低維納米ZnO的制備.pdf

1、低維納米材料由于其量子尺寸效應(yīng)、小尺寸效應(yīng)、表面效應(yīng)和界面效應(yīng)而具有一系列優(yōu)異的電磁、光、力學(xué)和化學(xué)等性質(zhì)。尤其在光催化、光電轉(zhuǎn)換這一具有挑戰(zhàn)性的領(lǐng)域，低維納米半導(dǎo)體材料更顯示出它無(wú)與倫比的優(yōu)勢(shì)。隨著研究的深入,各種新穎的低維納米結(jié)構(gòu)如納米棒、納米管、納米絲、納米帶和納米梳等相繼被發(fā)現(xiàn)。與此同時(shí)，一些材料的單納米結(jié)構(gòu)物性的成功測(cè)量及其應(yīng)用，更加推動(dòng)人們研究新型低維納米材料的控制與合成，并探索其形成機(jī)制。 ZnO作為一種直接帶隙寬

2、禁帶半導(dǎo)體材料，是繼GaN之后光電研究領(lǐng)域又一熱門的研究課題。其光電特性受缺陷的影響較小，在信息領(lǐng)域中有重要的作用。它可用于制作發(fā)光顯示器件、高頻濾波器、發(fā)光二極管、激光器、高速光開關(guān)等器件，在民用及軍事領(lǐng)域都有著重要的用途。本文在前人工作的基礎(chǔ)上，利用化學(xué)氣相沉積法（CVD），以氣-固（VS）為生長(zhǎng)機(jī)制，在Si襯底上制備出了ZnO納米線、納米帶、納米梳、微納米球、注射器狀納米ZnO和花瓣?duì)罴{米ZnO等。同時(shí)研究了氣-固（VS）生長(zhǎng)機(jī)制

3、中Zn蒸汽濃度及襯底溫度對(duì)納米ZnO的影響，并分析了它們的生長(zhǎng)機(jī)理。透射電子顯微鏡(TEM)、掃描電子顯微鏡(SEM)、X-射線衍射(XRD)、電子衍射（SAED）、能譜儀(EDS)和熒光分光光度計(jì)分別對(duì)樣品的形貌、結(jié)構(gòu)、成份及光致發(fā)光進(jìn)行了表征，發(fā)現(xiàn)所得的納米ZnO為單晶纖鋅礦結(jié)構(gòu)，光致發(fā)光譜有兩個(gè)發(fā)射峰，一個(gè)位于380 nm附近，一個(gè)在510 nm處。 正由于納米材料優(yōu)異的物理、化學(xué)性質(zhì)，其應(yīng)用已經(jīng)越來(lái)越廣泛。自上世紀(jì)末，世