版權(quán)說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請進(jìn)行舉報或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡介
1、江蘇大學(xué)碩士學(xué)位論文射頻磁控濺射法合成ZrWO薄膜的研究姓名：肖兆娟申請學(xué)位級別：碩士專業(yè)：材料學(xué)指導(dǎo)教師：程曉農(nóng)20060401江蘇大學(xué)碩士學(xué)位論文ABSTRACTNewnegativethermalexpansion(NTE)materialZrWEOswasdiscoveredtodisplayunusualstrongnegativethermalexpansioninaboardtemperaturerangeIthasvar
2、iousapplicationsinelectronics，optics，biomedicine，sensoretcButrecentlymorepowdersandbulkswerestudiedandlessreportsonfilmswereseenintheinternationalwideRadiofrequencymagnetronsputteringwasusedtoprepareZrW208filmsinthispape
3、rThetargetwastheceramictargetmadewithZr02andW03powderAdjustingtheexperimentparameterssuchassputteringatmosphericpressure，sputteringatmosphere，annealingtemperatureandatmosphereetctoobtainZrWEOSfilmofhighpurityTheinference
4、sofdifferentsputteringparametersonphase，compositionandsurfacemorphologyoffilmshadbeenstudiedinthepaperXraydiffraction(XRD)，scanningelectronmicroscope(SEM)，surfaceprofilometerandscratchingadhensionwereusedtotestthephase，m
5、orphologythickness，cohensionoffilmsTheresultsindicatedthat，asfarasnumber1target(Zr02：W03=21)wasconceredthethinknessofthefilmsdecreasedwitllthedecreaseoftheconcentrationofargonwhenotherparaThethinknessoffilmswasapproximat
6、elylinearwimthesputteingtimeandthesputteringratewasapproximatelylinear、ⅣimthesputteringpowerThecohensionoffilmandthesubstratedecreasedthenincreasedwi廿1theincreaseofthethinknessofthefilmunderacertainrangeXRDwasusedtoanaly
7、sethephaseoffilmsItisfoundthattheasdepositedfilmisamorphousThefilmspreparedwithnumber1targetcrystallizedbestataround720“CbasedontheresultsofhighandlowtemperatureXRDWhenannealedintheRTP一300rapidtreatmentfurnace，thebesttre
8、atmenttemperatureis780。CWhilethebesttemperatureis740。Cwhenthefilmsmadewithnumber2target(Zr02：W03=1：28)annealedintheRTP一300rapidtreatmentfurnaceWhenannealedatlowertemperature，ZrW208filmcannotcrystallizetotallyWhenannealed
9、athighertemperature，ZrW208filmdecomposeSEMphotoesrevealsthatthesurfaceoffilmisuniformwhenthetreatmenttemperatureislowerthan700。CWhenannealedataround750。C，filmaredenselypackedWhenannealedhighertemperaturethan1000。C，crackI
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽，若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理，對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 射頻磁控濺射法制備ZrW-,2-O-,8-薄膜及其性能研究.pdf
- 射頻磁控濺射法制備ZrW-,2-O-,8-、Al-,2-O-,3-及其復(fù)合薄膜的研究.pdf
- 激光燒結(jié)合成ZrW-,2-O-,8-陶瓷及其性能研究.pdf
- 化學(xué)法制備負(fù)熱膨脹性ZrW-,2-O-,8-粉體及薄膜.pdf
- 負(fù)熱膨脹化合物材料ZrW-,2-O-,8-的制備及研究.pdf
- 磁控濺射制備Cu-ZrW2O8梯度薄膜工藝研究.pdf
- 負(fù)熱膨脹性ZrW-,2-O-,8-粉體的制備及其粒徑控制.pdf
- 射頻反應(yīng)磁控濺射法制備Al-,2-O-,3-薄膜結(jié)構(gòu)與性能的研究.pdf
- 各向同性負(fù)膨脹系數(shù)材料ZrW-,2-O-,8-的研究與制備.pdf
- 射頻磁控濺射法MoS-,2-薄膜制備研究.pdf
- 射頻磁控濺射法制備P型Cu2O薄膜與性能研究.pdf
- 射頻磁控濺射法制備TiO2和Al2O3薄膜的研究.pdf
- 射頻磁控濺射法制備ZrO2薄膜及其特性研究.pdf
- 射頻磁控濺射法制備AlN薄膜及其特性研究.pdf
- 負(fù)熱膨脹材料ZrW-,2-O-,8-、ZrV-,2-O-,7-及其與金屬Cu、Al的復(fù)合技術(shù)與特性.pdf
- 射頻磁控濺射法沉積氮化銅納米薄膜及PLZT薄膜.pdf
- 射頻磁控濺射法制備環(huán)形器用YIG薄膜.pdf
- 射頻磁控濺射法制備ZnO薄膜及其性能研究.pdf
- 射頻反應(yīng)磁控濺射法制備碳化硅薄膜研究.pdf
- 射頻磁控濺射法高質(zhì)量YIG薄膜的制備與研究.pdf
評論
0/150
提交評論