tài)變化以及SiO2含量對金屬銀向基體
2、表面遷移情況和雜化薄膜各種性能的影響。采用紫外可見光譜(UV)表征薄膜的反射率。實驗結(jié)果表明,在熱處理過程中可以同時完成聚酰胺酸的亞胺化、SiO2粒子的形成及銀的還原,并且可以通過改變熱處理溫度和時間或改變SiO2含量來控制銀粒子向聚合物基體表面的遷移。隨著二氧化硅固含量的增加,雜化薄膜的反射率逐步降低。
在第二種方法制備雜化薄膜中,我們采用紫外光還原銀氨溶液,沉積到SiO2粒子,形成SiO2@Ag納米復合粒子。該光學還原
3、反應可以在室溫下空氣中進行。通過透射電鏡、場發(fā)射掃描電鏡來觀察復合粒子的結(jié)構形態(tài),采用UV、X射線光電子能譜儀(XPS)、X射線衍射儀(XRD)分析復合粒子。采用TEM、DMTA等系統(tǒng)地考察了雜化薄膜結(jié)構形態(tài)變化以及SiO2@Ag納米復合粒子含量向基體表面遷移情況和雜化薄膜各種性能的影響。結(jié)果表明反應4小時后,銀以面心立方結(jié)構的單質(zhì)銀沉積在二氧化硅粒子表面上。增加反應時間可以增加二氧化硅表面上銀粒子的數(shù)目和尺寸,而巰基偶聯(lián)劑改性二氧化硅
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